Dekoder numerów katalogowych pamięci Kingston

Dowiedz się, w jaki sposób odczytywać numery katalogowe pamięci Kingston^®, w tym produktów pamięci z linii Kingston FURY^™, Server Premier^™, ValueRAM^®, DDR5, DDR4 i DDR3. Ułatwi Ci to rozpoznanie modułów pamięci na podstawie ich specyfikacji.

katalogowy: KF560C36BBE2AK2-32

KF = linia produktów

KF – Kingston FURY

5 = technologia

5 – DDR5

60 = szybkość (MT/s)

48 – 4800
52 – 5200
56 – 5600
60 – 6000
64 – 6400
68 – 6800
72 – 7200
76 – 7600
80 – 8000
84 – 8400

C = typ modułu

C – UDIMM (bez korekcji ECC i buforowania)
S – SODIMM (bez korekcji ECC i buforowania)
R – EC8 RDIMM (x80)
CU – CUDIMM (ze sterownikiem zegara, bez korekcji ECC i buforowania)

36 = opóźnienie CAS

30 – CL30
32 – CL32
36 – CL36
38 – CL38
40 – CL40

B = seria

B – Beast
I – Impact
R – Renegade

B = radiator

B – czarny
S – srebrno-czarny
W – biały lub biało-srebrny

E = Typ Profilu

Puste - Intel XMP / Plug N Play
E - AMD EXPO

2 = Wersja

Puste – wersja 1
2 – wersja 2
3 – wersja 3

A = RGB

Puste - nie RGB
A – RGB

K2 = zestaw + liczba elementów

Puste – pojedynczy moduł
K2 – zestaw 2 modułów
K4 - zestaw 4 modułów
K8 - zestaw 8 modułów

32 = łączna pojemność

8 – 8GB
16 – 16GB
24 – 24GB
32 – 32GB
48 – 48GB
64 – 64GB
96 – 96GB
128 – 128GB
256 – 256GB

Part Number: KSM56R46BD4PMI-64HAI

KSM = linia produktów

KSM - Kingston Server Premier

56 = szybkość (MT/s)

48 – 4800
52 – 5200
56 – 5600
64 – 6400

R = typ modułu

E – EC4 UDIMM (x72)
T – EC4 SODIMM (x72)
P – EC4 RDIMM (x72)
R – EC8 RDIMM (x80)
B – EC4 CUDIMM (x72)
W – EC4 CSODIMM (x72)

46B = opóźnienie CAS

40B – CL40-39-39
42B – CL42-42-42
46B – CL46-45-45
52B – CL52-52-52

D = Ranki

S – jednorankowa
D – dwurankowa
Q – czterorankowa

4 = typ pamięci DRAM

4 – x4
8 – x8

P = PMIC

I – Renesas
M – Montage
P – MPS
K – RichTek
T – TI
Puste – odblokowane

M = koncentrator SPD

I – Renesas
M – Montage
R – Rambus
Puste – odblokowane

I = czujnik termiczny

I – Renesas
M – Montage
P – MPS
R – Rambus
Puste – odblokowane

64 = łączna pojemność

16 – 16GB
24 – 24GB
32 – 32GB
48 – 48GB
64 – 64GB
96 – 96GB
128 – 128GB

H = producent układu DRAM

H – SK Hynix
M – Micron
S – Samsung

A = wersja płytki układu DRAM

A – A Die
B – B Die
C – C Die
D – D Die
E – E Die
M – M Die

I = rejestr

I – Renesas
M – Montage
R – Rambus
Puste – odblokowane

Numer katalogowy: KVR56U46BD8-32

KVR = linia produktów

KVR – Kingston ValueRAM

56 = szybkość (MT/s)

48 – 4800
52 – 5200
56 – 5600
64 – 6400

U = typ modułu

U – DIMM (bez korekcji ECC i buforowania)
S – SODIMM (bez korekcji ECC i buforowania)
A – CUDIMM (ze sterownikiem zegara, bez korekcji ECC i buforowania)
V – CSODIMM (ze sterownikiem zegara, bez korekcji ECC i buforowania)

