Descodificador de números de parte de memoria Kingston

Aprende a leer los números de parte de memoria de Kingston^®, incluidas las líneas de producto Kingston FURY^™, Server Premier^™, ValueRAM^®, DDR5, DDR4 DDR3 para que identifiques los módulos por especificación.

Número de parte: KF560C36BBE2AK2-32

KF = Línea de productos

KF – Kingston FURY

5 = Tecnología

5 – DDR5

60 = Velocidad (MT/s)

48 – 4800
52 – 5200
56 – 5600
60 – 6000
64 – 6400
68 – 6800
72 – 7200
76 – 7600
80 – 8000
84 – 8400

C = Tipo de Modulo

C – UDIMM (No-ECC sin búfer)
S – SODIMM (No-ECC sin búfer)
R – EC8 RDIMM (x80)
CU – CUDIMM (No ECC cronometrado sin búfer)

36 = Latencia CAS

30 – CL30
32 – CL32
36 – CL36
38 – CL38
40 – CL40

B = Series

B – Beast
I – Impact
R – Renegade

B = Disipador de calor

B – Negro
S – Negro y Plata
W – Blanco o Blanco y Plata

E = Tipo de Perfil

En blanco - Intel XMP / Plug N Play
E - AMD EXPO

2 = Revisión

En blanco – 1^ra revisión
2^da revisión
3^ra revisión

A = RGB

En blanco - No RGB
A – RGB

K2 = Kit + Número de piezas

En blanco – Módulo único
K2 – Kit de 2 Módulos
K4 - Kit de 4 Módulos
K8 - Kit de 8 Módulos

32 = Capacidad total

8 – 8GB
16 – 16GB
24 – 24GB
32 – 32GB
48 – 48GB
64 – 64GB
96 – 96GB
128 – 128GB
256 – 256GB

Part Number: KSM56R46BD4PMI-64HAI

KSM = Línea de productos

KSM - Kingston Server Premier

56 = Velocidad (MT/s)

48 – 4800
52 – 5200
56 – 5600
64 – 6400

R = Tipo de módulo

E – EC4 UDIMM (x72)
T – EC4 SODIMM (x72)
P – EC4 RDIMM (x72)
R – EC8 RDIMM (x80)
B – EC4 CUDIMM (x72)
W – EC4 CSODIMM (x72)

46B = Latencia CAS

40B – CL40-39-39
42B – CL42-42-42
46B – CL46-45-45
52B – CL52-52-52

D = Rangos

S – Simple
D – Doble
Q – Cuádruple

4 = Tipo de DRAM

4 – x4
8 – x8

P = PMIC

I – Renesas
M – Montage
P – MPS
K – RichTek
T – TI
En blanco – Desbloqueado

M = Concentrador SPD

I – Renesas
M – Montage
R – Rambus
En blanco – Desbloqueado

I = Sensor térmico

I – Renesas
M – Montage
P – MPS
R – Rambus
En blanco – Desbloqueado

64 = Capacidad total

16 – 16GB
24 – 24GB
32 – 32GB
48 – 48GB
64 – 64GB
96 – 96GB
128 – 128GB

H = Fabricante de DRAM

H – SK Hynix
M – Micron
S – Samsung

A = Revisión de bloque de DRAM

A – A Die
B – B Die
C – C Die
D – D Die
E – E Die
M – M Die

I = Registrar

I – Renesas
M – Montage
R – Rambus
En blanco – Desbloqueado

Número de parte: KVR56U46BD8-32

KVR = Línea de productos

KVR – Kingston ValueRAM

56 = Velocidad (MT/s)

48 – 4800
52 – 5200
56 – 5600
64 – 6400

U = Tipo de Modulo

U – DIMM (No-ECC sin búfer)
S – SODIMM (No-ECC sin búfer)
A – CUDIMM (no ECC cronometrado sin búfer)
V – CSODIMM (no ECC cronometrado sin búfer)

46B = Latencia CAS

40B – CL40
42B – CL42
46B – CL46
52B – CL52

D = Rangos

S – Rango único (Single Rank)
D – Rango dual (Dual Rank)

