Kingston 記憶體產品型號解碼器
瞭解如何讀懂 Kingston® 記憶體產品型號，包括 Kingston FURY™、Server Premier™、ValueRAM®、DDR5、DDR4 和 DDR3 記憶體產品系列，幫助您依照規格識別模組。
Kingston FURY™ DDR5
下列資訊將協助您按規格識別 Kingston FURY 記憶體模組。
範例產品編號: KF560C36BBE2AK2-32
- KF
- 5
- 60
- C
- 36
- B
- B
- E
- 2
- A
- K2
- -
- 32
KF = 產品線
- KF – Kingston FURY
5 = 技術
- 5 – DDR5
60 = 速度 (MT/s)
- 48 – 4800
- 52 – 5200
- 56 – 5600
- 60 – 6000
- 64 – 6400
- 68 – 6800
- 72 – 7200
- 76 – 7600
- 80 – 8000
- 84 – 8400
C = 模組類型
- C – UDIMM (非 ECC 無緩衝)
- S – SODIMM (非 ECC 無緩衝)
- R – EC8 RDIMM (x80)
- CU – CUDIMM (非 ECC 無緩衝)
36 = CAS 延遲
- 30 – CL30
- 32 – CL32
- 36 – CL36
- 38 – CL38
- 40 – CL40
B = 系列
- B – Beast
- I – Impact
- R – Renegade
B = 散熱片
- B – 黑
- S – 黑色及銀色
- W – 白色或白色及銀色
E = 配置文件类型
- 空格 - Intel XMP / 隨插即用
- E - AMD EXPO
2 = 修訂
- 空格 - 第 1 次修訂
- 2 - 第 2 次修訂
- 3 - 第 3 次修訂
A = RGB
- 空格 - 非 RGB
- A – RGB
K2 = 套件 + 片數
- 空白 – 單一模組
- K2 – 2 套件模組
- K4 - 4 套件模組
- K8 - 8 套件模組
32 = 總容量
- 8 – 8GB
- 16 – 16GB
- 24 – 24GB
- 32 – 32GB
- 48 – 48GB
- 64 – 64GB
- 96 – 96GB
- 128 – 128GB
- 256 – 256GB
Kingston Server Premier DDR5
下列資訊將協助您按規格識別 Kingston Server Premier 記憶體模組。
Part Number: KSM56R46BD4PMI-64HAI
- KSM
- 56
- R
- 46B
- D
- 4
- P
- M
- I
- -
- 64
- H
- A
- I
KSM = 產品線
- KSM - Kingston Server Premier
56 = 速度 (MT/s)
- 48 – 4800
- 52 – 5200
- 56 – 5600
- 64 – 6400
R = 模組類型
- E – EC4 UDIMM (x72)
- T – EC4 SODIMM (x72)
- P – EC4 RDIMM (x72)
- R – EC8 RDIMM (x80)
- B – EC4 CUDIMM (x72)
- W – EC4 CSODIMM (x72)
46B = CAS 延遲
- 40B – CL40-39-39
- 42B – CL42-42-42
- 46B – CL46-45-45
- 52B – CL52-52-52
D = Rank
- S – 1 RANK
- D – 2 RANK
- Q – 4 RANK
4 = DRAM 類型
- 4 – x4
- 8 – x8
P = 電源管理晶片 (PMIC)
- I – Renesas
- M – Montage
- P – MPS
- K – RichTek
- T – TI
- Blank - 解鎖
M = SPD Hub
- I – Renesas
- M – Montage
- R – Rambus
- Blank - 解鎖
I = 溫度感測器
- I – Renesas
- M – Montage
- P – MPS
- R – Rambus
- Blank - 解鎖
64 = 總容量
- 16 – 16GB
- 24 – 24GB
- 32 – 32GB
- 48 – 48GB
- 64 – 64GB
- 96 – 96GB
- 128 – 128GB
H = DRAM 製造商
- H – SK Hynix
- M – Micron
- S – Samsung
A = DRAM 晶片版本
- A – A晶片
- B – B晶片
- C – C晶片
- D – D晶片
- E – E晶片
- M – M晶片
I = 暫存器
- I – Renesas
- M – Montage
- R – Rambus
