Dekoder numerów katalogowych pamięci Kingston

Dowiedz się, w jaki sposób odczytywać numery katalogowe pamięci Kingston®, w tym produktów pamięci z linii Kingston FURY™, Server Premier™, ValueRAM®, HyperX®, DDR5, DDR4, DDR3, DDR2 i DDR. Ułatwi Ci to rozpoznanie modułów pamięci na podstawie ich specyfikacji.

katalogowy: KF560C36BBE2AK2-32

KF = linia produktów

KF – Kingston FURY

5 = technologia

5 – DDR5

60 = szybkość (MT/s{{Footnote.A65242}})

48 – 4800
52 – 5200
56 – 5600
60 – 6000
64 – 6400
68 – 6800
72 – 7200
76 – 7600
80 – 8000
84 – 8400

C = typ modułu

C – UDIMM (bez korekcji ECC i buforowania)
CU – CUDIMM (Nietaktowany bez ECC Niebuforowany)
S – SODIMM (bez korekcji ECC i buforowania)
R – EC8 RDIMM (x80)

36 = opóźnienie CAS

30 – CL30
32 – CL32
36 – CL36
38 – CL38
40 – CL40

B = seria

B – Beast
I – Impact
R – Renegade

B = radiator

B – czarny
S – Srebrny
W – biały

E = Typ Profilu

Puste - Intel XMP / Plug N Play
E - AMD EXPO

2 = Wersja

Puste – wersja 1
2 – wersja 2
3 – wersja 3

A = RGB

Puste - nie RGB
A – RGB

K2 = zestaw + liczba elementów

Puste – pojedynczy moduł
K2 – zestaw 2 modułów
K4 - zestaw 4 modułów
K8 - zestaw 8 modułów

32 = łączna pojemność

8 – 8GB
16 – 16GB
24 – 24GB
32 – 32GB
48 – 48GB
64 – 64GB
96 – 96GB
128 – 128GB
192 – 192GB
256 – 256GB

Part Number: KSM48R40BD4TMP-64HMR

KSM = linia produktów

KSM - Kingston Server Premier

48 = szybkość (MT/s{{Footnote.A65242}})

48 – 4800
52 – 5200
56 – 5600

R = typ modułu

E – EC4 UDIMM (x72)
P – EC4 RDIMM (x72)
R – EC8 RDIMM (x80)
T – EC4 SODIMM (x72)

40B = opóźnienie CAS

40B – CL40-39-39
42B – CL42-42-42
46B – CL46-45-45

D = Ranki

S – jednorankowa
D – dwurankowa
Q – czterorankowa

4 = typ pamięci DRAM

4 – x4
8 – x8

T = PMIC

I – Renesas
K – RichTek
M – Montage
P – MPS
T – TI
Puste – odblokowane

M = koncentrator SPD

I – Renesas
M – Montage
R – Rambus
Puste – odblokowane

P = czujnik termiczny

I – Renesas
M – Montage
P – MPS
R – Rambus
Puste – odblokowane

64 = łączna pojemność

16 – 16GB
24 – 24GB
32 – 32GB
48 – 48GB
64 – 64GB
96 – 96GB
128 – 128GB

H = producent układu DRAM

H – SK Hynix
M – Micron
S – Samsung

M = wersja płytki układu DRAM

A – A Die
B – B Die
C – C Die
D – D Die
E – E Die
M – M Die

R = rejestr

I – Renesas
M – Montage
R – Rambus
Puste – odblokowane

Numer katalogowy: KVR48U40BS8K2-32X

KVR = linia produktów

KVR – Kingston ValueRAM

48 = szybkość (MT/s{{Footnote.A65242}})

48 – 4800
52 – 5200
56 – 5600
60 – 6000
64 – 6400

U = typ modułu

U – DIMM (bez korekcji ECC i buforowania)
S – SO-DIMM (bez korekcji ECC i buforowania)

