Розшифровка номерів пам'яті Kingston

Дізнайтеся, як розшифрувати артикули модулів пам'яті Kingston^® лінійок Kingston FURY^™, Server Premier^™, ValueRAM^® для поколінь пам'яті DDR5, DDR4 та DDR3 — це допоможе визначати основні характеристики модулів.

Артикул: KF560C36BBE2AK2-32

KF = лінійка продукції

KF – Kingston FURY

5 = Покоління

5 – DDR5

60 = швидкість (МТ/с)

52 – 5200
56 – 5600
60 – 6000
64 – 6400
68 – 6800
72 – 7200
76 – 7600
80 – 8000
84 – 8400

C = тип модуля

C – UDIMM (небуферований без ECC)
S – SODIMM (небуферований без ECC)
R – EC8 RDIMM (x80)
CU – CUDIMM (небуферований, з тактовим драйвером, без ECC)

36 = Затримка CAS

30 – CL30
32 – CL32
36 – CL36
38 – CL38
40 – CL40

B = серія

B – Beast
I – Impact
R – Renegade

B = Колір тепловідводу

B – чорний
S – чорно-сріблястий
W – білий або біло-сріблястий

E = Тип Профіль

не зазначено - Intel XMP / Plug and Play
E - AMD EXPO

2 = ревізія

не зазначено – початкова ревізія
2 – друга ревізія
3 – третя ревізія

A = RGB

не зазначено – без RGB-підсвітлення
А – RGB-підсвітлення

K2 = комплект + кількість одиниць

не зазначено – одиночний модуль
К2 – комплект із 2 модулів
K4 - комплект із 4 модулів
K8 - комплект із 8 модулів

32 = загальна ємність комплекту

8 – 8 ГБ
16 – 16 ГБ
24 – 24 ГБ
32 – 32 ГБ
48 – 48 ГБ
64 – 64 ГБ
96 – 96 ГБ
128 – 128 ГБ
256 – 256 ГБ

Part Number: KSM56R46BD4PMI-64HAI

KSM = лінійка продукції

KSM - Kingston Server Premier

56 = швидкість (MT/s)

48 – 4800
52 – 5200
56 – 5600
64 – 6400

R = тип модуля

E – EC4 UDIMM (x72)
T – EC4 SODIMM (x72)
P – EC4 RDIMM (x72)
R – EC8 RDIMM (x80)
B – EC4 CUDIMM (x72)
W – EC4 CSODIMM (x72)

46B = затримка CAS

40B – CL40-39-39
42B – CL42-42-42
46B – CL46-45-45
52B – CL52-52-52

D = ренки

S – одноренковий
D – дворенковий
Q – чотириренковий

4 = організація чіпів пам’яті

4 – x4
8 – x8

P = виробник PMIC

I – Renesas
M – Montage
P – MPS
K – RichTek
T – TI
Без позначення – не регламентований

M = виробник SPD хабу

I – Renesas
M – Montage
R – Rambus
Без позначення – не регламентований

I = виробник датчику температури

I – Renesas
M – Montage
P – MPS
R – Rambus
Без позначення – не фіксований

64 = загальна ємність

16 – 16 ГБ
24 – 24 ГБ
32 – 32 ГБ
48 – 48 ГБ
64 – 64 ГБ
96 – 96 ГБ
128 – 128 ГБ

H = виробник чіпів пам'яті

H – SK Hynix
M – Micron
S – Samsung

A = ревізія кристалу чіпів пам'яті

A – A Die
B – B Die
C – C Die
D – D Die
E – E Die
M – M Die

I = виробник регістру

I – Renesas
M – Montage
R – Rambus
Без позначення – не фіксований

Артикул: KVR56U46BD8-32

KVR = лінійка продукції

KVR – Kingston ValueRAM

56 = швидкість (МТ/с)

48 – 4800
52 – 5200
56 – 5600
64 – 6400

U = тип модуля

U – DIMM (небуферизований, без ЕСС)
S – SODIMM (небуферизований, без ЕСС)
A – CUDIMM (небуферований, з тактовим драйвером, без ECC)
V – CSODIMM (небуферований, з тактовим драйвером, без ECC)

