1R (1 Rank、Single Rank)
記憶體模組中有一個 64 位元寬的資料區塊數量。
2R (2 Rank、Dual Rank)
記憶體模組中有兩個 64 位元寬的資料區塊數量。
4R (4 Rank、Quad Rank)
記憶體模組中有四個 64 位元寬的資料區塊數量。
8R (8 Rank、Octal Rank)
記憶體模組中有八個 64 位元寬的資料區塊數量。
AMD
Advanced Micro Devices是一家研發處理器、晶片組、顯示卡和相關產品的公司。
AMD EPYC™
AMD’s Extended Profiles for Overclocking。具備 AMD EXPO 設定檔的記憶體模組提供針對 AMD 系統最佳化的特定速度、時脈和電壓。
AMD EXPO™
AMD Extended Profiles for Overclocking DDR5。
AMD Ryzen™
AMD 桌上型電腦和筆記型電腦處理器系列。
AES (進階加密標準)
請參閱 FIPS。FIPS 197 是指 2002 年開始美國官方針對敏感加密電子資料的區塊加密標準。
自動更新讀取分佈保護
自動更新功能可讀取快閃記憶體區域的所有資料，包括很少讀取出的資料，並根據需求自動修正錯誤，防止因讀取干擾錯誤、資料保存錯誤和其他等錯誤而導致資料遺失。自動更新功能是在後台執行，這樣一來，即便在修正過程中，對指令響應也幾乎不會有延遲。
故障區塊管理
故障區塊是指包含一個或多個失去可靠性的位元。「Early Bad Blocks」是指在製造過程中產生的故障區塊，「Later Bad Blocks」是指使用後在整個產品生命週期中產生的故障區塊。這兩種類型的故障區塊都是無可避免的，所以故障區塊管理是 NAND 快閃記憶體裝置中管理故障的必備功能。故障區塊管理會識別並標記區塊，然後以事先預留的備用區塊替換故障區塊。故障區塊管理會防止資料寫入到故障區塊中，從而強化產品的可靠性。如果故障區塊中已存有資料，故障區塊管理會將資料移動到可用區塊中，以避免資料遺失。
了解 Kingston SSD 固態硬碟、 eMMC 和工業 SD/microSD 記憶卡如何應用故障區塊管理的技術.
Bank
記憶體中的 Bank 在電腦領域中代表幾項意義。首先，最常指的是 DRAM 晶片中臨時儲存資訊的獨立資料線陣列。當記憶體控制器存取一個 Bank 時，會同時存取一個 Bank 的所有晶片的同一位置。Bank 第二個含意是指主機板上的一組多通道記憶體插槽。
位元
「二進位數字」的縮寫，運算的最小資料單位，以 1 或 0 (開/關) 表示。
位元組
8 位元等於 1 位元組。這是儲存資訊的度量單位，例如一個文字字元。位元和位元組構成運算的基礎語言。
暴力攻擊法
一種原理簡單的網路攻擊方式，嘗試每個可能的密碼來破解密碼或加密金鑰。
儲存容量
模組上的記憶體單元可用總數以 GB 表示。關於套組，所列的容量是該套組中所有模組的合計容量。
CAS 延遲/CL
CAS 是行位址控制器 (Column Address Strobe) 的縮寫，CAS 延遲 (CL) 是指在時脈週期內找到需要存取的記憶體列所花費的時間。(即 CL32、CL40)。
通道
對於 SSD 固態硬碟來說，通道數是指快閃晶片上控制器能同時進行通訊的通道數量入門級/主流 SSD 固態硬碟通常具備雙通道或四通道；更高效能的 SSD 固態硬碟一般具備八通道，而資料中心使用的 SSD 固態硬碟多達 16 通道。
請參閱 「記憶體通道」一節，了解更多記憶體通道的資訊。
晶片結構/DRAM 頻寬
DRAM 組件具有依照行和列所排列的內部結構。晶片組織架構是指 DRAM 組件的列寬。記憶體模組的 DRAM 列寬為 x16 (「乘以 16」)，即 16 列、x8 和 x4。這些列寬對應記憶體模組和電腦中其可使用的的類型。例如，x16 只能用於 PC 或筆記型電腦中使用的 DIMM 或 SODIMM，而 x4 只能用於伺服器或工作站的 DIMM 上。晶片組織架構為 x4 的記憶體模組，代表模組上的所有 DRAM 都是相同的列寬。