- Blank - 解鎖
Kingston ValueRAM DDR5
範例產品編號: KVR56U46BD8-32
- KVR
- 56
- U
- 46B
- D
- 8
- -
- 32
KVR = Kingston ValueRAM
- KVR – Kingston ValueRAM
56 = 速度 (MT/s)
- 48 – 4800
- 52 – 5200
- 56 – 5600
- 64 – 6400
U = 模組類型
- U – DIMM (非 ECC 無緩衝)
- S – SODIMM (非 ECC 無緩衝)
- A – CUDIMM (非 ECC 無緩衝) Clocked
- V – CSODIMM (非 ECC 無緩衝) Clocked
46B = CAS 延遲
- 40B – CL40
- 42B – CL42
- 46B – CL46
- 52B – CL52
D = Rank
- S – 單 Rank
- D – 雙 Rank
8 = DRAM 類型
- 8 – x8
- 6 – x16
K2 = 套件 + 片數
- 空白 – 單一模組
- K2 – 2 套件模組
- K4 – 4 套件模組
32 = 總容量
- 8 – 8GB
- 16 – 16GB
- 32 – 32GB
- 48 – 48GB
- 64 – 64GB
- 96 – 96GB
X = 自訂
- 空白 – 標準組合
- BK – 大包裝
Kingston FURY™ 產品型號解碼器
下列資訊旨在於協助您按規格識別 Kingston FURY DDR4/DDR3 記憶體模組。
範例產品編號: KF432C16BB12AK2/32
- KF
- 4
- 32
- C
- 16
- B
- B
- 1
- 2
- A
- K2
- /
- 32
KF = 產品線
- KF - Kingston FURY
4 = 技術
- 3 - DDR3
- 4 - DDR4
32 = 速度 (MT/s)
- 16 - 1600 (1.5V)
- 16L - 1600 (1.35V)
- 18 - 1866 (1.5V)
- 18L - 1866 (1.35V)
- 26 - 2666
- 32 - 3200
- 36 - 3600
- 37 - 3733
- 40 - 4000
- 42 - 4266
- 46 - 4600
- 48 - 4800
- 50 - 5000
- 51 - 5133
- 53 - 5333
C = 模組類型
- U - DIMM (非 ECC 無緩衝)
- S - SODIMM (非 ECC 無緩衝)
16 = CAS 延遲
- 9 - CL9
- 10 - CL10
- 11 - CL11
- 13 - CL13
- 15 - CL15
- 16 - CL16
- 17 - CL17
- 18 - CL18
- 19 - CL19
- 20 - CL20
B = 系列
- B - Beast
- I - Impact
- R - Renegade
B = 散熱片
- 空格 - 藍
- B - 黑
- R - 紅
- W - 白
1 = 16GB 模組配置
- 空白 – 2Gx8
- 1 – 1Gx8
2 = 修訂
- 空格 - 第1次 修訂
- 2 - 第 2 次修訂
- 3 - 第 3 次修訂
- 4 - 第 4 版
A = RGB
- 空格 - 非 RGB
- A - RGB
K2 = 套件 + 片數
- 空白 - 單一模組
- K2 - 2 套件模組
- K4 - 4 套件模組
- K8 - 8 套件模組
32 = 總容量
- 4 - 4GB
- 8 - 8GB
- 16 - 16GB
- 32 - 32GB
- 64 - 64GB
- 128 - 128GB
- 256 - 256GB
Kingston Server Premier DDR4
(PC4-2400, PC4-2666, PC4-2933, PC4-3200)
產品型號: KSM32RD4/32HDR
- KSM
- 32
- R
- D
- 4
- /
- 32
- H
- D
- R
KVR = 產品線
- KSM – Kingston Server Premier
32 = 速度 (MT/s)
- 24 – 2400
- 26 – 2666
- 29 – 2933
- 32 – 3200
R = 記憶體類型
- E -UDIMM (ECC 無緩衝)
- SE - SODIMM (ECC 無緩衝)
- L - RDIMM (ECC Registered DIMM)
- R - LRDIMM (低負載 DIMM)
D = 面
- S – 單面
- D – 雙面
- Q – 四面
4 = DRAM 類型
- 4 – x4
- 8 – x8
L = 配置
- L – 半高式 (VLP)
32 = 總容量
- 8 – 8GB
- 16 – 16GB
- 32 – 32GB
- 64 – 64GB
- 128 – 128GB