40B = opóźnienie CAS

40B – CL40
42B – CL42
46B – CL46

S = szeregi

S – jednoszeregowa
D – dwuszeregowa

8 = typ pamięci DRAM

8 – x8
6 – x16

K2 = zestaw + liczba elementów

Puste – pojedynczy moduł
K2 – zestaw 2 modułów
K4 – zestaw 4 modułów

32 = łączna pojemność

8 – 8GB
16 – 16GB
32 – 32GB
48 – 48GB
64 – 64GB
96 – 96GB
128 – 128GB
192 – 192GB
256 – 256GB

X = personalizacja

Puste – opakowanie standardowe
BK – opakowanie zbiorcze

Numer katalogowy: KF432C16BB12AK2/32

KF = linia produktów

KF - Kingston FURY

4 = technologia

3 - DDR3
4 - DDR4

32 = szybkość (MT/s{{Footnote.A65242}})

16 - 1600 (1.5V)
16L - 1600 (1.35V)
18 - 1866 (1.5V)
18L - 1866 (1.35V)
26 - 2666
32 - 3200
36 - 3600
37 - 3733
40 - 4000
42 - 4266
46 - 4600
48 - 4800
50 - 5000
51 - 5133
53 - 5333

C = typ modułu

C – UDIMM (bez korekcji ECC i buforowania)
S – SODIMM (bez korekcji ECC i buforowania)

16 = opóźnienie CAS

9 - CL9
10 - CL10
11 - CL11
13 - CL13
15 - CL15
16 - CL16
17 - CL17
18 - CL18
19 - CL19
20 - CL20

B = seria

B - Beast
R - Renegade
I - Impact

B = radiator

Puste - niebieski
B - czarny
R - czerwony
W - biały

1 = konfiguracja modułu 16 GB

Puste – 2Gx8
1 – 1Gx8

2 = wersja

Puste - wersja 1
2 - wersja 2
3 - wersja 3
4 - 4th Revision

A = RGB

Puste - nie RGB
A - RGB

K2 = zestaw + liczba elementów

Puste – pojedynczy moduł
K2 - zestaw 2 modułów
K4 - zestaw 4 modułów
K8 - zestaw 8 modułów

32 = łączna pojemność

4 - 4GB
8 - 8GB
16 - 16GB
32 - 32GB
64 - 64GB
128 - 128GB
256 - 256GB

Numer katalogowy: KSM26RD4L/32HAI

KSM = linia produktów

KSM: Kingston Server Premier

26 = Szybkość (MT/s{{Footnote.A65242}})

24 – 2400
26 – 2666
29 – 2933
32 – 3200

R = Typ modułu

E – pamięć DIMM niebuforowana (ECC)
L – pamięć DIMM o zmniejszonym obciążeniu
R – pamięć DIMM rejestrowa
SE – pamięć SODIMM niebuforowana (ECC)

D = Szeregi

S – Jednoszeregowa
D – Dwuszeregowa
Q – Czteroszeregowa

4 = Typ pamięci DRAM

4 – układ DRAM x4
8 – układ DRAM x8

L = profil płytki

L – niskoprofilowe moduły DIMM

32 = łączna pojemność

8 – 8GB
16 – 16GB
32 – 32GB
64 – 64GB
128 – 128GB
256 – 256GB

H = Producent DRAM

H – SK Hynix
M – Micron
S – Samsung

A = Wersja kości DRAM

A – płytka A
B – płytka B
C – płytka C
E – płytka E

I = Producent

I – Renesas
M – Montage
R – Rambus
Puste – odblokowane

Numer katalogowy: KVR21LR15D8LK2/4HBI

KVR = Kingston ValueRAM

KVR: Kingston ValueRAM

21 = Szybkość (MT/s{{Footnote.A65242}})

21 – 2133
24 – 2400
26 – 2666
29 – 2933
32 – 3200

L = Niskie napięcie

Puste – 1.2V
L – TBD

R = Typ modułu

E – Niebuforowany moduł DIMM (ECC)
L – moduł DIMM o zmniejszonej obciążeniu
N – DIMM (niebuforowany bez ECC)
R – zarejestrowany moduł DIMM
S – SODIMM (niebuforowany bez ECC)