Cryptochip
一種硬體工具，藉由裝置上的加密金鑰管理功能來保護 USB 隨身碟上的資料。IronKey 系列快閃隨身碟採用 Cryptochip 加密晶片。
資料傳輸速率
表示記憶體傳輸速率，以 MT/s 為單位，定義每個時脈週期可傳輸的資料量。
DDR / Double Data Rate / DDR SDRAM
「DDR」是雙倍資料傳輸速率同步動態隨機存取記憶體的縮寫。SDRAM 和系統時脈同步來傳輸資料，而 DDR SDRAM 則可以同時在時脈的上升及下降沿傳輸資料，換句話說，一個時脈週期傳輸兩次資料，故資料傳輸量翻倍。「DDR」也是指 1998 年問世的第一代 DDR SDRAM 記憶體模組，當年的傳輸速率分別是 200、266、333 和 400MT/s，每個模組均使用 2.5V 電壓。
DDR2
DDR2 是第二代 DDR SDRAM。使用的電壓較低，每個模組僅 1.8V，且自 2003 年開始傳輸速率不斷提高，從一開始的 400MT/s，一直增加到 533、667、800 和 1066MT/s。
DDR3
DDR3 是第三代 DDR SDRAM，於 2007 年問世。使用的電壓較 DDR2 更低，每個模組為 1.5V，DDR3 一開始的傳輸速率為 800MT/s，後來增加到 1066、1333、1600、1866 和 2133MT/s。
DDR3L
DDR3L 是 DDR3 JEDEC 標準中的一個子標準規範。DDR3L 具有與 DDR3 相同的傳輸速率和時脈，但將電壓降至 1.35V，因此能延長筆記型電腦的電池壽命，並降低伺服器產生的熱量。DDR3L 記憶體向下相容，安裝在舊系統上或與 DDR3 標準模組混合安裝時，電壓會切至 1.5V。
DDR4
DDR4 是第四代 DDR SDRAM，於 2014 年問世。DDR4 的傳輸速率分別是 1600、1866、2133、2400、2666、2933 和 3200MT/s，每個模組僅使用 1.2V 電壓。就 DIMM 模組的外型來說，DDR4 大幅改良 DDR3。在 DIMM 底部中央設計了一個弧度，以改善插入卡榫以及固定模組時，可能損傷積體電路的問題。
DDR5
DDR5 是第五代 DDR SDRAM，於 2020 年問世。DDR5 的傳輸速率分別是 3200、3600、4000、4400、4800、5200、5600、6000、6400、6800 和 7200MT/s。DDR5 的每個模組電壓降至 1.1V，且模組上具備一個電源管理 IC (PMIC)，用來將電源分配到所需時間和位置，故功耗顯著地降低。DDR5 的 Bank 架構和突發長度翻倍，並新增一個名為「SAME BANK Refresh」的功能，可以將模組分成兩個獨立的 32 位元子通道。因此與前幾代產品相比，DDR5 效率大幅提高。還能藉由新增的 on-die ECC (錯誤更正碼) 功能，校正各個 DDR5 記憶體元件中的位元錯誤。
Design-In
Design-in 是指用於非傳統電腦/裝置的組件或零組件，例如 Kiosk、POS 系統、智慧型電子看板和診斷設備等。Kingston 針對這類產品製造各別的零組件、模組和磁碟。
Die 修正
指半導體製造商所提供的 DRAM 組件字母名稱。這些字母通常代表特定的密度和設計。
DIMM / 雙列直插式記憶體模組 (Dual In-line Memory Module)
DIMM是雙列直插式記憶體模組的縮寫，模組每側都有電子接點。這讓資料能獨立從模組的每一側輸出、輸入。
請查看我們的 DRAM 記憶體模組。
DRAM 密度
DRAM 晶片的單一容量稱為「密度」，以 百萬位元。 DRAM 的密度越高，可製造出的記憶體模組容量就越大。一般來說，經過不同代後密度會翻倍，但 DDR5 目前的臨時密度為 24Gbit，也稱為 「非二進制」。 以下是各代記憶體的常見密度：
DRAM / 動態隨機存取記憶體 (Dynamic Random Access Memory)
