AIC - Phoenix Server Board

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Standard
0 GB (Removable)
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Maximum
768 GB with current Kingston modules
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CPU 1
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CPU 2
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Architecture du bus
SSD - SATA 2.5-inch 9.5mm
SSD - SATA 3.5-inch
SSD - SATA 2.5-inch 7mm
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12 Socket(s)
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Intel Xeon E5-2600 v3 series Intel C610 Series
Intel Xeon E5-2600 v4 series Intel C610 Series
Notes de configuration importantes
- MODULES MUST BE ORDERED AND INSTALLED IN GROUPS OF FOUR for Quad Channel mode.
- Maximum memory bandwidth is achieved by upgrading in groups of four per CPU. Utilizing the additional sockets for increased capacity, also known as split-channels, will reduce aggregated memory bandwidth (GB/s).
- Kingston offers both Registered RDIMM and Load Reduced LRDIMM memory modules. Registered and Load Reduced modules CANNOT be mixed within the same system.
- Mixing x4 and x8 modules is allowed, however not within the same bank.
- DDR4-2400 modules are supported with high-end model Xeon E5 v4 processors. Mid and low end Xeon E5 v4 and Xeon E5 v3 processors will force DDR4-2400 modules to operate at 2133 or 1866, depending on processor model number and if DIMMs are installed in the second memory bank.
- Faster memory will clock down to run at optimal speed depending on processor model and number of modules installed.
Mises à niveau compatibles pour votre système
- Server Premier
- SSD
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Référence produit : KSM26RD4/32HDI
- Référence produit : KSM26RD4/32HDI
- DDR4 2666MT/s ECC Registered DIMM CL19 2RX4 1.2V 288-pin 8Gbit Hynix D IDT/Renesas
- Fiche technique PDF
- PCN
DDR4 2666MT/s ECC Registered DIMM CL19 2RX4 1.2V 288-pin 8Gbit Hynix D IDT/Renesas
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Référence produit : KSM26RD4/32MRR
- Référence produit : KSM26RD4/32MRR
- DDR4 2666MT/s ECC Registered DIMM CL19 2RX4 1.2V 288-pin 8Gbit Micron R Rambus
- Fiche technique PDF
- PCN
DDR4 2666MT/s ECC Registered DIMM CL19 2RX4 1.2V 288-pin 8Gbit Micron R Rambus
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Référence produit : KSM26RD8/16HDI
- Référence produit : KSM26RD8/16HDI
- DDR4 2666MT/s ECC Registered DIMM CL19 2RX8 1.2V 288-pin 8Gbit Hynix D IDT/Renesas
- Fiche technique PDF
- PCN
DDR4 2666MT/s ECC Registered DIMM CL19 2RX8 1.2V 288-pin 8Gbit Hynix D IDT/Renesas
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Référence produit : KSM26RD8/16MRR
- Référence produit : KSM26RD8/16MRR
- DDR4 2666MT/s ECC Registered DIMM CL19 2RX8 1.2V 288-pin 8Gbit Micron R Rambus
- Fiche technique PDF
- PCN
DDR4 2666MT/s ECC Registered DIMM CL19 2RX8 1.2V 288-pin 8Gbit Micron R Rambus
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Référence produit : KSM26RS4/16HDI
- Référence produit : KSM26RS4/16HDI
- DDR4 2666MT/s ECC Registered DIMM CL19 1RX4 1.2V 288-pin 8Gbit Hynix D IDT/Renesas
- Fiche technique PDF
- PCN
DDR4 2666MT/s ECC Registered DIMM CL19 1RX4 1.2V 288-pin 8Gbit Hynix D IDT/Renesas
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Référence produit : KSM26RS4/16MRR
- Référence produit : KSM26RS4/16MRR
- DDR4 2666MT/s ECC Registered DIMM CL19 1RX4 1.2V 288-pin 8Gbit Micron R Rambus
- Fiche technique PDF
- PCN
DDR4 2666MT/s ECC Registered DIMM CL19 1RX4 1.2V 288-pin 8Gbit Micron R Rambus
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Référence produit : KSM26RS8/8HDI
- Référence produit : KSM26RS8/8HDI
- DDR4 2666MT/s ECC Registered DIMM CL19 1RX8 1.2V 288-pin 8Gbit Hynix D IDT/Renesas
- Fiche technique PDF
- PCN
DDR4 2666MT/s ECC Registered DIMM CL19 1RX8 1.2V 288-pin 8Gbit Hynix D IDT/Renesas
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Référence produit : KSM26RS8/8MRR
- Référence produit : KSM26RS8/8MRR
- DDR4 2666MT/s ECC Registered DIMM CL19 1RX8 1.2V 288-pin 8Gbit Micron R Rambus
- Fiche technique PDF
- PCN
DDR4 2666MT/s ECC Registered DIMM CL19 1RX8 1.2V 288-pin 8Gbit Micron R Rambus
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Référence produit : SEDC600M/480G
- Référence produit : SEDC600M/480G
- Conçu pour les environnements de datacenter
- Protection embarquée contre les coupures d'alimentation
- Uniformité de la latence et de l'IOPS, QoS fiable
- Comprend le logiciel de clonage Acronis
- Jusqu'à 560MB/s en lecture, 470MB/s en écriture
- PCN
- En savoir plus
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Référence produit : SEDC600ME/480G
- Référence produit : SEDC600ME/480G
- Conçu pour les environnements de datacenter
- Protection intégrée contre les coupures d’alimentation (PLP)
- Uniformité de la latence et des IOPS, QoS fiable
- Acronis cloning software inclus
- TCG Opal 2.0, chiffrement AES 256-bit
- 560 Mo/s en lecture, 470 Mo/s en écriture
- En savoir plus