15 = Opóźnienie CAS

15 – CL15
19 – CL19
22 – CL22

D = Szeregi

S – Jednoszeregowa
D – Dwuszeregowa
Q – Czteroszeregowa
O – Ośmioszeregowa

8 = Typ pamięci DRAM

4 – x4
8 – x8
6 – x16

L = Profil

Puste – Dowolna wysokość
H – 31,25mm
L – 18,75mm (VLP)

K2 = Zestaw + liczba elementów

Puste – Dowolna wysokość
K2 – Zestaw dwóch modułów
K3 – Zestaw trzech modułów

4 = Pojemność

4 – 4GB
8 – 8GB
16 – 16GB
32 – 32GB

H = DRAM Manufacturer

H – SK Hynix
K – Kingston
M – Micron
S – Samsung

B = Wersja matrycy

B – Wersja matrycy

I = Certyfikat firmy Intel

I - Certyfikat firmy Intel

Numer katalogowy: CBD48S40BD8MA-32

CBD = linia produktów

CBD – linia produktów

48 = szybkość (MT/s{{Footnote.A65242}})

48 – 4800
52 – 5200
56 – 5600

S = Typ modułu

U – DIMM (niebuforowany bez ECC)
S – SODIMM (niebuforowany bez ECC)

40B = opóźnienie CAS

40B – CL40-39-39
42B – CL42-42-42
46B – CL46-45-45

D = szeregi

S – jednoszeregowa
D – dwuszeregowa

8 = typ pamięci DRAM

8 – x8
6 – x16

M = producent układu DRAM

H – SK Hynix
M – Micron
S – Samsung

A = wersja płytki układu DRAM

A – płytka A
B – płytka B
M – płytka M

32 = całkowita pojemność

8 – 8GB
16 – 16GB
32 – 32GB

Numer katalogowy: CBD26D4U9D8HJV-16

CBD = linia produktów

CBD – linia produktów

26 = szybkość (MT/s{{Footnote.A65242}})

21 – 2133
24 – 2400
26 – 2666
32 – 3200

D4 = Technologia

D4 – DDR4

U = typ modułu

U – DIMM (niebuforowany bez ECC)
S – SODIMM (niebuforowany bez ECC)

9 = opóźnienie CAS

5 – CL15-15-15
7 – CL17-17-17
9 – CL19-19-19
2 – CL22-22-22

D = szeregi

S – jednoszeregowa
D – dwuszeregowa

8 = typ pamięci DRAM

8 – x8
1 – x16

H = producent układu DRAM

H – SK Hynix
K – Kingston
M – Micron
N – Nanya
S – Samsung

J = wersja płytki układu DRAM

A – płytka A
B – płytka B
C – płytka C
D – płytka D
E – płytka E
F – płytka F
H – płytka H
J – płytka J
R – płytka R

V = typ płytki PCB

Kolor czarny – Flash Gold
H – Hard gold
V – bardzo niski profil

16 = całkowita pojemność

4 – 4GB
8 – 8GB
16 – 16GB
32 – 32GB

Numer katalogowy: CBD16D3LFU1KBG/2G

CBD = linia produktów

CBD – linia produktów

16 = szybkość (MT/s{{Footnote.A65242}})

16 – 1600

D3L = technologia

D3 – DDR3 (1,5V)
D3L – DDR3L (1,35V/1,5V)

F = typ pamięci DRAM

Puste – x8
F – x16

U = typ modułu

U – DIMM (niebuforowany bez ECC)
S – SODIMM (niebuforowany bez ECC)

1 = opóźnienie CAS

1 – CL11-11-11

K = producent układu DRAM

K – Kingston
S – Samsung

B = wersja płytki układu DRAM

B – płytka B
D – płytka D
E – płytka E

G = typ płytki PCB

L – bardzo niski profil
G – Green (zgodny z RoHS)
H – Hard gold

2G = całkowita pojemność

2G – 2GB
4G – 4GB
8G – 8GB

Numer katalogowy: HX429C15PB3AK4/32

HX = Linia produktów

HX - HyperX (starsze wersje)

4 = technologia

3 - DDR3
4 - DDR4

29 = szybkość (MT/s{{Footnote.A65242}})