DRAM 是動態隨機存取記憶體的縮寫，是目前運算領域中最常用的記憶體技術類型。DRAM 晶片由半導體製造而成，配置在具有電容器和電晶體的積體電路中，可在運算碼中以儲存電荷表示 1 和 0。
雙通道
記憶體插槽架構，安裝兩個相同的記憶體模組以提高總頻寬，進而提高系統效能。
動態資料更新
在唯讀操作期間，動態資料更新可確保移除具有大量錯誤的區塊，並更新以供下次使用。在每個讀取命令期間，控制器會對目標區塊執行三階段檢查：第一階段是檢查「需更新」的標記。第二階段是檢查當下存在的錯誤位元數。第三階段是檢查當下存在的重試次數。
EC4
JEDEC 指定具有 72 位元資料頻寬的 DDR5 伺服器等級記憶體模組。
EC8
JEDEC 指定具有 80 位元資料頻寬 的 伺服器等級記憶體模組。
ECC / Error Correction Code
這是一種演算法，能校正運算中單位元和多位元資料損壞。對於記憶體而言，這種配備在處理器控制器的 ECC 功能通常用於伺服器或工作站等級的裝置。支援 ECC 的記憶體模組具有額外的元件，以提供記憶體控制器需要執行錯誤檢測和校正用的額外資料頻寬 (ECC Unbuffered、ECC Registered、Load Reduced)。
ECC UDIMM
無緩衝雙列直插式記憶體模組 (UDIMM) 模組具有額外元件，以支援 ECC 演算法。
EEPROM
EEPROM 全稱為電子抹除式可複寫唯讀記憶體 (Electrically Erasable Programmable Read-only Memory)。這是記憶體模組上的一個元件，用來儲存模組相關規格的重要資訊。SPD 被視為是一個 EEPROM。
FAT
檔案配置表 (FAT) 是針對硬碟所開發的一種檔案系統。作業系統 (OS) 使用其管理硬碟或其他電腦系統中的檔案。其通常用於快閃記憶體、數位相機和可攜式裝置。用來儲存檔案資訊並延長硬碟的使用壽命。了解檔案系統的更多資訊。
FIPS (聯邦資訊處理標準)
美國國家標準研究院 (NIST) 根據聯邦資訊安全管理法案 (FISMA) 所開發並經商務部部長批准的美國聯邦電腦系統的標準和指南。
FIPS 197
進階加密標準 (又稱為 Rijndael 加密法) 是比利時密碼學家所開發的區塊加密法的另一種版本。使用 128、192 或 256 位元金鑰：AES-128 不會被暴力攻擊法所破解，可清除用於機密等級的資料，受到充足的防護。這是美國國家安全局批准用於最高機密資訊 (192 位元或更高) 的第一個也是唯一一個可公開使用的加密系統。
FIPS 140-2 Level 3 認證
2019 年制定的通用政府電腦安全標準。除了製造層級安全性，並滿足角色驗證和實體防篡改需求之外，符合此標準的系統中，「關鍵安全參數」進入和離開模組的介面必須具備隔離區域。
快閃記憶體
快閃記憶體是非揮發性記憶體，意指電源關閉後仍可保留資料的記憶體。快閃記憶體通常用於 SSD 固態硬碟和 USB 隨身碟等裝置中。常見於個人電腦和企業級的儲存解決方案中。
外觀尺寸
這通常是指電子零組件的大小和形狀，例如針對 SSD 固態硬碟或 DRAM。
常見 SSD 固態硬碟外觀尺寸是儲存網路工業協會 (SNIA) 所定義的 2.5 吋、M.2、U.2 和 mSATA。 了解有關 SSD 固態硬碟外觀尺寸的更多資訊;。
對於 DRAM 模組，JEDEC 業界標準有定義 DRAM 模組的尺寸和連接介面類型。最常見的 DRAM 模組外觀尺寸是 DIMM 和 SODIMM。
頻率
一般是指記憶體的速度、資料傳輸速率或時脈週期。
垃圾資料回收
垃圾資料回收是 NAND 快閃記憶體維持耐用度和速度的關鍵。NAND 快閃記憶體裝置無法覆寫已存在的資料。其必須經過寫入/抹除循環；要寫入至某個已經使用的資料區塊，NAND 控制器會先複製所有有效的資料 (其仍在使用中)、將其寫入至另一個區塊的空白分頁、清除目前區塊中的所有單元 (有效資料和無效資料)，然後將新的資料寫入至新清除的區塊。此流程稱為「垃圾資料 (記憶體) 回收」。瞭解更多。