8 = Tipo de DRAM

8 – x8
6 – x16

K2 = Kit + cantidad de piezas

En blanco – Módulo individual
K2 – Kit de 2 Módulos
K4 – Kit de 4 Módulos

32 = Capacidad total

8 – 8GB
16 – 16GB
32 – 32GB
48 – 48GB
64 – 64GB
96 – 96GB

X = Personalización

En blanco – Paquete estándar
BK – Empacado al por mayor

Número de parte: KF432C16BB12AK2/32

KF = Línea de productos

KF - Kingston FURY

4 = Tecnología

3 - DDR3
4 - DDR4

32 = Velocidad (MT/s)

16 - 1600 (1.5V)
16L - 1600 (1.35V)
18 - 1866 (1.5V)
18L - 1866 (1.35V)
26 - 2666
32 - 3200
36 - 3600
37 - 3733
40 - 4000
42 - 4266
46 - 4600
48 - 4800
50 - 5000
51 - 5133
53 - 5333

C = Tipo de Modulo

C – UDIMM (Non-ECC sin búfer)
S – SODIMM (Non-ECC sin búfer)

16 = Latencia CAS

9 - CL9
10 - CL10
11 - CL11
13 - CL13
15 - CL15
16 - CL16
17 - CL17
18 - CL18
19 - CL19
20 - CL20

B = Series

B - Beast
I - Impact
R - Renegade

B = Disipador de calor

Blank - Azul
B - Negro
R - Rojo
W - Blanco

1 = Configuración del módulo de 16 GB

En blanco – 2Gx8
1 – 1Gx8

2 = Revisión

Blank - 1^ra revisión
2 - 2^da revisión
3 - 3^ra revisión
4 - 4th Revision

A = RGB

Blank - No - RGB
A - RGB

K2 = Kit + Número de piezas

Blank - Módulo individual
K2 - Kit de 2 Módulos
K4 - Kit de 4 Módulos
K8 - Kit de 8 Módulos

32 = Capacidad total

4 - 4GB
8 - 8GB
16 - 16GB
32 - 32GB
64 - 64GB
128 - 128GB
256 - 256GB

Número de parte: KSM32RD4/32HDR

KSM = Línea de productos

KSM – Kingston Server Premier

32 = Velocidad (MT/s)

24 – 2400
26 – 2666
29 – 2933
32 – 3200

R = Tipo de módulo

E – UDIMM (ECC sin búfer)
SE – SODIMM (ECC sin búfer)
L – RDIMM (DIMM de ECC registrado)
R – LRDIMM (DIMM de carga reducida)

D = Jerarquías

S – Solo
D – Doble
Q – Cuádruplo

4 = Tipo de DRAM

4 – x4
8 – x8

L = Perfil

L – Perfil muy bajo (VLP)

32 = Capacidad total

8 – 8GB
16 – 16GB
32 – 32GB
64 – 64GB
128 – 128GB

H = FABR DRAM

H – SK Hynix
M – Micron
S – Samsung

D = DRAM Revisión de bloque

A – Bloque A
B – Bloque B
C – Bloque C
D – Bloque D
E – Bloque E

R = Registrar fabricante

I – Renesas
M – Montage
R – Rambus
En blanco – Desbloqueado

Número de parte: KVR32N22D8/32

KVR = Product Line

KVR – Kingston ValueRAM

32 = Velocidad (MT/s)

21 – 2133
24 – 2400
26 – 2666
29 – 2933
32 – 3200

R = Tipo de módulo

N – DIMM (no ECC sin búfer)
S – SODIMM (no ECC sin búfer)
E – UDIMM (ECC sin búfer)
SE – SODIMM (ECC sin búfer)
R – RDIMM (DIMM de ECC registrado)
L – LRDIMM (DIMM de carga reducida)

22 = Latencia CAS

15 – CL15
19 – CL19
22 – CL22

D = Jerarquías

S – Solo
D – Doble
Q – Cuádruplo

8 = Tipo de DRAM

4 – x4
8 – x8
6 – x16

L = Perfil

En blanco – Cualquier altura
L – 18.75mm (VLP)

