Supermicro - SuperServer 1018R-WC0R (Super X10SRW-F)
-
Standard
0 GB (Removable)
-
Massimo
256 GB Reg ECC RDIMMs
512 GB LRDIMMs
-
CPU 1:
-
Architettura bus
USB 2.0/3.x Type-A
PCI Express
SSD - SATA 2.5-inch 9.5mm
-
8 Socket(s)
-
Intel Xeon E5-2600 v4/v3 Series Intel C610 Series
Intel Xeon E5-1600 v/v3 Series Intel C610 Series
SYS-1018R-WC0R
Note importanti sulla configurazione
- Faster memory will clock down to run at optimal speed and voltage depending on processor model and number of modules installed.
- Kingston recommends installing K4 kits for optimal quad channel performance configurations.
- Registered RDIMM and Load Reduced LRDIMM memory modules CANNOT be mixed within the same system. The Intel E5-1600 only supports Registered RDIMMs.
- Mixing x4 and x8 modules is allowed, however not within the same bank.
Upgrade compatibili per i vostri sistemi
- Server Premier
- Drive allo stato solido
-
Numero di parte: KSM26RD4/32HDI
- Numero di parte: KSM26RD4/32HDI
- DDR4 2666MT/s ECC Registered DIMM CL19 2RX4 1.2V 288-pin 8Gbit Hynix D IDT/Renesas
- Scheda tecnica - PDF
- PCN
DDR4 2666MT/s ECC Registered DIMM CL19 2RX4 1.2V 288-pin 8Gbit Hynix D IDT/Renesas
-
Numero di parte: KSM26RD4/32MRR
- Numero di parte: KSM26RD4/32MRR
- DDR4 2666MT/s ECC Registered DIMM CL19 2RX4 1.2V 288-pin 8Gbit Micron R Rambus
- Scheda tecnica - PDF
- PCN
DDR4 2666MT/s ECC Registered DIMM CL19 2RX4 1.2V 288-pin 8Gbit Micron R Rambus
-
Numero di parte: KSM26RD8/16HDI
- Numero di parte: KSM26RD8/16HDI
- DDR4 2666MT/s ECC Registered DIMM CL19 2RX8 1.2V 288-pin 8Gbit Hynix D IDT/Renesas
- Scheda tecnica - PDF
- PCN
DDR4 2666MT/s ECC Registered DIMM CL19 2RX8 1.2V 288-pin 8Gbit Hynix D IDT/Renesas
-
Numero di parte: KSM26RD8/16MRR
- Numero di parte: KSM26RD8/16MRR
- DDR4 2666MT/s ECC Registered DIMM CL19 2RX8 1.2V 288-pin 8Gbit Micron R Rambus
- Scheda tecnica - PDF
- PCN
DDR4 2666MT/s ECC Registered DIMM CL19 2RX8 1.2V 288-pin 8Gbit Micron R Rambus
-
Numero di parte: KSM26RS4/16HDI
- Numero di parte: KSM26RS4/16HDI
- DDR4 2666MT/s ECC Registered DIMM CL19 1RX4 1.2V 288-pin 8Gbit Hynix D IDT/Renesas
- Scheda tecnica - PDF
- PCN
DDR4 2666MT/s ECC Registered DIMM CL19 1RX4 1.2V 288-pin 8Gbit Hynix D IDT/Renesas
-
Numero di parte: KSM26RS4/16MRR
- Numero di parte: KSM26RS4/16MRR
- DDR4 2666MT/s ECC Registered DIMM CL19 1RX4 1.2V 288-pin 8Gbit Micron R Rambus
- Scheda tecnica - PDF
- PCN
DDR4 2666MT/s ECC Registered DIMM CL19 1RX4 1.2V 288-pin 8Gbit Micron R Rambus
-
Numero di parte: KSM26RS8/8HDI
- Numero di parte: KSM26RS8/8HDI
- DDR4 2666MT/s ECC Registered DIMM CL19 1RX8 1.2V 288-pin 8Gbit Hynix D IDT/Renesas
- Scheda tecnica - PDF
- PCN
DDR4 2666MT/s ECC Registered DIMM CL19 1RX8 1.2V 288-pin 8Gbit Hynix D IDT/Renesas
-
Numero di parte: KSM26RS8/8MRR
- Numero di parte: KSM26RS8/8MRR
- DDR4 2666MT/s ECC Registered DIMM CL19 1RX8 1.2V 288-pin 8Gbit Micron R Rambus
- Scheda tecnica - PDF
- PCN
DDR4 2666MT/s ECC Registered DIMM CL19 1RX8 1.2V 288-pin 8Gbit Micron R Rambus
-
Numero di parte: SEDC600M/1920G
- Numero di parte: SEDC600M/1920G
- Progettata appositamente per i data center
- Funzionalità PLP (Power loss protection) integrate
- Latenze e IOPS costanti e uniformi e QoS altamente affidabili
- Include Software di clonazione Acronis
- Fino a 560MB/s in lettura e 530MB/s in scrittura
- Ulteriori informazioni
-
Numero di parte: SKC600/2048G
- Numero di parte: SKC600/2048G
- Include Software di clonazione Acronis
- SATA Rev 3.0
- Crittografia XTS-AES 256-bit, TCG Opal 2.0, eDrive
- Tecnologia TLC NAND 3D
- Fino a 550MB/s in lettura e 520MB/s in scrittura
- Ulteriori informazioni
-
Numero di parte: SA400S37/480G
- Numero di parte: SA400S37/480G
- SATA Rev 3.0
- 500 MB/s in lettura, 450 MB/s in scrittura
- Include Software di clonazione Acronis
- Ulteriori informazioni
-
Numero di parte: SEDC600ME/960G
- Numero di parte: SEDC600ME/960G
- Progettato appositamente per i data center
- Funzionalità PLP (Power loss protection) integrate
- Latenza ridotta e IOPS costanti
- Include Acronis cloning software
- Crittografia AES 256-bit, TCG Opal 2.0
- 560MB/s in lettura, 530MB/s in scrittura
- Ulteriori informazioni