46B = затримка CAS

40B – CL40
42B – CL42
46B – CL46
52B – CL52

D = ренки

S – 1-ренковий
D – 2-ренковий

8 = організація чіпів пам'яті

8 – x8
6 – x16

K2 = комплект + кількість одиниць

не зазначено – одиночний модуль
K2 – комплект з 2 модулів
K4 – комплект з 4 модулів

32 = загальна ємність комплекту

8 – 8 ГБ
16 – 16 ГБ
32 – 32 ГБ
48 – 48 ГБ
64 – 64 ГБ
96 – 96 ГБ

X = пакування

не зазначено – стандартне пакування
ВК – групове пакування

Артикул: KF432C16BB12AK2/32

KF = лінійка продукції

KF - Kingston FURY

4 = покоління

3 - DDR3
4 - DDR4

32 = швидкість (MT/c)

16 - 1600 (1,5 B)
16L - 1600 (1,35 B)
18 - 1866 (1,5 B)
18L - 1866 (1,35 B)
26 - 2666
32 - 3200
36 - 3600
37 - 3733
40 - 4000
42 - 4266
46 - 4600
48 - 4800
50 - 5000
51 - 5133
53 - 5333

C = тип модуля

C - UDIMM (небуферизований, без ЕСС)
S - SODIMM (небуферизований, без ЕСС)

16 = затримка CAS

9 - CL9
10 - CL10
11 - CL11
13 - CL13
15 - CL15
16 - CL16
17 - CL17
18 - CL18
19 - CL19
20 - CL20

B = серія

B - Beast
I - Impact
R - Renegade

B = колір теплорозподільника

не зазначено – синій
В – чорний
R - червоний
W - білий

1 = Конфігурація модуля 16 ГБ

Порожній – 2Gx8
1 – 1Gx8

2 = ревізія

не зазначено – початкова ревізія
2 – 2 ревізія
3 – 3 ревізія
4 – 4 ревізія

A = RGB

не зазначено – без RGB-підсвітлення
А – RGB-підсвітлення

K2 = комплект + кількість одиниць

не зазначено – одиночний модуль
К2 – комплект із 2 модулів
К4 – комплект із 4 модулів
К8 – комплект із 8 модулів

32 = загальна ємність комплекту

4 - 4 ГБ
8 - 8 ГБ
16 - 16 ГБ
32 - 32 ГБ
64 - 64 ГБ
128 - 12 ГБ
256 - 256 ГБ

Артикул: KSM32RD4/32HDR

KSM = лінійка продукції

KSM – Kingston Server Premier

32 = швидкість (MT/c)

24 – 2400
26 – 2666
29 – 2933
32 – 3200

R = тип модуля

E – UDIMM (небуферований, з ECC)
SE – SODIMM (небуферований, з ECC)
L – RDIMM (регістровий DIMM з ECC)
R – LRDIMM (DIMM зі зниженим навантаженням)

D = ренки

S – один
D – два
Q – чотири

4 = організація чіпів пам’яті

4 – x4
8 – x8

L = профіль

L – дуже низький профіль (VLP)

32 = загальна ємність

8 – 8 ГБ
16 – 16 ГБ
32 – 32 ГБ
64 – 64 ГБ
128 – 128 ГБ

H = виробник чіпів пам'яті

H – SK Hynix
M – Micron
S – Samsung

D = ревізія кристалу чіпів пам'яті

A – A-Die
B – B-Die
C – C Die
D – D Die
E – E-Die

R = виробник регістру

I – Renesas
M – Montage
R – Rambus
Без позначення – не фіксований

Артикул: KVR32N22D8/32

KVR = Product Line

KVR – Kingston ValueRAM

22 = швидкість (MT/c)

21 – 2133
24 – 2400
26 – 2666
29 – 2933
32 – 3200

R = тип модуля

N – DIMM (небуферований, без ECC)
S – SODIMM (небуферований, без ECC)
E – ECC UDIMM (небуферований, з ECC)
SE – SODIMM (небуферований, з ECC)
R – RDIMM (регістровий DIMM з ECC)
L – LRDIMM (DIMM зі зниженим навантаженням)

22 = затримка CAS

15 – CL15
19 – CL19
22 – CL22

D = ренки

S – 1-ренковий
D – 2-ренковий
Q – 4-ренковий

8 = організація чипів пам'яті

4 – x4
8 – x8
6 – x16

L = висота модулю

не зазначено – будь-яка висота
L – 18,75 мм (VLP)