46B = opóźnienie CAS

40B – CL40
42B – CL42
46B – CL46
52B – CL52

D = szeregi

S – jednoszeregowa
D – dwuszeregowa

8 = typ pamięci DRAM

8 – x8
6 – x16

K2 = zestaw + liczba elementów

Puste – pojedynczy moduł
K2 – zestaw 2 modułów
K4 – zestaw 4 modułów

32 = łączna pojemność

8 – 8GB
16 – 16GB
32 – 32GB
48 – 48GB
64 – 64GB
96 – 96GB

X = personalizacja

Puste – opakowanie standardowe
BK – opakowanie zbiorcze

Numer katalogowy: KF432C16BB12AK2/32

KF = linia produktów

KF - Kingston FURY

4 = technologia

3 - DDR3
4 - DDR4

32 = szybkość (MT/s)

16 - 1600 (1.5V)
16L - 1600 (1.35V)
18 - 1866 (1.5V)
18L - 1866 (1.35V)
26 - 2666
32 - 3200
36 - 3600
37 - 3733
40 - 4000
42 - 4266
46 - 4600
48 - 4800
50 - 5000
51 - 5133
53 - 5333

C = typ modułu

C – UDIMM (bez korekcji ECC i buforowania)
S – SODIMM (bez korekcji ECC i buforowania)

16 = opóźnienie CAS

9 - CL9
10 - CL10
11 - CL11
13 - CL13
15 - CL15
16 - CL16
17 - CL17
18 - CL18
19 - CL19
20 - CL20

B = seria

B - Beast
I - Impact
R - Renegade

B = radiator

Puste - niebieski
B - czarny
R - czerwony
W - biały

1 = konfiguracja modułu 16 GB

Puste – 2Gx8
1 – 1Gx8

2 = wersja

Puste - wersja 1
2 - wersja 2
3 - wersja 3
4 - 4th Revision

A = RGB

Puste - nie RGB
A - RGB

K2 = zestaw + liczba elementów

Puste – pojedynczy moduł
K2 - zestaw 2 modułów
K4 - zestaw 4 modułów
K8 - zestaw 8 modułów

32 = łączna pojemność

4 - 4GB
8 - 8GB
16 - 16GB
32 - 32GB
64 - 64GB
128 - 128GB
256 - 256GB

Numer katalogowy: KSM32RD4/32HDR

KSM = linia produktów

KSM: Kingston Server Premier

32 = Szybkość (MT/s)

24 – 2400
26 – 2666
29 – 2933
32 – 3200

R = Typ modułu

E – UDIMM (z korekcją ECC i bez buforowania)
SE – SODIMM (z korekcją ECC i bez buforowania)
L – RDIMM (Registered DIMM z korekcją ECC)
R – LRDIMM (DIMM o zmniejszonym obciążeniu)

D = Szeregi

S – Jednoszeregowa
D – Dwuszeregowa
Q – Czteroszeregowa

4 = Typ pamięci DRAM

4 – układ DRAM x4
8 – układ DRAM x8

L = profil płytki

L – niskoprofilowe moduły DIMM

32 = łączna pojemność

8 – 8GB
16 – 16GB
32 – 32GB
64 – 64GB
128 – 128GB

H = Producent DRAM

H – SK Hynix
M – Micron
S – Samsung

D = Wersja kości DRAM

A – płytka A
B – płytka B
C – płytka C
D – płytka D
E – płytka E

R = Producent

I – Renesas
M – Montage
R – Rambus
Puste – odblokowane

Numer katalogowy: KVR32N22D8/32

KVR = Kingston ValueRAM

KVR: Kingston ValueRAM

32 = Szybkość (MT/s)

21 – 2133
24 – 2400
26 – 2666
29 – 2933
32 – 3200

N = Typ modułu

N – DIMM (bez korekcji ECC i buforowania)
S – SODIMM (bez korekcji ECC i buforowania)
E – UDIMM (z korekcją ECC i bez buforowania)
SE – SODIMM (z korekcją ECC i bez buforowania)
R – RDIMM (Registered DIMM z korekcją ECC)
L – LRDIMM (DIMM o zmniejszonym obciążeniu)

22 = Opóźnienie CAS

15 – CL15
19 – CL19
22 – CL22

D = Szeregi

S – Jednoszeregowa
D – Dwuszeregowa
Q – Czteroszeregowa

8 = Typ pamięci DRAM

4 – x4
8 – x8
6 – x16

L = Profil

Puste – Dowolna wysokość
L – 18,75mm (VLP)