Gbps / 每秒十億位元
以 10 億位元為單位的頻寬度量單位。
Gigabit / Gb / Gbit
1000³ 位元或 1000 Mb。通常用於描述元件密度，例如單個 DRAM 晶片。
Gigabyte / GB / GByte
1000³ 位元組或 1000 MB。通常用來指記憶體或 SSD 固態硬碟的儲存容量。
GT/s
GT/s 代表每秒千兆傳輸。
散熱片
附加在模組上用來散熱的金屬塊。
Infrared Sync Technology™ / IR Sync
這是一項具有專利的同步技術，使用 Kingston HyperX 和 FURY 記憶體模組上的紅外線元件使 RGB 圖案燈效同步。
Intel®
Intel Corporation。負責處理器、晶片組、顯示卡及其他技術的平台設計和製造廠商。
Intel® Xeon®
Intel® 系列伺服器/高階桌上型電腦 CPU，可配備多個記憶體和顯示卡，並支援 ECC 功能記憶體、高核心數和大頻寬。
Intel® XMP 2.0
Intel® Extreme Memory Profiles 是一種 Intel 規範，允許記憶體和主機板供應商設定超頻設定檔 (DDR3 & DDR4)，讓終端使用者能輕鬆進行超頻。
Intel® XMP 3.0
為 DDR5 打造的最新版 XMP，支援多達五個設定檔，其中三個供記憶體製造商使用，另外兩個由終端使用者自訂，以進行手動超頻。
Intel® XMP 3.0 認證
已通過和已提交給 Intel 自行認證計劃的元件或套件。
Intel® XMP 3.0-Ready
符合 Intel® XMP 3.0 規範的元件或套件。
Intel® XMP 2.0 認證
已通過和已提交給 Intel 自行認證計劃的元件或套件。Intel® XMP 2.0-Ready
符合 Intel® XMP 2.0 規範的元件或套件。JEDEC
JEDEC 是聯合電子裝置工程委員會 (Joint Electron Device Engineering Council) 的縮寫，是許多半導體和電腦相關產業的標準化組織。JEDEC 是一個由產業參與者所組成的聯盟，並共同制定記憶體標準等。
Kingston FURY™ Beast
Kingston 的入門級可超頻 UDIMM 產品系列。
Kingston FURY™ Impact
Kingston 的可超頻 SODIMM 產品系列。
Kingston FURY™ Renegade
Kingston 的高效能可超頻 UDIMM 產品系列。
套組
具備多個記憶體模組的零件編號，通常支援雙通道、三通道或四通道記憶體架構。例如，K2 = 包裝中的2 個 DIMM 的總容量。
長 (mm) x 高 (mm) x 寬 (mm)
以毫米為單位包括散熱片在內的模組量測值。
低負載 DIMM (Load Reduced DIMM) / LRDIMM
與暫存器 DIMM (RDIMM) 類似，LRDIMM 具有資料緩衝區，以減少記憶體控制器上的負載，否則會降低記憶體速度來進行補償。LRDIMM 技術可在不犧牲效能的前提下，獲得大容量的模組。
M.2
安裝於電腦內部的擴充卡外觀尺寸。可具備不同的模組寬度和長度。
Mbps
每秒百萬位元，意指每秒鐘資料傳輸速率為多少個百萬位元。
百萬位元組 / MB
1000² 位元組或 1000 KB。通常用來指記憶體、SSD 固態硬碟和其他快閃隨身碟的資料儲存容量。
百萬位元 / Mb
1000² 位元或 1000 Kb。一般用來指元件密度，例如 DRAM。
記憶體
一種裝置，通常是半導體，用於儲存使用電腦或其他相關硬體時所需的資料。
記憶體通道
記憶體通道是記憶體模組和記憶體控制器 (一般位於處理器中) 之間的資料傳輸路徑。多數電腦系統 (PC、筆記型電腦、伺服器) 都具備多通道記憶體架構，多通道組合起來能提高記憶體效能。雙通道記憶體架構是成對安裝兩個相同模組時，記憶體控制器的有效頻寬會加倍。
兆赫 / MHz
