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Planejar a solução certa exige um entendimento do seu projeto e dos requisitos do sistema. Deixe que um especialista da Kingston te oriente.
Pergunte a um EspecialistaO armazenamento do Flash NAND não é um simples meio de dados de leitura/gravação. Para uso confiável, vários algoritmos devem ser implementados: Gerenciamento de blocos NAND, coleta de lixo, controle de erros e monitoramento de desgaste. O Flash NAND moderno é gerenciado com algoritmos no dispositivo de armazenamento, não implementados no processador host. Isso beneficia seus usuários, pois torna o gerenciamento do NAND menos complexo para o host e simplifica o suporte e a manutenção do produto.
As gravações de host no Flash NAND apresentam ineficiências que podem fazer com que a mídia falhe mais cedo. A menor unidade organizacional NAND é a página, que pode ser lida e programada, mas não apagada. A única unidade organizacional que pode ser apagada é o bloco, que consiste em muitas páginas. Portanto, as páginas não podem ser substituídas até que um bloco seja apagado. Os blocos podem falhar com o tempo à medida que seu nível de resistência é atingido. Defeitos que levam a falhas precoces também podem ocorrer.
O Flash NAND possui ciclos limitados de apagamento de programas. Atingir esse limite significa que o dispositivo está no estado EoL, o que significa que não é mais confiável. A resistência varia dependendo da configuração das células NAND.
Configuração de Célula de Nível Único: esta configuração tem a maior resistência e a maior margem de erro.
eMMC LBA 512B Sector Address |
NAND Page & Block Address |
0:31 | Blk10, Pg101 |
32:63 | Blk10, Pg102 |
64:95 | Blk10, Pg103 |
96:127 | Blk10, Pg104 |
128:159 | Blk15, Pg57 |
160:191 | Blk8, Pg129 |
192:223 | Blk10, Pg107 |
224:255 | Blk22, Pg88 |
O eMMC lê e grava em unidades de setor de 512 bytes, que são lógicas, não físicas. Os endereços de setor são chamados de Endereços de Bloco Lógico, ou LBAs. Quando os dados são modificados, apagar todo o bloco NAND é impraticável, causando desgaste ineficiente nas páginas que não foram alteradas. Um esquema de mapeamento LBA-PBA (Endereço de Bloco Físico) fornece gravações menores para equilibrar o desgaste do bloco, uma prática chamada monitoramento de desgaste. Por meio de uma tabela de tradução de endereços, os LBAs são mapeados para os PBAs. Esse processo equilibra o desgaste do bloco e melhora a velocidade de gravação.
O processo de mapeamento de endereços funciona da seguinte maneira:
Regravações pequenas, aleatórias e não alinhadas à página geralmente são a maior fonte de amplificação de gravação. Para minimizar o WAF, as gravações devem ser alinhadas em um limite de página em múltiplos de unidades de tamanho de página. Esse tamanho adequado de unidade encontra-se no campo Tamanho de Gravação Ideal do registro CSD estendido.
A fórmula para determinar o Total de Bytes Gravados, ou TBW, é simples:
Muitas vezes, o WAF está entre 4 e 8, mas depende do comportamento de gravação do sistema host. Por exemplo, gravações sequenciais grandes produzem um WAF menor, enquanto gravações aleatórias de pequenos blocos de dados produzem um WAF maior. Esse tipo de comportamento geralmente pode levar à falha precoce dos dispositivos de armazenamento.
Por exemplo, um eMMC de 4 GB com um fator de resistência de 3000 e um WAF de 8 equivalerá a:
O total de bytes gravados do dispositivo eMMC é de 1,5 TB. Portanto, podemos gravar 1,5 TB de dados durante o ciclo de vida do produto antes dele atingir seu estado de EoL.
Para estimar seus requisitos de TBW, estime o uso diário do dispositivo em questão. Por exemplo, uma carga de trabalho com 500 MB de uso diário de gravação (e um ciclo de vida pretendido de 5 anos) precisará de um dispositivo que possa atingir um TBW maior que 915 GB:
O TBW pode ser usado para determinar o WAF máximo permitido para um dispositivo, desde que TBW = (DC * EF) / WAF. Se a vida útil do seu dispositivo não atingir o TBW desejado para o aplicativo do seu produto, você pode tentar melhorá-lo. Considere colocá-lo no modo Pseudo Célula de Nível Único, o que pode aumentar dez vezes a resistência convertendo o dispositivo de TLC ou MLC para o modo único-bit-por-célula. No entanto, isto reduz drasticamente a capacidade: 50% para um dispositivo MLC de dois bits por célula e mais de 66% para um dispositivo TLC de três bits. Se esta solução não for satisfatória para você, escolher um dispositivo maior para lidar com a mesma carga de trabalho também ajuda. Um dispositivo com o dobro da capacidade terá o dobro do TBW.
Os algoritmos do eMMC da Kingston atingem um baixo fator de amplificação de gravação. Oferecemos várias configurações para equilibrar desempenho, vida útil e confiabilidade. A idade do dispositivo pode ser monitorada usando as ferramentas de estimativa de vida útil JEDEC arquivadas no EXT_CSD, um recurso compartilhado com todos os dispositivos eMMC. A vida útil é notificada em aumentos de 10% com base na resistência do dispositivo. Uma ferramenta informa a idade dos blocos flash NAND configurados por TLC ou MLC, enquanto a outra relata a idade dos blocos configurados no modo pseudo-SLC. Os dispositivos Kingston eMMC também possuem comandos do fabricante para retornar a idade média do bloco do dispositivo. Estes são mais precisos do que as ferramentas JEDEC, mas requerem um pouco de desenvolvimento de software para serem utilizadas. Como alternativa, você pode enviar seu dispositivo antigo para a Kingston para uma análise mais abrangente.
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Pergunte a um EspecialistaA longevidade do produto é uma preocupação fundamental para muitas aplicações incorporadas que normalmente exigem uma vida útil de 7 a 10 anos. Dado o ritmo acelerado em que a tecnologia está avançando e mudando, a sustentação de longo prazo de produtos embarcados pode ser um desafio.
É importante compreender como o flash NAND no eMMC está sendo gerenciado nos dispositivos modernos e como isso está relacionado ao seu ciclo de vida. Este guia vai ajudar designers e engenheiros a entenderem como estimar e validar a vida útil de um dispositivo de armazenamento eMMC no design do seu sistema.