K2 = Zestaw + liczba elementów

Puste – Dowolna wysokość
K2 – Zestaw dwóch modułów
K3 – Zestaw trzech modułów

32 = Pojemność

4 – 4GB
8 – 8GB
16 – 16GB
32 – 32GB

H = DRAM Manufacturer

H – SK Hynix
M – Micron
S – Samsung
K – Kingston

B = Wersja matrycy

B – Wersja matrycy

I = Certyfikat firmy Intel

I - Certyfikat firmy Intel

Numer katalogowy: CBD56S46BD8HA-32

CBD = linia produktów

CBD – linia produktów

56 = szybkość (MT/s)

48 – 4800
52 – 5200
56 – 5600
64 – 6400

S = Typ modułu

U – DIMM (niebuforowany bez ECC)
S – SODIMM (niebuforowany bez ECC)
A – CUDIMM (ze sterownikiem zegara, bez korekcji ECC i buforowania)
V – CSODIMM (ze sterownikiem zegara, bez korekcji ECC i buforowania)

46B = opóźnienie CAS

40B – CL40-39-39
42B – CL42-42-42
46B – CL46-45-45
52B – CL52-52-52

D = szeregi

S – jednoszeregowa
D – dwuszeregowa

8 = typ pamięci DRAM

8 – x8
6 – x16

H = producent układu DRAM

H – SK Hynix
M – Micron
S – Samsung

A = wersja płytki układu DRAM

A – płytka A
B – płytka B
M – płytka M

32 = całkowita pojemność

8 – 8GB
16 – 16GB
32 – 32GB
64 – 64GB

Numer katalogowy: CBD32D4U2D8HD-16

CBD = linia produktów

CBD – linia produktów

32 = szybkość (MT/s)

21 – 2133
24 – 2400
26 – 2666
32 – 3200

D4 = Technologia

D4 – DDR4

U = typ modułu

U – DIMM (niebuforowany bez ECC)
S – SODIMM (niebuforowany bez ECC)

2 = opóźnienie CAS

5 – CL15-15-15
7 – CL17-17-17
9 – CL19-19-19
2 – CL22-22-22

D = szeregi

S – jednoszeregowa
D – dwuszeregowa

8 = typ pamięci DRAM

8 – x8
1 – x16

H = producent układu DRAM

H – SK Hynix
M – Micron
S – Samsung
N – Nanya
K – Kingston

D = wersja płytki układu DRAM

A – płytka A
B – płytka B
C – płytka C
D – płytka D
E – płytka E
F – płytka F
H – płytka H
J – płytka J
R – płytka R

V = typ płytki PCB

Kolor czarny – Flash Gold
H – Hard gold
V – bardzo niski profil

16 = całkowita pojemność

4 – 4GB
8 – 8GB
16 – 16GB
32 – 32GB

Numer katalogowy: CBD16D3LFU1KBG/2G

CBD = linia produktów

CBD – linia produktów

16 = szybkość (MT/s)

16 – 1600

D3L = technologia

D3 – DDR3 (1,5V)
D3L – DDR3L (1,35V/1,5V)

F = typ pamięci DRAM

Puste – x8
F – x16

U = typ modułu

U – DIMM (niebuforowany bez ECC)
S – SODIMM (niebuforowany bez ECC)

1 = opóźnienie CAS

1 – CL11-11-11

K = producent układu DRAM

S – Samsung
K – Kingston

B = wersja płytki układu DRAM

B – płytka B
D – płytka D
E – płytka E

G = typ płytki PCB

L – bardzo niski profil
G – Green (zgodny z RoHS)
H – Hard gold

2G = całkowita pojemność

2G – 2GB
4G – 4GB
8G – 8GB

Numer katalogowy: KVR16S11S8/4

KVR = linia produktów

KVR – Kingston ValueRAM

16 = Szybkość (MT/s)

16 – 1600
13 – 1333
10 – 1066

L = Niskie napięcie

Puste – 1,5V
L – 1,35V
U – 1,25V

S = Typ modułu

N – pamięć DIMM (bez korekcji ECC i buforowania)
S – pamięć SODIMM (bez korekcji ECC i buforowania)
E – ECC UDIMM (z korekcją ECC i bez buforowania)
SE – SODIMM (z korekcją ECC i bez buforowania)
R – RDIMM (Registered DIMM z korekcją ECC)
L – LRDIMM (DIMM o zmniejszonym obciążeniu)