兆赫是每秒一百萬個週期的標準指標。過去用來描述記憶體模組的頻率/資料傳輸速率。瞭解更多。
每秒百萬次傳輸 / MT/s
MT/s 意思為每秒百萬次傳輸，能正確地描述以兩倍頻率傳輸資料的 DDR 記憶體速度。 자세히 알아보기
microSD 記憶卡
一種尺寸非常小的記憶卡，一般用於行動電話和其他可攜式裝置。 請查看我們的 microSD 記憶卡產品線。
NAND
一種快閃記憶體，也是一種電子式清除並可重新程式化的非揮發性記憶體。NAND 也代表「NOT AND」或一種用於數位電子產品中特定輸出方式的邏輯閘型式。
NAND 裝置堆疊
為增加儲存容量，NAND 快閃記憶體等非揮發性記憶體裝置可具備多個記憶體顆粒 (例如晶片)，形成記憶體顆粒封裝。記憶體顆粒封裝有許多形式，例如 DDP (一個封裝包含 2 顆粒)、QDP (一個封裝包含 4 顆粒)、ODP (一個封裝包含 8 顆粒) 和 HDP (一個封裝包含 16 顆粒) 等。顆粒堆疊技術能在 USB 隨身碟或 M.2 SSD 固態硬碟等小尺寸裝置中擁有更多的儲存容量。
非二進制記憶體
請參閱 DRAM 密度。
Non-ECC
沒有額外資料頻寬可支援 ECC 演算法的記憶體模組。
非揮發性記憶體
非揮發性記憶體是一種電腦記憶體，電源關閉後仍可儲存資料。
NVM Express™ (NVMe™)
Non-Volatile Memory Express)，一種用來存取 SSD 固態硬碟等電腦非揮發性儲存裝置的開放式介面規範。
On-Die ECC / ODECC
On-die ECC 縮寫為 ODECC，是指整合在 DRAM 晶片中的 ECC，用來在資料傳輸到模組之前校正位元錯誤。這個技術是隨 DDR5 記憶體問世。
PCB / 印刷電路板
PCB 是印刷電路板的簡稱。PCB 是與半導體晶片相互連接的介面。PCB 多半是多層結構，是一種具有導電層和絕緣層的平板。每層都有蝕刻佈線，其中導電材料 (例如銅) 用來連接安裝在表面的半導體元件至外層。
PCI Express® (PCIe®)
週邊元件互連高速 (Peripheral Component Interconnect Express)，一種用於 GPU 或 SSD 固態硬碟等高速零組件的介面標準。
PCN
零件/產品變更通知的縮寫。這用於記錄新產品發布、產品變更、生命週期結束逐步淘汰或停產。
電源管理 IC (PMIC)
PMIC 是 電源管理 IC 的縮寫。PMIC 一般用來管理裝置上特定元件的電力追蹤。對 DDR5 來說，每個模組上都有一個 PMIC。
隨插即用 (Plug N Play) / PnP
隨插即用是在電腦領域中，指不需要特定軟體或驅動程式，即可立即執行的各種類型裝置。對於 Kingston 來說，我們使用「隨插即用 (Plug N Play)」這個術語來描述 Kingston 無需啟用設定檔的領先超頻方式。具備 PnP 的 Kingston FURY 模組的 SPD 參數中內建預設 JEDEC 設定檔的超頻時脈，這會強制電腦自動啟用更高的效能。
電源中斷保護功能
斷電是難免會遇上的事，如果沒有使用合適的硬體，斷電可能會對工作環境造成嚴重破壞。電源中斷保護功能是防止資料遺失的必備品。受支援的主機可以傳送指令給記憶卡，如果檢測到任何電壓下降的問題，則停止任何操作。如此一來，記憶卡在斷電時有緩衝時間儲存當下正在寫入的任何資料。
四通道
記憶體插槽架構，安裝四個相同的記憶體模組以提高總頻寬，進而提高系統效能。
Quad Rank
4 Rank 或 Quad Rank，每個模組中的 64 位元寬資料區塊數量。
QVL / 合格廠商清單
QVL 是「Qualified Vendor List」的縮寫，代表合格廠商的清單。電腦和主機板製造商經常在其技術支援網站上列出 QVL，並顯示哪些零組件 (例如記憶體和 SSD 固態硬碟) 已經過測試可與系統搭配使用。
RAM / 隨機存取記憶體