K2 = комплект + кількість модулів у комплекті

не зазначено – одиночний модуль
К2 – комплект із 2 модулів
К3 – комплект із 3 модулів

32 = загальна ємність комплекту

4 – 4GB
8 – 8GB
16 – 16GB
32 – 32GB

H = виробник чипів пам'яті

H – SK Hynix
M – Micron
S – Samsung
K – Kingston

B = ревізія

B – ревізія В

I = сертифікація Intel

I – сертифікація Intel

Артикул: CBD56S46BD8HA-32

CBD = лінійка продукції

CBD – модуль пам'яті Kingston Design-in

56 = швидкість (МТ/с)

48 – 4800
52 – 5200
56 – 5600
64 – 6400

S = тип модуля

U – DIMM (без буферизації без ECC)
S – SODIMM (без буферизації без ECC)
A – CUDIMM (небуферований, з тактовим драйвером, без ECC)
V – CSODIMM (небуферований, з тактовим драйвером, без ECC)

46B = затримка CAS

40B – CL40-39-39
42B – CL42-42-42
46B – CL46-45-45
52B – CL52-52-52

D = ренки

S – одноренковий
D – дворенковий

8 = організація чипів пам’яті

8 – x8
6 – x16

H = виробник чипів пам’яті

H – SK Hynix
M – Micron
S – Samsung

A = ревізія кристалу чипів пам’яті

A – A Die
B – B Die
M – M Die

32 = загальна ємність

8 – 8 ГБ
16 – 16 ГБ
32 – 32 ГБ
64 – 64 ГБ

Артикул: CBD32D4U2D8HD-16

CBD = лінійка продукції

CBD – модуль пам'яті Kingston Design-in

32 = швидкість (МТ/с)

21 – 2133
24 – 2400
26 – 2666
32 – 3200

D4 = технологія

D4 – DDR4

U = технологія

U – DIMM (без буферизації без ECC)
S – SODIMM (без буферизації без ECC)

2 = затримка CAS

5 – CL15-15-15
7 – CL17-17-17
9 – CL19-19-19
2 – CL22-22-22

D = ренки

S – одноренковий
D – дворенковий

8 = організація чипів пам’яті

8 – x8
1 – x16

H = виробник чипів пам'яті

H – SK Hynix
M – Micron
S – Samsung
N – Nanya
K – Kingston

D = ревізія кристалу чипів пам’яті

A – A Die
B – B Die
C – C Die
D – D Die
E – E Die
F – F Die
H – H Die
J – J Die
R – R Die

V = тип друкованої плати

Чорний – Flash Gold
H – Hard Gold
V – низькопрофільна

16 = загальна ємність

4 – 4 ГБ
8 – 8 ГБ
16 – 16 ГБ
32 – 32 ГБ

Артикул: CBD16D3LFU1KBG/2G

CBD = лінійка продукції

CBD – модуль пам'яті Kingston Design-in

16 = швидкість (МТ/с)

16 – 1600

D3L = технологія

D3 – DDR3 (1,5 В)
D3L – DDR3L (1,35 В / 1,5 В)

F = організація чипів пам’яті

Пропущений – x8
F – x16

U = тип модуля

U – DIMM (без буферизації без ECC)
S – SODIMM (без буферизації без ECC)

1 = затримка CAS

1 – CL11-11-11

K = виробник чипів пам’яті

S – Samsung
K – Kingston

B = ревізія кристалу чипів пам’яті

B – B Die
D – D Die
E – E Die

G = тип друкованої плати

L – низькопрофільна
G – зелена (відповідає вимогам RoHS)
H – Hard Gold

2G = загальна ємність

2G – 2 ГБ
4G – 4 ГБ
8G – 8 ГБ

Артикул: KVR16S11S8/4

KVR = лінійка продукції

KVR – Kingston ValueRAM

16 = швидкість (MT/c)

16 – 1600
13 – 1333
10 – 1066

L = напруга живлення

не зазначено – 1,5 В
L – 1,35 В
U – 1,25 В

S = тип модуля

N – DIMM (небуферований, без ECC)
S – SODIMM (небуферований, без ECC)
E – ECC UDIMM (небуферований, з ECC)
SE – SODIMM (небуферований, з ECC)
R – RDIMM (регістровий DIMM з ECC)
L – LRDIMM (DIMM зі зниженим навантаженням)

