ASUS - ROG RAMPAGE VI EXTREME Motherboard
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Arquitectura de bus
USB 2.0/3.x Type-A
PCI Express
SSD - SATA 2.5-inch 9.5mm
SSD - M.2 SATA
SSD - U.2 NVMe
SSD - M.2 PCIe
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8 Socket(s)
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Intel Core i7 X-series Intel X299
Intel Core i9 X-series Intel X299
Intel Core i9 Extreme Edition X-series Intel X299
Notas de configuración importantes
- Cascade Lake-X processors are required to use memory modules built with 16Gbit density DRAM. BIOS/firmware updates and/or specific board revisions may also be required. All other CPUs please contact the manufacturer.
- QUAD CHANNEL memory bandwidth is only supported on Intel Skylake-X and Cascade Lake-X processors. MODULES MUST BE ORDERED AND INSTALLED IN FOURS for Quad Channel mode.
Actualizaciones compatibles para su sistema
- ValueRAM
- Unidades de estado sólido
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Número de parte: KVR26N19D8/16
- Número de parte: KVR26N19D8/16
- DDR4 2666MT/s Non-ECC Unbuffered DIMM CL19 2RX8 1.2V 288-pin 8Gbit
- Especificaciones (PDF)
DDR4 2666MT/s Non-ECC Unbuffered DIMM CL19 2RX8 1.2V 288-pin 8Gbit
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Número de parte: KVR26N19S8/8
- Número de parte: KVR26N19S8/8
- DDR4 2666MT/s Non-ECC Unbuffered DIMM CL19 1RX8 1.2V 288-pin 8Gbit
- Especificaciones (PDF)
DDR4 2666MT/s Non-ECC Unbuffered DIMM CL19 1RX8 1.2V 288-pin 8Gbit
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Número de parte: KVR26N19S8L/8
- Número de parte: KVR26N19S8L/8
- DDR4 2666MT/s Non-ECC Unbuffered VLP DIMM CL19 1RX8 1.2V 288-pin 8Gbit
- Especificaciones (PDF)
DDR4 2666MT/s Non-ECC Unbuffered VLP DIMM CL19 1RX8 1.2V 288-pin 8Gbit
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Número de parte: KVR32N22D8/16
- Número de parte: KVR32N22D8/16
- DDR4 3200MT/s Non-ECC Unbuffered DIMM CL22 2RX8 1.2V 288-pin 8Gbit
- Especificaciones (PDF)
DDR4 3200MT/s Non-ECC Unbuffered DIMM CL22 2RX8 1.2V 288-pin 8Gbit
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Número de parte: KVR32N22D8/32
- Número de parte: KVR32N22D8/32
- DDR4 3200MT/s Non-ECC Unbuffered DIMM CL22 2RX8 1.2V 288-pin 16Gbit
- Especificaciones (PDF)
DDR4 3200MT/s Non-ECC Unbuffered DIMM CL22 2RX8 1.2V 288-pin 16Gbit
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Número de parte: KVR32N22S8/16
- Número de parte: KVR32N22S8/16
- DDR4 3200MT/s Non-ECC Unbuffered DIMM CL22 1RX8 1.2V 288-pin 16Gbit
- Especificaciones (PDF)
DDR4 3200MT/s Non-ECC Unbuffered DIMM CL22 1RX8 1.2V 288-pin 16Gbit
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Número de parte: KVR32N22S8/8
- Número de parte: KVR32N22S8/8
- DDR4 3200MT/s Non-ECC Unbuffered DIMM CL22 1RX8 1.2V 288-pin 8Gbit
- Especificaciones (PDF)
DDR4 3200MT/s Non-ECC Unbuffered DIMM CL22 1RX8 1.2V 288-pin 8Gbit
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Número de parte: SFYRS/500G
- Número de parte: SFYRS/500G
- M.2 NVMe PCIe 4.0
- 7.300MB/seg Lectura, 3.900MB/seg Escritura
- Incluye software de clonación Acronis
- Una sola cara
- Más información
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Número de parte: SA400S37/240G
- Número de parte: SA400S37/240G
- SATA Rev 3.0
- 500MB/seg Lectura, 350MB/seg Escritura
- Incluye software de clonación Acronis
- Más información
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Número de parte: SKC600/256G
- Número de parte: SKC600/256G
- Incluye software de clonación Acronis
- SATA Rev 3.0
- Encriptado XTS-AES de 256-bit, TCG Opal 2.0, eDrive
- Tecnología NAND 3D TLC
- Hasta 550MB/seg (lectura), 500MB/seg (escritura)
- Más información
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Número de parte: SNV3S/500G
- Número de parte: SNV3S/500G
- Rendimiento PCIe NVMe Gen 4x4
- Garantía de 3 años
- Incluye software de clonación Acronis
- Hasta 5.000MB/seg (lectura), 3.000MB/seg (escritura)
- Más información
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Número de parte: SKC3000S/512G
- Número de parte: SKC3000S/512G
- M.2 NVMe PCIe 4.0
- 7.000MB/seg Lectura, 3.900MB/seg Escritura
- Incluye software de clonación Acronis
- Una sola cara
- Más información
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Número de parte: SEDC600M/480G
- Número de parte: SEDC600M/480G
- Diseñado para entornos de Centros de datos
- Protección incorporada en caso de pérdida de energía (PLP)
- Latencia e IOPS consistentes, QoS confiable
- Incluye software de clonación Acronis
- Hasta 560MB/seg (lectura), 530MB/seg (escritura)
- PCN
- Más información
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Número de parte: SEDC600ME/960G
- Número de parte: SEDC600ME/960G
- Diseñados para entornos de Centros de datos
- Protección incorporada en caso de pérdida de energía (PLP)
- Baja latencia y E/S predecible
- Incluye Acronis cloning software
- TCG Opal 2.0, Encriptación AES 256-bit
- 560MB/seg de lectura, 530MB/seg de escritura
- Más información