RAM 是隨機存取記憶體的縮寫。在電腦領域中，記憶體一般指儲存裝置 (SSD 固態硬碟/HDD 傳統硬碟) 與處理器之間，可進行快速存取的暫存記憶體。現今的記憶體主要是揮發性記憶體，代表沒有電源就無法儲存資訊。
Rank
Rank 是 64 位元寬的資料區塊。位元數是根據 bank 數而定，而非 DRAM 晶片 (即 8 個 x8 晶片組成 64 位元以建立 1 個 Rank)。記憶體模組可由多個 RANK 所組成，但一次只能存取一個 RANK 的資料。
RAS
在電腦領域中，RAS 有幾種不同的意思。首先，RAS 是 Row Address Strobe 的縮寫，是指從處理器到記憶體的列啟用請求。RAS 也可以指可靠性、可用性和可維護性。這些晶片組的功能，例如 ECC、DIMM Sparing、鎖步 (Lock-step) 和鏡像等，可為 記憶體提供更多彈性餘裕。RAS 功能最常用於工作站和伺服器等級的系統。
暫存器 DIMM / RDIMM (Registered DIMM)
暫存器 DIMM (RDIMM) 是支援 ECC 功能的伺服器等級記憶體模組，其中具備暫存器元件。大多數伺服器晶片組需要使用 RDIMM 作為其主要系統記憶體。對 DDR5 來說，模組鍵 (缺口) 的位置與無緩衝 DIMM (UDIMM) 不同，可防止其安裝到不相容系統的插槽中。
相容於 AMD Ryzen™
AMD 自行認證測試計劃，用於在 AMD Ryzen 電腦系統上進行超頻。
暫存器 (Register)
暫存器 (Register) 是 Registered Clock Driver (RCD) 的縮寫，充當模組上記憶體元件和記憶體控制器之間的緩衝區。暫存器讓模組上能使用更多記憶體元件，以獲得更高的容量。暫存器管理模組上記憶體的命令和位址訊號，使用一個額外的時脈週期來及時同步資料。
RGB
RGB 是紅色、綠色和藍色的字母縮寫，RGB LED 可用來創造圖案燈效。對記憶體領域來說，RGB LED 是整合在模組上的一個部分，出於美觀目的而置於散熱片中的下方。 請查看我們具有 RGB 功能的產品。
SATA
Serial Advanced Technology Attachment 的縮寫，是一種可連接到硬碟和 SSD 固態硬碟等大容量儲存裝置的電腦匯流排介面。
SD 記憶卡
一種記憶卡，一般用於數位相機和其他可攜式裝置。 請查看我們的 SD 記憶卡產品線。
SD 速度等級
SD 協會所建立的標準，製造影片錄製產品的公司在將資料記錄到記憶卡時需要一定寫入速度需求，而針對此需求制定出最低資料傳輸評等。針對記憶卡和裝置的 SD 速度等級、UHS 速度等級 和影片速度等級進行標準化，以保證最低寫入速度並提供最佳性能。
SDRAM / 同步動態隨機存取記憶體
SDRAM 是 Synchronous DRAM 的縮寫，意思是同步動態隨機存取記憶體，是現今大多數電腦使用的主要記憶體技術。這種記憶體技術最早出現在 1990 年代後期，將資料傳輸與系統時脈同步，藉此大幅提高了效能。
Server Premier
Server Premier 是 Kingston 的產業標準記憶體產品系列，適用於具有 ECC 的模組，一般用於伺服器和工作站，零件編號以「KSM」開頭。
SIMM / 單列直插式記憶體模組
SIMM 是 Single In-line Memory Module 的縮寫，意思是單列直插式記憶體模組，目前對製造商來說已經是一種舊型記憶體模組。SIMM 一般限制在 32 位元資料頻寬，不支援從模組針腳的每一側進行各別存取資料。
系統封裝 (SIP)
系統封裝 (SiP) 是將多個積體電路 (IC) 和被動元件封裝成一單一封裝，並可使用封裝進行堆疊。其通常用於 SSD 固態硬碟、USB 隨身碟、SD 記憶卡和手機中等等。
SODIMM / SO-DIMM
SODIMM 是小外形雙列直插式記憶體模組 (Small Outline DIMM) 的縮寫。SODIMM 與 DIMM 類似，但尺寸更小，主要用於筆記型電腦和小外觀尺寸電腦。
SPD / 序列存在檢測