11 = затримка CAS

11 – CL11-11-11

D = ренки

S – 1-ренковий
D – 2-ренковий
Q – 4-ренковий

8 = організація чипів пам'яті

4 – x4
8 – x8

L = висота модулю

L – 18,75 мм (VLP)
H – 30 мм

K2 = комплект + кількість модулів у комплекті

К2 – комплект з 2 модулів
К3 – комплект з 3 модулів
К4 – комплект з 4 модулів

4 = загальна ємність комплекту

4 – 4 ГБ
8 – 8 ГБ
12 – 12 ГБ
16 – 16 ГБ
24 – 24 ГБ
32 – 32 ГБ
48 – 48 ГБ
64 – 64 ГБ

H = виробник чипів пам'яті та сертифікація

H – SK Hynix
E – Elpida
I – сертифікація Intel

B = ревізія чіпів пам'яті

B – B-Die

Артикул: KVR1066D3LD8R7SLK2/4GHB

KVR
1066
D3
L
D
8
R
7
S
L
K2
/
4G
H
B

KVR = Kingston ValueRAM

KVR - Kingston ValueRAM

1066 = швидкість (MT/c^*)

1066: швидкість

D3 = покоління

D2 - DDR2
D3 - DDR3

L = напруга живлення

не зазначено: 1,5 В
L: 1,35 В
U: 1,25 В

D = ренки

S: 1-ренковий
D: 2-ренковий
Q: 4-ренковий

8 = Артикул

4: чипи x4
8: чипи x8

R = тип модуля

N: небуферований DIMM без ECC
E: небуферований ECC DIMM
P: регістровий DIMM (RDIMM) з контролем парності в регістрі
R: регістровий DIMM (RDIMM) з контролем парності адрес та команд
F: FBDIMM
S: SODIMM
M: Mini-DIMM
U: Micro-DIMM

7 = затримка CAS

7: CL7

S = наявність термодатчика

не зазначено: без термодатчика
S: з термодатчиком

L = висота модулю

не зазначено: може бути різною
L: 18,75 мм(VLP)
H: 30 мм

K2 = комплект + кількість модулів у комплекті

не зазначено: одиночний модуль
К2: комплект із 2 модулів
К3: комплект із 3 модулів

4G = загальна ємність комплекту

4G: 4 ГБ

H = DRAM MFGR

H: DRAM MFGR

B = ревізія

B: ревізія

Латентність (таймінги)

Нижченаведена інформація допоможе проілюструвати різні налаштування, які можна регулювати під час встановлення оптимальних за продуктивністю таймінгів оперативної пам’яті в BIOS системної плати. Зверніть увагу, що ці налаштування можуть відрізнятися залежно від виробника та моделі системної плати, а також від версії мікропрограми

Приклад

tRCD

tRP/tRCP

tRA/tRD/tRAS

CAS-латентність (CL): затримка між активацією та читанням рядка.

Затримка RAS-CAS (tRCD): затримка перед активацією рядка

Затримка передзаряду рядка або затримка передзаряду RAS (tRP/tRCP): затримка, протягом якої рядок не доступний

Активна затримка рядка або активна затримка RAS, або час до готовності (tRA/tRD/tRAS): кількість тактових циклів між активацією/деактивацією рядка.

Заява про обмеження відповідальності. : Уся продукція компанії Kingston проходить тестування на відповідність опублікованим технічним характеристикам. Деякі конфігурації систем або материнських плат можуть не працювати на опублікованих для модулів пам’яті Kingston швидкостях або можна видалити опублікованих налаштуваннях таймінгів. Компанія Kingston не рекомендує користувачам намагатися розганяти свої комп’ютери до швидкостей, що перевищують опубліковані. Завищення тактової частоти процесора або зміна таймінгів системи можуть призвести до пошкодження компонентів комп’ютера.

Розшифровка номерів пам'яті Kingston

Kingston FURY™ DDR5

Kingston Server Premier DDR5

Kingston ValueRAM DDR5

Kingston FURY™ DDR4/DDR3

Kingston Server Premier DDR4

Kingston ValueRAM DDR4

Модулі пам'яті Kingston Design-In DDR5

Модулі пам'яті Kingston Design-In DDR4

Модулі пам'яті Kingston Design-In DDR3

DDR3

DDR3 & DDR2

Латентність (таймінги)

Приклад

Ресурси