Kingston Guía de números de referencia de memorias

Aprenda a entender los números de referencia de las memorias de Kingston^®, incluyendo las líneas de productos Kingston FURY^™, Server Premier^™, ValueRAM^®, DDR5, DDR4 y DDR3. De este modo podrá identificar los módulos por especificación.

Número de parte: KF560C36BBE2AK2-32

KF = Línea de productos

KF – Kingston FURY

5 = Tecnología

5 – DDR5

60 = Velocidad (MT/s)

48 – 4800
52 – 5200
56 – 5600
60 – 6000
64 – 6400
68 – 6800
72 – 7200
76 – 7600
80 – 8000
84 – 8400

C = Tipo de módulo

C – UDIMM (No-ECC sin búfer)
S – SODIMM (No-ECC sin búfer)
R – EC8 RDIMM (x80)
CU – CUDIMM (No ECC cronometrado sin búfer)

36 = Latencia CAS

30 – CL30
32 – CL32
36 – CL36
38 – CL38
40 – CL40

B = Serie

B – Beast
I – Impact
R – Renegade

B = Disipador térmico

B – Negro
S – Negro y Plata
W – Blanco o Blanco y Plata

E = Tipo de Perfil

En blanco - Intel XMP / Plug N Play
E - AMD EXPO

2 = Revisión

En blanco – 1^ra revisión
2^da revisión
3^ra revisión

A = RGB

En blanco - No RGB
A – RGB

K2 = Kit + número de piezas

En blanco – Módulo único
K2 – Kit de 2 módulos
K4 - Kit de 4 Módulos
K8 - Kit de 8 Módulos

32 = Capacidad total

8 – 8GB
16 – 16GB
24 – 24GB
32 – 32GB
48 – 48GB
64 – 64GB
96 – 96GB
128 – 128GB
256 – 256GB

Part Number: KSM56R46BD4PMI-64HAI

KSM = Línea de productos

KSM - Kingston Server Premier

56 = Velocidad (MT/s)

48 – 4800
52 – 5200
56 – 5600
64 – 6400

R = Tipo de módulo

E – EC4 UDIMM (x72)
T – EC4 SODIMM (x72)
P – EC4 RDIMM (x72)
R – EC8 RDIMM (x80)
B – EC4 CUDIMM (x72)
W – EC4 CSODIMM (x72)

46B = Latencia CAS

40B – CL40-39-39
42B – CL42-42-42
46B – CL46-45-45
52B – CL52-52-52

D = Rangos

S – Individual
D – Doble
Q – Cuádruple

4 = Tipo de DRAM

4 – x4
8 – x8

P = PMIC

I – Renesas
M – Montage
P – MPS
K – RichTek
T – TI
En blanco – Desbloqueado

M = Concentrador SPD

I – Renesas
M – Montage
R – Rambus
En blanco – Desbloqueado

I = Sensor térmico

I – Renesas
M – Montage
P – MPS
R – Rambus
En blanco – Desbloqueado

64 = Capacidad total

16 – 16GB
24 – 24GB
32 – 32GB
48 – 48GB
64 – 64GB
96 – 96GB
128 – 128GB

H = Fabricante de DRAM

H – SK Hynix
M – Micron
S – Samsung

A = Revisión de circuitos integrados de la DRAM

A – A Die
B – B Die
C – C Die
D – D Die
E – E Die
M – M Die

I = Registro

I – Renesas
M – Montage
R – Rambus
En blanco – Desbloqueado

Número de referencia: KVR56U46BD8-32

KVR = Línea de productos

KVR – Kingston ValueRAM

56 = Velocidad (MT/s)

48 – 4800
52 – 5200
56 – 5600
64 – 6400

U = Tipo de módulo

U – DIMM (no ECC sin búfer)
S – SODIMM (no ECC sin búfer)
A – CUDIMM (no ECC Clocked sin búfer)
V – CSODIMM (no ECC Clocked sin búfer)