K2 = Kit + cantidad de piezas

En blanco – Solo Módulo
K2 – Kit de Dos Módulos
K3 – Kit de Tres Módulos

32 = Capacidad

4 – 4GB
8 – 8GB
16 – 16GB
32 – 32GB

H = FABR DRAM

H – SK Hynix
M – Micron
S – Samsung
K – Kingston

B = Revisión

B – Revisión

I = Certificado por Intel

I – Certificado por Intel

Número de parte: CBD56S46BD8HA-32

CBD = Línea de productos

CBD – Módulo DRAM Design-In de Kingston

56 = Velocidad (MT/seg)

48 – 4800
52 – 5200
56 – 5600
64 – 6400

S = Tipo de módulo

U – DIMM (sin búfer ECC)
S – SODIMM (sin búfer ECC)
A – CUDIMM (no ECC cronometrado sin búfer)
V – CSODIMM (no ECC cronometrado sin búfer)

46B = Latencia CAS

40B – CL40-39-39
42B – CL42-42-42
46B – CL46-45-45
52B – CL52-52-52

D = Rangos

S – Rango único (Single Rank)
D – Rango dual (Dual Rank)

8 = Tipo de DRAM

8 – x8
6 – x16

H = Fabricante de DRAM

H – SK Hynix
M – Micron
S – Samsung

A = Revisión de bloque

A – Bloque A
B – Bloque B
M – Bloque M

32 = Capacidad total

8 – 8GB
16 – 16GB
32 – 32GB
64 – 64GB

Número de parte: CBD32D4U2D8HD-16

CBD = Línea de productos

CBD – Módulo DRAM Design-In de Kingston

32 = Velocidad (MT/seg)

21 – 2133
24 – 2400
26 – 2666
32 – 3200

D4 = Tecnología

D4 – DDR4

U = Tipo de Modulo

U – DIMM (sin búfer ECC)
S – SODIMM (sin búfer ECC)

2 = Latencia CAS

5 – CL15-15-15
7 – CL17-17-17
9 – CL19-19-19
2 – CL22-22-22

D = Rangos

S – Rango único (Single Rank)
D – Rango dual (Dual Rank)

8 = Tipo de DRAM

8 – x8
1 – x16

H = Fabricante de DRAM

H – SK Hynix
M – Micron
S – Samsung
N – Nanya
K – Kingston

D = Revisión de bloque de DRAM

A – Bloque A
B – Bloque B
C – Bloque C
D – Bloque D
E – Bloque E
F – Bloque F
H – Bloque H
J – Bloque J
R – Bloque R

V = Tipo de PCB

Negro – Oro rápido
H – Oro puro
V – Perfil muy bajo

16 = Capacidad total

4 – 4GB
8 – 8GB
16 – 16GB
32 – 32GB

Número de parte: CBD16D3LFU1KBG/2G

CBD = Línea de productos

CBD – Módulo DRAM Design-In de Kingston

16 = Velocidad (MT/seg)

16 – 1600

D3L = Tecnología

D3 – DDR3 (1.5V)
D3L – DDR3L (1.35V/1.5V)

F = Tipo de DRAM

Vacío – x8
F – x16

U = Tipo de Modulo

U – DIMM (sin búfer ECC)
S – SODIMM (sin búfer ECC)

1 = Latencia CAS

1 – CL11-11-11

K = Fabricante de DRAM

S – Samsung
K – Kingston

B = Revisión de bloque de DRAM

B – Bloque B
D – Bloque D
E – Bloque E

G = Tipo de PCB

L – Perfil muy bajo (VLP)
G – Verde (cumplen con la directiva RoHS)
H – Oro puro

2G = Capacidad total

2G – 2GB
4G – 4GB
8G – 8GB

Número de parte: KVR16S11S8/4

KVR = Línea de productos

KVR – Kingston ValueRAM

16 = Velocidad (MT/s)

16 – 1600
13 – 1333
10 – 1066

L = Voltaje bajo

En blanco – 1.5V
L – 1.35V
U – 1.25V

S = Tipo de módulo

N – DIMM (no ECC sin búfer)
S – SODIMM (no ECC sin búfer)
E – ECC UDIMM (ECC sin búfer)
SE – SODIMM (ECC sin búfer)
R – RDIMM (DIMM de ECC registrado)
L – LRDIMM (DIMM de carga reducida)