SPD 是序列存在檢測 (Serial Presence Detect) 的縮寫。SPD 是一個 EEPROM，這是記憶體模組上的一個晶片，用來儲存模組相關規格的資訊。
傳輸速率
對記憶體領域來說，傳輸速率一般是指模組的資料傳輸速率。所有不同代的 DDR 均以每秒百萬次傳輸 (MT/s) 來表示傳輸速率。記憶體傳輸速率可寫成幾種方式：DDR5-4800、PC5-38400 或 4800MT/s DDR5。也可以用模組的傳輸速率乘以 8，來確認模組的有效頻寬。例如，DDR5-4800 的有效頻寬為 38,400MB/s 或 38.4GB/s。這就是每秒資料傳出/輸入模組的傳輸速率峰值。
請參閱「SD 速度等級」一節，了解更多 SD 記憶卡和 microSD 記憶卡速度等級的資訊。
速度等級 (等級 4、6、10)
SD 協會針對不同類型的外接記憶卡 (SD、microSD) 的速度等級進行標準化。稱為「速度等級」，並規定其最低的持續寫入速度。記憶卡等級可分為等級 4 (4MB/s)、等級 6 (6MB/s) 和等級 10 (10MB/s)。 瞭解更多。
SSD 固態硬碟
固態硬碟，一種由快閃記憶體晶片所構成的儲存裝置，由快閃控制器讀取和寫入資料，與傳統硬碟由機械致動器讀取和寫入有別。由於缺少機械零組件，SSD 固態硬碟因而比 HDD 傳統硬碟執行更順暢且更有效率。SSD 固態硬碟相對於 HDD 傳統硬碟的另一個優勢是不易受到電磁干擾。 請查看我們的 SSD 固態硬碟產品線。
強大 ECC 引擎
當透過快閃記憶體控制器將資料從電腦主機傳送至 NAND 儲存裝置時，NAND 快閃記憶體必須維持資料完整性。從主機傳輸至記憶卡的資料，在實際寫入至 NAND 快閃儲存裝置前，通常被稱為「data in flight」或「data in transit」。快閃控制器採用「錯誤修正」技術 (稱為「糾錯碼 (ECC)」)，來偵測並糾正可能影響資料傳輸的大多數錯誤。快閃記憶體晶片則整合了其他錯誤修正資訊，以及寫入每個區塊的資料；此資訊可讓快閃控制器在讀取資料區塊時同時修正許多錯誤。NAND 快閃記憶體會和硬碟一樣，在正常作業期間發生位元錯誤，但可即時透過ECC 資料修正該類錯誤。如果 NAND 裝置在資料區域中有過多錯誤，則會將該區塊標記為「錯誤區塊、已停用」，並輪換一個備用區塊來使用。在此過程期間，如有需要仍會使用 ECC 修正資料。使用「備用區塊」可延長 SSD 固態硬碟的使用壽命和耐用度。
了解 Kingston SSD 固態硬碟中的錯誤檢測和更正的詳細資訊。
子通道
對記憶體領域來說，指 DDR5 記憶體模組將 64 位元位址分成兩個 32 位元區段來提高效率。
UDIMM / 無緩衝 DIMM (Unbuffered DIMM)
沒有暫存器或緩衝區的記憶體模組。無緩衝模組傳統上是用於桌上型電腦和筆記型電腦。
UHS-I 影片速度等級
錄製影片的速度等級以相關媒體最低寫入速度一個字母和一個數字來表示。速度等級 V30 的最小寫入速度為 30MB/s。
無緩衝
模組上無寄存器等資料緩衝區。
U.2
針對企業級市場所設計，用於連接 SSD 固態硬碟的電腦介面標準。一般採用 2.5 吋外觀尺寸設計，能提供比 M.2 更多的儲存空間。
UHS-I
UHS-I 是 SDHC 和 SDXC 記憶卡的速度等級。UHS-I 的匯流排介面速度最高可達 104 MB/s。
UHS-II
UHS-II 是 SDHC 和 SDXC 記憶卡的速度等級。UHS-I 的匯流排介面速度最高可達 312 MB/s。UHS-II 與第一個版本 (UHS-I) 的差異之處在於增加第二排針腳，採用低電壓差分訊號 (LVDS) 來達到更高的效率。
UHS 速度等級 (U1、U3)
UHS 是規定影片錄製時的最低持續寫入效能。SD 協會建立了兩個 UHS 速度等級：UHS 速度等級 1、UHS 速度等級 3。UHS 速度等級 1 支援至少 10MB/s 的寫入速度，而 UHS 速度等級 3 支援至少 30MB/s 的寫入速度。UHS 速度等級以字母 U 和數字 1 或 3 來表示。 瞭解更多