46B = Latencia CAS

40B – CL40
42B – CL42
46B – CL46
52B – CL52

D = Rangos

S – Rango único
D – Doble rango

8 = Tipo de DRAM

8 – x8
6 – x16

K2 = Kit + número de piezas

En blanco – Módulo individual
K2 – Kit de 2 Módulos
K4 – Kit de 4 Módulos

32 = Capacidad total

8 – 8GB
16 – 16GB
32 – 32GB
48 – 48GB
64 – 64GB
96 – 96GB

X = Personalización

En blanco – Paquete estándar
BK – Paquete a granel

Número de referencia: KF432C16BB12AK2/32

KF = Línea de productos

KF - Kingston FURY

4 = Tecnología

3 - DDR3
4 - DDR4

32 = Velocidad (MT/s)

16 - 1600 (1.5V)
16L - 1600 (1.35V)
18 - 1866 (1.5V)
18L - 1866 (1.35V)
26 - 2666
32 - 3200
36 - 3600
37 - 3733
40 - 4000
42 - 4266
46 - 4600
48 - 4800
50 - 5000
51 - 5133
53 - 5333

C = Tipo de módulo

C – UDIMM (no ECC sin búfer)
S – SODIMM (no ECC sin búfer)

16 = Latencia CAS

9 - CL9
10 - CL10
11 - CL11
13 - CL13
15 - CL15
16 - CL16
17 - CL17
18 - CL18
19 - CL19
20 - CL20

B = Serie

B - Beast
I - Impact
R - Renegade

B = Disipador térmico

En blanco - Azul
B - Negro
R - Rojo
W - Blanco

1 = Configuración del módulo de 16 GB

En blanco – 2Gx8
1 – 1Gx8

2 = Revisión

En blanco - 1^ra revisión
2 - 2^da revisión
3 - 3^ra revisión
4 - 4th Revision

A = RGB

En blanco - No RGB
A - RGB

K2 = Kit + número de piezas

En blanco – Módulo único
K2 - kit de 2 módulos
K4 - kit de 4 módulos
K8 - kit de 8 módulos

32 = Capacidad total

4 - 4GB
8 - 8GB
16 - 16GB
32 - 32GB
64 - 64GB
128 - 128GB
256 - 256GB

Número de referencia: KSM32RD4/32HDR

KSM = Línea de productos

KSM – Kingston Server Premier

32 = Velocidad (MT/s)

24 – 2400
26 – 2666
29 – 2933
32 – 3200

R = Tipo de módulo

E – UDIMM ECC (ECC sin búfer)
SE – SODIMM (ECC sin búfer)
R – RDIMM (DIMM ECC registrado)
L – LRDIMM (DIMM de carga reducida)

D = Rangos

S – Individual
D – Doble
Q – Cuádruple

4 = Tipo de DRAM

4 – x4
8 – x8

L = Perfil

L – Perfil muy bajo (VLP)

32 = Capacidad total

8 – 8GB
16 – 16GB
32 – 32GB
64 – 64GB
128 – 128GB

H = Fabricante de DRAM

H – SK Hynix
M – Micron
S – Samsung

D = DRAM Revisión final

A – Circuitos integrados A
B – Circuitos integrados B
C – Circuitos integrados C
D – Circuitos integrados D
E – Circuitos integrados E

R = Registrar fabricante

I – Renesas
M – Montage
R – Rambus
En blanco – Desbloqueado

Número de referencia: KVR32N22D8/32

KVR = Product Line

KVR: Kingston ValueRAM

32 = Velocidad (MT/s)

21 – 2133
24 – 2400
26 – 2666
29 – 2933
32 – 3200

R = Tipo de módulo

N – DIMM sin búfer (no ECC)
S – SODIMM sin búfer (no ECC)
E – UDIMM (ECC sin búfer)
S – SODIMM (ECC sin búfer)
R – RDIMM (DIMM ECC registrado)
L – LRDIMM (DIMM de carga reducida)

22 = Latencia CAS

15 – CL15
19 – CL19
22 – CL22

D = Categorías

S – Cadena única
D – Cadena doble
Q – Cadena cuádruple

8 = Tipo de memoria DRAM

4 – x4
8 – x8
6 – x16

L = Perfil

En blanco – Cualquier altura
L – 18.75mm (VLP)

K2 = Kit + número de piezas

En blanco – Módulo individual
K2 – Kit de dos módulos
K3 – Kit de tres módulos

32 = Capacidad

4 – 4GB
8 – 8GB
16 – 16GB
32 – 32GB

H = DRAM MFGR

H – SK Hynix
K – Kingston
M – Micron
S – Samsung

B = Revisión

B – Revisión

I = Certificadas por Intel

I – Certificadas por Intel

Número de referencia: CBD56S46BD8HA-32

CBD = Línea de productos

CBD – Módulos de DRAM Design-In de Kingston

56 = Velocidad (MT/s)