11 = Latencia CAS

11 – CL11-11-11

D = Jerarquías

S – Solo
D – Doble
Q – Cuádruplo

8 = Tipo de DRAM

4 – x4
8 – x8

L = Perfil

L – 18.75mm (VLP)
H – 30mm

K2 = Kit + cantidad de piezas

K2 – Kit de 2 Módulos
K3 – Kit de 3 Módulos
K4 – Kit de 4 Módulos

4 = Capacidad

4 – 4GB
8 – 8GB
12 – 12GB
16 – 16GB
24 – 24GB
32 – 32GB
48 – 48GB
64 – 64GB

H = FABR DRAM/Certification

H – SK Hynix
E – Elpida
I – Certificado por Intel

B = Revisión de bloque

B – Revisión de bloque

Número de parte: KVR1066D3LD8R7SLK2/46HB

KVR
1066
D3
L
D
8
R
7
S
L
K2
/
4G
H
B

KVR = Kingston ValueRAM

KVR: Kingston ValueRAM

1066 = Velocidad (MT/s{{Footnote.A65242}})

1066 - Velocidad

D3 = Tecnología

D2: DDR2
D3: DDR3

L = Voltaje bajo

En blanco: 1.5V
L: 1.35V
U: 1.25V

D = Jerarquías

S: Solo
D: Doble
Q: Cuádruplo

8 = DRAM

4: x4 DRAM chip
8: x8 DRAM chip

R = Tipo de módulo

P: Paridad en registro (sólo para módulos registrados)
E: DIMM sin buffer (ECC)
F: FB DIMM
M: Mini-DIMM
N: DIMM sin búfer (no ECC)
R: DIMM Registrado con Función de paridad de dirección/comando
S: SO-DIMM
U: Micro-DIMM

7 = Latencia CAS

7: Latencia CAS

S = Sensor térmico

En blanco: Sin Sensor térmico
S: Con Sensor térmico

L = Perfil

En blanco: Cualquier altura
L: 18.75mm (VLP)
H: 30mm

K2 = Kit + cantidad de piezas

En blanco: Solo Módulo
K2: Kit de Dos Módulos
K3: Kit de Tres Módulos

4G = Capacidad

4G: Capacidad

H = FABR DRAM

H: FABR DRAM

B = Revisión de bloque

B: Revisión de bloque

Tiempo de latencia

La información a continuación, es útil para mostrar las diversas configuraciones que se pueden ajustar al configurar los parámetros de tiempo de memoria en el BIOS dela tarjeta madre, con el fin de obtener un óptimo rendimiento. Tenga presente que estas configuraciones pueden variar de una marca/modelo de tarjeta madre a otra, o la versión del firmware del BIOS.

Muestra

tRCD

tRP/tRCP

tRA/tRD/tRAS

Latencia CAS (CL): Retardo entre la activación de una hilera y la lectura de esa hilera.

RAS a CAS o RAS a Retardo de Columna (tRCD): Activa la hilera

Retardo de Precarga de Hilera o Retardo de Precarga RAS (tRP/tRCP): Desactiva la hilera

Retardo Activo de Hilera o Retardo Activo RAS o tiempo para estar listo (tRA/tRD/tRAS): Cantidad de ciclos de clocking entre activación/desactivación de la hilera.

Aviso de exención de responsabilidad: Todos los productos HyperX están probados y cumplen con nuestras especificaciones publicadas. Las configuraciones de algunos sistemas o placas madre pueden no operar a las velocidades de la memoria y ajustes de tiempos HyperX publicados. HyperX recomienda que los usuarios no intenten forzar sus computadoras para que funcionen a velocidades más rápidas que las publicadas. Si realizas overclocking o modificas los tiempos de tu sistema, sin respetar las indicaciones del fabricante, podrías dañar los componentes de tu computadora.

Descodificador de números de parte de memoria Kingston

Kingston FURY™ DDR5

Kingston Server Premier DDR5

Kingston ValueRAM DDR5

Descodificador de números de parte Kingston FURY™ DDR4/DDR3

Kingston Server Premier DDR4

Kingston ValueRAM DDR4

Módulos DRAM Design-In de Kingston DDR5

Módulos DRAM Design-In de Kingston DDR4

Módulos DRAM Design-In de Kingston DDR3

DDR3

DDR3 & DDR2

Tiempo de latencia

Muestra

Recursos