11 = Opóźnienie CAS

11 – CL11-11-11

D = Szeregi

S – Jednoszeregowa
D – Dwuszeregowa
Q – Czteroszeregowa

8 = Typ pamięci DRAM

4 – x4
8 – x8

L = Profil

L – 18,75mm (VLP)
H – 30mm

K2 = Zestaw + liczba elementów

K2 – zestaw 2 modułów
K3 – zestaw 3 modułów
K4 – zestaw 4 modułów

4 = Pojemność

4 – 4GB
8 – 8GB
12 – 12GB
16 – 16GB
24 – 24GB
32 – 32GB
48 – 48GB
64 – 64GB

H = DRAM MFGR/Certyfikaty

H – SK Hynix
E – Elpida
I – Certyfikat firmy Intel

B = Wersja matrycy

B – Wersja matrycy

Numer katalogowy: KVR1066D3LD8R7SLK2/46HB

KVR
1066
D3
L
D
8
R
7
S
L
K2
/
4G
H
B

KVR = Kingston ValueRAM

KVR: Kingston ValueRAM

1066 = Szybkość (MT/s^*)

1066 - Szybkość

D3 = Technologie

D2: DDR2
D3: DDR3

L = Niskie napięcie

Puste: 1,5V
L: 1,35V
U: 1,25V

D = Szeregi

S: Jednoszeregowa
D: Dwuszeregowa
Q: Czteroszeregowa

8 = DRAM

4: układ DRAM x4
8: układ DRAM x8

R = Typ modułu

P: Rejestrowanie z parzystością (tylko w przypadku modułów rejestrowanych)
E: Niebuforowana pamięć DIMM (ECC)
F: FB DIMM
M: Mini-DIMM
N: Niebuforowana pamięć DIMM (bez ECC)
R: Rejestrowana pamięć DIMM z funkcją parzystości adresów/poleceń
S: SO-DIMM
U: Micro-DIMM

7 = Opóźnienie CAS

7: CAS Latency

S = Czujnikiem termicznym

Puste: Bez czujnika termicznego
S: Z czujnikiem termicznym

L = Profil

Puste: Dowolna wysokość
L: 18,75mm (VLP)
H: 30mm

K2 = Zestaw + liczba elementów

Puste: Pojedynczy moduł
K2: Zestaw dwóch modułów
K3: Zestaw trzech modułów

4G = Pojemność

4G: Pojemność

H = DRAM MFGR

H: DRAM MFGR

B = Wersja matrycy

B: Wersja matrycy

Czas oczekiwania (timing)

Poniższe informacje opisują różne ustawienia, które można zmienić, modyfikując timingi pamięci w BIOS-ie płyty głównej w celu uzyskania optymalnej wydajności. Ustawienia te mogą się różnić w zależności od marki/modelu płyty głównej lub wersji BIOS-u.

Przykład

tRCD

tRP/tRCP

tRA/tRD/tRAS

Opóźnienie CAS (CL): opóźnienie między aktywacją wiersza a odczytaniem z niego danych.

Opóźnienie RAS do CAS lub RAS do kolumny (tRCD): aktywuje wiersz.

Opóźnienie wstępnego zainicjowania wiersza lub opóźnienie wstępnego zainicjowania RAS (tRP/tRCP): dezaktywuje wiersz.

Opóźnienie aktywnego wiersza lub opóźnienie aktywnego RAS albo czas do gotowości (tRA/tRD/tRAS): liczba cykli zegara między aktywacją/dezaktywacją wiersza.

Zastrzeżenie: wszystkie produkty firmy Kingston są testowane pod kątem podanych specyfikacji. Niektóre konfiguracje systemu lub płyty głównej mogą nie obsługiwać podanych przez firmę Kingston parametrów szybkości pamięci i ustawień timingu. Firma Kingston odradza użytkownikom podejmowanie prób uruchamiania komputera z ustawieniem wyższej szybkości niż podana. Przetaktowanie systemu lub zmodyfikowanie timingu może spowodować uszkodzenie podzespołów komputera..

Dekoder numerów katalogowych pamięci Kingston

Kingston FURY™ DDR5

Kingston Server Premier DDR5

Kingston ValueRAM DDR5

Kingston FURY™ DDR4/DDR3 – dekoder numerów katalogowych

Kingston Server Premier DDR4

Kingston ValueRAM DDR4

Moduły pamięci DRAM Kingston Design-In DDR5

Moduły pamięci DRAM Kingston Design-In DDR4

Moduły pamięci DRAM Kingston Design-In DDR3

DDR3

DDR3 & DDR2

Czas oczekiwania (timing)

Przykład

Zasoby