Huawei/xFusion - RH8100 V3 Server (DDR4)
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Massimo
3 TB Reg ECC RDIMMs
12 TB LRDIMMs
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Slots for Compute Modules (CM):
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Compute Modue (CM):
Memory Board 1:
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Memory Board 2:
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Architettura bus
SSD - SATA 2.5-inch 9.5mm
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8 Slot(s) for Compute Modues (CM)
24 Socket(s) per Compute Modue (CM)
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Intel Xeon E7-8800 v3/v4 Series
Note importanti sulla configurazione
- Faster memory will clock down to run at optimal speed depending on processor model and number of modules installed.
- Kingston offers both Registered RDIMM and Load Reduced LRDIMM memory modules. Registered and Load Reduced modules CANNOT be mixed within the same system.
- Compute Modules (CM) can support up to two memory boards, each memory board has twelve DIMM sockets (3 banks of 4)
Upgrade compatibili per i vostri sistemi
- Server Premier
- Drive allo stato solido
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Numero di parte: KSM26RD4/32HDI
- Numero di parte: KSM26RD4/32HDI
- DDR4 2666MT/s ECC Registered DIMM CL19 2RX4 1.2V 288-pin 8Gbit Hynix D IDT/Renesas
- Scheda tecnica - PDF
- PCN
DDR4 2666MT/s ECC Registered DIMM CL19 2RX4 1.2V 288-pin 8Gbit Hynix D IDT/Renesas
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Numero di parte: KSM26RD4/32MRR
- Numero di parte: KSM26RD4/32MRR
- DDR4 2666MT/s ECC Registered DIMM CL19 2RX4 1.2V 288-pin 8Gbit Micron R Rambus
- Scheda tecnica - PDF
- PCN
DDR4 2666MT/s ECC Registered DIMM CL19 2RX4 1.2V 288-pin 8Gbit Micron R Rambus
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Numero di parte: KSM26RD8/16HDI
- Numero di parte: KSM26RD8/16HDI
- DDR4 2666MT/s ECC Registered DIMM CL19 2RX8 1.2V 288-pin 8Gbit Hynix D IDT/Renesas
- Scheda tecnica - PDF
- PCN
DDR4 2666MT/s ECC Registered DIMM CL19 2RX8 1.2V 288-pin 8Gbit Hynix D IDT/Renesas
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Numero di parte: KSM26RD8/16MRR
- Numero di parte: KSM26RD8/16MRR
- DDR4 2666MT/s ECC Registered DIMM CL19 2RX8 1.2V 288-pin 8Gbit Micron R Rambus
- Scheda tecnica - PDF
- PCN
DDR4 2666MT/s ECC Registered DIMM CL19 2RX8 1.2V 288-pin 8Gbit Micron R Rambus
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Numero di parte: KSM26RS4/16HDI
- Numero di parte: KSM26RS4/16HDI
- DDR4 2666MT/s ECC Registered DIMM CL19 1RX4 1.2V 288-pin 8Gbit Hynix D IDT/Renesas
- Scheda tecnica - PDF
- PCN
DDR4 2666MT/s ECC Registered DIMM CL19 1RX4 1.2V 288-pin 8Gbit Hynix D IDT/Renesas
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Numero di parte: KSM26RS4/16MRR
- Numero di parte: KSM26RS4/16MRR
- DDR4 2666MT/s ECC Registered DIMM CL19 1RX4 1.2V 288-pin 8Gbit Micron R Rambus
- Scheda tecnica - PDF
- PCN
DDR4 2666MT/s ECC Registered DIMM CL19 1RX4 1.2V 288-pin 8Gbit Micron R Rambus
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Numero di parte: KSM26RS8/8HDI
- Numero di parte: KSM26RS8/8HDI
- DDR4 2666MT/s ECC Registered DIMM CL19 1RX8 1.2V 288-pin 8Gbit Hynix D IDT/Renesas
- Scheda tecnica - PDF
- PCN
DDR4 2666MT/s ECC Registered DIMM CL19 1RX8 1.2V 288-pin 8Gbit Hynix D IDT/Renesas
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Numero di parte: KSM26RS8/8MRR
- Numero di parte: KSM26RS8/8MRR
- DDR4 2666MT/s ECC Registered DIMM CL19 1RX8 1.2V 288-pin 8Gbit Micron R Rambus
- Scheda tecnica - PDF
- PCN
DDR4 2666MT/s ECC Registered DIMM CL19 1RX8 1.2V 288-pin 8Gbit Micron R Rambus
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Numero di parte: KSM32LQ4/128HC
- Numero di parte: KSM32LQ4/128HC
- DDR4 3200MT/s ECC Load Reduced DIMM CL22 4RX4 1.2V 288-pin 32GbitDDP Hynix C
- Scheda tecnica - PDF
DDR4 3200MT/s ECC Load Reduced DIMM CL22 4RX4 1.2V 288-pin 32GbitDDP Hynix C
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Numero di parte: SEDC600M/1920G
- Numero di parte: SEDC600M/1920G
- Progettata appositamente per i data center
- Funzionalità PLP (Power loss protection) integrate
- Latenze e IOPS costanti e uniformi e QoS altamente affidabili
- Include Software di clonazione Acronis
- Fino a 560MB/s in lettura e 530MB/s in scrittura
- Ulteriori informazioni
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Numero di parte: SEDC600ME/1920G
- Numero di parte: SEDC600ME/1920G
- Progettato appositamente per i data center
- Funzionalità PLP (Power loss protection) integrate
- Latenza ridotta e IOPS costanti
- Include Acronis cloning software
- Crittografia AES 256-bit, TCG Opal 2.0
- 560MB/s in lettura, 530MB/s in scrittura
- Ulteriori informazioni