48 – 4800
52 – 5200
56 – 5600
64 – 6400

S = Tipo de módulo

U – DIMM (sin búfer ECC)
S – SODIMM (sin búfer ECC)
A – CUDIMM (no ECC sin búfer)
V – CSODIMM (no ECC sin búfer)

46B = Latencia CAS

40B – CL40-39-39
42B – CL42-42-42
46B – CL46-45-45
52B – CL52-52-52

D = Rangos

S – Rango único
D – Doble rango

8 = Tipo de DRAM

8 – x8
6 – x16

H = Fabricante de la DRAMM

H – SK Hynix
M – Micron
S – Samsung

A = Revisión de circuitos integrados de la DRAM

A – Circuitos integrados A
B – Circuitos integrados B
M – Circuitos integrados M

32 = Capacidad total

8 – 8 GB
16 – 16 GB
32 – 32 GB
64 – 64 GB

Número de referencia: CBD32D4U2D8HD-16

CBD = Línea de productos

CBD – Módulos de DRAM Design-In de Kingston

32 = Velocidad (MT/s)

21 – 2133
24 – 2400
26 – 2666
32 – 3200

D4 = Tecnología

D4 – DDR4

U = Tipo de módulo

U – DIMM (sin búfer ECC)
S – SODIMM (sin búfer ECC)

2 = Latencia CAS

5 – CL15-15-15
7 – CL17-17-17
9 – CL19-19-19
2 – CL22-22-22

D = Rangos

S – Rango único
D – Doble rango

8 = Tipo de DRAM

8 – x8
1 – x16

H = Fabricante de la DRAM

H – SK Hynix
M – Micron
S – Samsung
N – Nanya
K – Kingston

D = Revisión de circuitos integrados de la DRAM

A – Circuitos integrados A
B – Circuitos integrados B
C – Circuitos integrados C
D – Circuitos integrados D
E – Circuitos integrados E
F – Circuitos integrados F
H – Circuitos integrados H
J – Circuitos integrados J
R – Circuitos integrados R

V = Tipo de placa de circuitos impresos

Negro – Dorado brillante
H – Dorado electrolítico
V – Perfil muy bajo

16 = Capacidad total

4 – 4 GB
8 – 8 GB
16 – 16 GB
32 – 32 GB

Número de referencia: CBD16D3LFU1KBG/2G

CBD = Línea de productos

CBD – Módulos de DRAM Design-In de Kingston

16 = Velocidad (MT/s)

16 – 1600

D3L = Tecnología

D3 – DDR3 (1,5 V)
D3L – DDR3L (1,35 V / 1,5 V)

F = Tipo de DRAM

En blanco – x8
F – x16

U = Tipo de módulo

U – DIMM (sin búfer ECC)
S – SODIMM (sin búfer ECC)

1 = Latencia CAS

1 – CL11-11-11

K = Fabricante de DRAM

S – Samsung
K – Kingston

B = Revisión de circuitos integrados de la DRAM

B – Circuitos integrados B
D – Circuitos integrados D
E – Circuitos integrados E

G = Tipo de placa de circuitos impresos

L – Perfil muy bajo
G – Verde (compatible con RDSP)
H – Dorado electrolítico

2G = Capacidad total

2G – 2 GB
4G – 4 GB
8G – 8 GB

Número de referencia: KVR16S11S8/4

KVR = Línea de productos

KVR – Kingston ValueRAM

16 = Velocidad (MT/s)

16 – 1600
13 – 1333
10 – 1066

L = Bajo voltaje

En blanco – 1,5V
L – 1,35V
U – 1,25V

S = Tipo de módulo

N – DIMM, sin búfer (no ECC)
S – SODIMM, sin búfer (no ECC)
E – UDIMM ECC (ECC sin búfer)
SE – SODIMM (ECC sin búfer)
R – RDIMM (DIMM ECC registrado)
L – LRDIMM (DIMM de carga reducida)