H = DRAM 製造商
- H – SK Hynix
- M – Micron
- S - Samsung
D = DRAM Die 改版
- A – A 晶片
- B – B 晶片
- C - C 晶片
- D - D 晶片
- E – E 晶片
R = 註冊製造商
- I – Renesas
- M – Montage
- R – Rambus
- Blank - 解鎖
Kingston ValueRAM DDR4
(PC4-2133, PC4-2400, PC4-2666, PC4-2933, PC4-3200)
產品型號 ：KVR32N22D8/32
- KVR
- 32
- N
- 22
- D
- 8
- /
- 32
KVR = Product Line
- KVR – Kingston ValueRAM
32 = 速度 (MT/s)
- 21 – 2133
- 24 – 2400
- 26 – 2666
- 29 – 2933
- 32 – 3200
R = 記憶體類型
- N – 無緩衝 DIMM (非 ECC)
- S – SODIMM (非 ECC 無緩衝)
- E – UDIMM (ECC 無緩衝)
- S – SODIMM (ECC 無緩衝)
- R – RDIMM (ECC Registered DIMM)
- L – LRDIMM (低負載 DIMM)
22 = CAS 延遲
- 15 – CL15
- 19 – CL19
- 22 – CL22
D = 面
- S – 單面
- D – 雙面
- Q – 四面
8 = DRAM 類型
- 4 – x4
- 8 – x8
- 6 – x16
L = 設定檔
- 空白 – 任何高度
- L – 18.75mm (VLP)
K2 = Kit + 片數
- 空白 – 單一模組
- K2 – 兩個模組的套件
- K3 – 三個模組的套件
32 = 容量
- 4 – 容量
H = DRAM Manufacturer
- H – SK Hynix
- M – Micron
- S – Samsung
- K – Kingston
B = 改版
- B – 改版
I = Intel 認證
- I – Intel 認證
Kingston Design-In 記憶體模組 DDR5
產品型號: CBD56S46BD8HA-32
- CBD
- 56
- S
- 46B
- D
- 8
- H
- A
- -
- 32
CBD = 產品線
- CBD – Kingston Design-In 記憶體模組
56 = 速度 (MT/s)
- 48 – 4800
- 52 – 5200
- 56 – 5600
- 64 – 6400
S = 模組類型
- U – DIMM（非 ECC 無緩衝）
- S – SODIMM（非 ECC 無緩衝）
- A – CUDIMM（非 ECC 無緩衝）
- V – CSODIMM（非 ECC 無緩衝）
46B = CAS 延遲
- 40B – CL40-39-39
- 42B – CL42-42-42
- 46B – CL46-45-45
- 52B – CL52-52-52
D = Rank
- S – 1 Rank
- D – 2 Rank
8 = 記憶體類型
- 8 – x8
- 6 – x16
H = 記憶體製造商
- H – SK Hynix
- M – Micron
- S – Samsung
A = 記憶體晶片版本
- A – A 晶片
- B – B 晶片
- M – M 晶片
32 = 總容量
- 8 – 8GB
- 16 – 16GB
- 32 – 32GB
- 64 – 64GB
Kingston Design-In 記憶體模組 DDR4
產品型號: CBD32D4U2D8HD-16
- CBD
- 32
- D4
- U
- 2
- D
- 8
- H
- D
- -
- 16
CBD = 產品線
- CBD – Kingston Design-In 記憶體模組
32 = 速度 (MT/s)
- 21 – 2133
- 24 – 2400
- 26 – 2666
- 32 – 3200
D4 = 技術
- D4 – DDR4
U = 模組類型
- U – DIMM（非 ECC 無緩衝）
- S – SODIMM（非 ECC 無緩衝）
2 = CAS 延遲
- 5 – CL15-15-15
- 7 – CL17-17-17
- 9 – CL19-19-19
- 2 – CL22-22-22
D = Rank
- S – 1 Rank
- D – 2 Rank
8 = 記憶體類型
- 8 – x8
- 1 – x16
H = 記憶體製造商
- H – SK Hynix
- M – Micron
- S – Samsung
- N – Nanya
- K – Kingston
D = 記憶體晶片版本
- A – A 晶片
- B – B 晶片
- C – C 晶片