USB
通用序列匯流排 (USB) 是一種標準介面，允許裝置和主機控制器 (例如 PC 或智慧型手機) 之間進行連接。其可連接週邊設備，例如數位相機、滑鼠、鍵盤、印表機、掃描器、媒體裝置、外接硬碟和快閃儲存裝置。
USB 3.2 Gen 1 (5Gbps)/USB 3.2 Gen 2 (10Gbps)/USB 3.2 Gen 2x2/USB 4
這些 USB 標準的差異之處在於資料傳輸速率。USB 3.2 Gen 1 支援高達 5Gbit/s 的速度、USB 3.2 Gen 2 支援高達 10Gbit/s 的速度、USB 3.2 Gen 2x2 支援高達 20Gbit/s 的速度、USB4 支援高達 40Gbit/s 的速度。如需更多資訊，瞭解更多。
影片速度等級 (V10、V30、V60、V90)
影片速度等級是由 SD 協會所建立，用來分類可在較高影片解析度下執行及執行錄製功能的記憶卡。此速度等級能保證錄製影片的最低持續效能。速度等級包括 V6、V10、V30、V60 和 V90。速度等級 V90 表示記憶卡的最低寫入速度需達到 90Mb/s，而速度等級 V30 則須達到 30MB/s，以此類推。如需更多資訊，瞭解更多。
ValueRAM
Kingston 用於非 ECC 類別 DIMM 和 SODIMM 的產業標準記憶體產品系列，傳統上用於白牌桌上型電腦和筆記型電腦。
VLP / 半高式 (Very Low Profile)
VLP 是指用於薄型系統的記憶體模組高度的 JEDEC 類別。對於 DDR3 和 DDR4，VLP UDIMM 和 VLP RDIMM 的高度規格為 18.75mm。標準尺寸的 DDR3 (30.00mm) 和 DDR4/DDR5 DIMM (31.25mm) 是較「低」的尺寸。
平均耗損技術
Kingston 快閃儲存裝置整合採用進階平均耗損技術的控制器，可平均分配快閃記憶體各處的 P/E 循環 (程式/清除) 數目。因此，平均耗損技術能延長快閃記憶卡的使用壽命。
x16
對記憶體領域來說，x16 指 DRAM 晶片的資料頻寬 (x16 是 16 位元頻寬)。x16 DRAM 用於 UDIMM 和 SODIMM，且僅限於配備支援此類 DRAM 的處理器的桌上型電腦和筆記型電腦。
x4
對記憶體領域來說，x4 指 DRAM 晶片的資料頻寬 (x4 是 4 位元頻寬)。x4 DRAM 主要用於 RDIMM 和 LRDIMM，採用這些晶片的模組可支援多位元錯誤檢測和校正 ECC。
x64
對記憶體領域來說，x64 表示 64 位元。這是完成 1 個 Rank 所需的合計頻寬。
x72
對記憶體領域來說，x72 表示 72 位元。這表示模組具有 64 位元位址再加上 8 位元，可支援 ECC 功能。x72 用於 DDR3、DDR4 和一些 DDR5 模組的 RDIMM、ECC UDIMM、ECC SODIMM 和 LRDIMM 的模組頻寬。x72 的 DDR5 模組也稱為 EC4。
x8
對記憶體領域來說，x8 指 DRAM 晶片的資料頻寬 (x8 是 8 位元頻寬)。x8 DRAM 用於所有類型的記憶體模組，包括 RDIMM。
x80
對記憶體領域來說，x80 表示 80 位元。這特定指 DDR5 EC8 類型模組。DDR5 模組具有兩個獨立的 32 位元子通道，每個子通道可以具備一個額外的 8 位元以支援 ECC，總計會有 40 位元。兩者相加，每一個 RANK 總計為 80 位元。
XMP
Intel Extreme Memory Profile，超頻模組上的預先程式化時序。 瞭解更多。
XTS-AES
全名是 XEX 可微調的區塊密文竊取進階加密標準 (XEX Tweakable Block Ciphertext Stealing Advanced Encryption Standard)，就功能而言是指 128 位元以上資料單位的可微調分組加密方式，使用 AES 分組加密作為子程式。這是一種高度安全的加密模式，現由許多行政單位和企業所使用。