11 = Latencia CAS

11 – CL11-11-11

D = Categorías

S – Cadena única
D – Cadena doble
Q – Cadena cuádruple

8 = Tipo de memoria DRAM

4 – x4
8 – x8

L = Perfil

L – 18.75mm (VLP)
H – 30mm

K2 = Kit + número de piezas

K2 – Kit de 2 módulos
K3 – Kit de 3 módulos
K4 – Kit de 4 módulos

4 = Capacidad

4 – 4GB
8 – 8GB
12 – 12GB
16 – 16GB
24 – 24GB
32 – 32GB
48 – 48GB
64 – 64GB

H = DRAM MFGR/Certificación

H – SK Hynix
E – Elpida
I – Validado por Intel

B = Revisión final

B – Revisión final

Número de referencia: KVR1066D3LD8R7SLK2/46HB

KVR
1066
D3
L
D
8
R
7
S
L
K2
/
4G
H
B

KVR = Kingston ValueRAM

KVR: Kingston ValueRAM

1066 = Velocidad (MT/s{{Footnote.A65242}})

1066 - Velocidad

D3 = Tecnología

D2: DDR2
D3: DDR3

L = Bajo voltaje

En blanco: 1.5V
L: 1.35V
U: 1.25V

D = Categorías

S: Cadena única
D: Cadena doble
Q: Cadena cuádruple

8 = Tipo de memoria DRAM

4: chip DRAM X4
8: chip DRAM X8

R = Tipo de módulo

P: Paridad en registro (Solo módulos DIMM registrados)
E: Módulo DIMM sin buffer (ECC)
F: FB DIMM
M: Mini-DIMM
N: módulos DIMM sin búfer (no ECC)
R: DIMM registrado con dirección/comando función de paridad Con sensor térmico
S: SO-DIMM
U: Micro-DIMM

7 = Latencia CAS

7: Latencia CAS

S = Sensor térmico

En blanco: Sin Sensor térmico
S: Con Sensor térmico

L = Perfil

En blanco: Cualquier altura
L: 18.75mm (VLP)
H: 30mm

K2 = Kit + número de piezas

En blanco: Módulo individual
K2: Kit de dos módulos
K3: Kit de tres módulos

4G = Capacidad

4G: Capacidad

H = DRAM MFGR

H: DRAM MFGR

B = Revisión

B: Revisión

Tiempo de latencia

La información que se presenta a continuación contribuye a ilustrar los diversos parámetros que pueden ajustarse al configurar los tiempos de la memoria en el BIOS de la placa base para conseguir un óptimo rendimiento. Tenga en cuenta que estos ajustes pueden variar dependiendo de la marca/modelo de la placa base o de la actualización del BIOS.

Ejemplo

tRCD

tRP/tRCP

tRA/tRD/tRAS

Latencia CAS (CL): Retraso entre la activación de una fila y su lectura.

Retraso de RAS a CAS o de RAS a columna (tRCD): Activa la fila

Retraso de precarga de fila o retraso de precarga de RAS (tRP/tRCP): Desactiva la fila

Retraso de activación de fila, o retraso de activación de RAS, o tiempo para estar listo (tRA/tRD/tRAS): Número de ciclos de reloj entre la activación y la desactivación de una fila.

Limitación de responsabilidad:todos los productos Kingston son sometidos a pruebas para alcanzar nuestras especificaciones publicadas. Es posible que algunos sistemas o configuraciones de placas base no admitan los ajustes de tiempo y las velocidades de memoria publicados por Kingston. Kingston no recomienda a los usuarios que intenten hacer funcionar sus ordenadores con mayor rapidez de lo estipulado por las velocidades publicadas. El overclocking, o modificación de la temporización del sistema, puede resultar perjudicial para los componentes del ordenador.

Kingston Guía de números de referencia de memorias

Kingston FURY™ DDR5

Memoria Premier DDR5 para servidores de Kingston

Kingston ValueRAM DDR5

Guía de números de referencia de Kingston FURY™ DDR4/DDR3

Kingston Server Premier DDR4

Kingston ValueRAM DDR4

Módulos de DRAM Design-In de Kingston DDR5

Módulos de DRAM Design-In de Kingston DDR4

Módulos de DRAM Design-In de Kingston DDR3

DDR3

DDR3 & DDR2

Tiempo de latencia

Ejemplo

Recursos