- D – D 晶片
- E – E 晶片
- F – F 晶片
- H – H 晶片
- J – J 晶片
- R – R 晶片
V = 印刷電路板類型
- 黑 – 閃金
- H – 硬金
- V – 矮版 (VLP)
16 = 總容量
- 4 – 4GB
- 8 – 8GB
- 16 – 16GB
- 32 – 32GB
Kingston Design-In 記憶體模組 DDR3
產品型號: CBD16D3LFU1KBG/2G
- CBD
- 16
- D3L
- F
- U
- 1
- K
- B
- G
- /
- 2G
CBD = 產品線
- CBD – Kingston Design-In 記憶體模組
16 = 速度 (MT/s)
- 16 – 1600
D3L = 技術
- D3 – DDR3 (1.5V)
- D3L – DDR3L (1.35V / 1.5V)
F = 記憶體類型
- Blank – x8
- F – x16
U = 模組類型
- U – DIMM（非 ECC 無緩衝）
- S – SODIMM（非 ECC 無緩衝）
1 = CAS 延遲
- 1 – CL11-11-11
K = 記憶體製造商
- S – Samsung
- K – Kingston
B = 記憶體晶片版本
- B – B 晶片
- D – D 晶片
- E – E 晶片
G = PCB 類型
- L – 矮版 (VLP)
- G – 綠色驗證 (符合 RoHS 標準)
- H – 硬金
2G = 總容量
- 2G – 2GB
- 4G – 4GB
- 8G – 8GB
DDR3
(PC3-8500, PC3-10600, PC3-12800)
如何判讀 ValueRAM 產品型號
範例：
新產品型號：KVR16LN11/8
舊產品型號：KVR 16 N 11 S8 K2 / 8
新產品型號適用於 2012 年 5 月 1 日之後發行的產品。
產品型號： KVR16LN11/8
- KVR
- 16
- L
- N
- 11
- /
- 8
KVR = 產品線
- KVR – Kingston ValueRAM
16 = 速度 (MT/s)
- 16 – 1600
- 13 – 1333
- 10 – 1066
L = 低電壓
- 空白 – 1.5V
- L – 1.35V
- U – 1.25V
N = 記憶體類型
- N – 無緩衝 DIMM (非 ECC)
- S – SODIMM (非 ECC 無緩衝)
- E – ECC UDIMM (ECC 無緩衝)
- SE – SODIMM (ECC 無緩衝)
- R – RDIMM (ECC Registered DIMM)
- L – LRDIMM (低負載 DIMM)
11 = CAS 延遲
- 11 – CL11-11-11
S = 面
- S – 單面
- D – 雙面
- Q – 四面
8 = DRAM 類型
- 4 – x4
- 8 – x8
L = 設定檔
- 空白 - 18.75 毫米或 30 毫米
- L – 18.75mm (VLP)
- H – 30mm
K2 = Kit + 片數
- 空白 - 單個模組
- K2 – 2 套件模組
- K3 – 3 套件模組
- K4 – 4 套件模組
8 = 容量
- 4 – 4GB
- 8 – 8GB
- 12 – 12GB
- 16 – 16GB
- 24 – 24GB
- 32 – 32GB
- 48 – 48GB
- 64 – 64GB
H = DRAM MFGR/認證
- H – SK Hynix
- E – Elpida
- I – Intel 認證
B = Die 改版
- B – Die 改版
延遲時間
當您在主機板 BIOS 中設定記憶體時序以獲得最佳效能時，下方資訊將有助於說明各種可調整的設定。請注意，這些設定會依據主機板品牌/型號或 BIOS 韌體版本而有所不同。
舉例
15
CL
-
17
tRCD
-
17
tRP/tRCP
-
20
tRA/tRD/tRAS
CAS 延遲 (CL)：啟動列與讀取列之間的延遲時間。
RAS至CAS延遲（RAS to CAS），又稱列控制器至行控制器傳輸延遲時間（tRCD）：啟動列
列預充電延遲時間（Row Precharge Delay），又稱列位址控制器預充電延遲時間（RAS Precharge Delay）（tRP/tRCP）：停用列
列動態延遲時間（Row Active Delay），又稱列位址控制器動態延遲時間（RAS Active Delay），或就緒時間（time to ready）（tRA/tRD/tRAS）：啟動列與停用列之間的時脈週期數。
免責聲明：所有 Kingston 產品都經過測試，符合公告的規格。某些系統或主機板配置可能無法在 Kingston 記憶體額定速度和時序下運作。Kingston 不建議任何使用者嘗試以超過額定速度的速度使用電腦。進行超頻或修改系統時序可能會導致電腦元件損壞。