13 - 1333
16 - 1600
18 - 1866
21 - 2133
24 - 2400
26 - 2666
28 - 2800
29 - 2933
30 - 3000
32 - 3200
33 - 3333
34 - 3466
36 - 3600
37 - 3733
40 - 4000
41 - 4133
42 - 4266
46 - 4600
48 - 4800
50 - 5000
51 - 5133
53 - 5333

C = typ pamięci DIMM

C - UDIMM (Non-ECC Unbuffered)
S - SODIMM (Non-ECC Unbuffered)

15 = opóźnienie CAS

9 - CL9
10 - CL10
11 - CL11
12 - CL12
13 - CL13
14 - CL14
15 - CL15
16 - CL16
17 - CL17
18 - CL18
19 - CL19
20 - CL20

P = seria

F - FURY
B - Beast
S - Savage
P - Predator
I - Impact

B = radiator

Puste - niebieski
B - czarny
R - czerwony
W - biały

3 = wersja

2 - wersja 2
3 - wersja 3
4 - wersja 4

A = RGB

Puste - nie RGB
A - RGB

K4 = zestaw + liczba w zestawie

Puste – pojedynczy moduł
K2 - zestaw 2 modułów
K4 - zestaw 4 modułów
K8 - zestaw 8 modułów

32 = łączna pojemność

4 - 4GB
8 - 8GB
16 - 16GB
32 - 32GB
64 - 64GB
128 - 128GB
256 - 256GB

Numer katalogowy: KVR16LR11D8LK2/4HB

KVR = Kingston ValueRAM

KVR: Kingston ValueRAM

16 = Szybkość (MT/s{{Footnote.A65242}})

16: 1600
13: 1333
10: 1066

L = Niskie napięcie

Puste: 1,5V
L: 1,35V
U: 1,25V

R = Typ modułu

E: Niebuforowana pamięć DIMM (ECC)
N: Niebuforowana pamięć DIMM (bez ECC)
R: Rejestrowana pamięć DIMM z funkcją parzystości adresów/poleceń
L: Moduł Load Reduced DIMM (LRDIMM)
S: SO-DIMM

11 = Opóźnienie CAS

11: Opóźnienie CAS

D = Szeregi

S: Jednoszeregowa
D: Dwuszeregowa
Q: Czteroszeregowa

8 = Typ pamięci DRAM

4: układ DRAM x4
8: układ DRAM x8

L = Profil

L: 18,75mm (VLP)
H: 30mm

K2 = Zestaw + liczba elementów

K2: Zestaw dwóch modułów
K3: Zestaw trzech modułów
K4: Zestaw czterech modułów

4 = Pojemność

4: 4GB
8: 8GB
12: 12GB
16: 16GB
24: 24GB
32: 32GB
48: 48GB
64: 64GB

H = DRAM MFGR/Certyfikaty

H: Hynix
E: Elpida
I: Certyfikat firmy Intel

B = Wersja matrycy

B: Wersja matrycy

Numer katalogowy: KVR1066D3LD8R7SLK2/46HB

KVR
1066
D3
L
D
8
R
7
S
L
K2
/
4G
H
B

KVR = Kingston ValueRAM

KVR: Kingston ValueRAM

1066 = Szybkość (MT/s{{Footnote.A65242}})

1066 - Szybkość

D3 = Technologie

D2: DDR2
D3: DDR3

L = Niskie napięcie

Puste: 1,5V
L: 1,35V
U: 1,25V

D = Szeregi

S: Jednoszeregowa
D: Dwuszeregowa
Q: Czteroszeregowa

8 = DRAM

4: układ DRAM x4
8: układ DRAM x8

R = Typ modułu

P: Rejestrowanie z parzystością (tylko w przypadku modułów rejestrowanych)
E: Niebuforowana pamięć DIMM (ECC)
F: FB DIMM
M: Mini-DIMM
N: Niebuforowana pamięć DIMM (bez ECC)
R: Rejestrowana pamięć DIMM z funkcją parzystości adresów/poleceń
S: SO-DIMM
U: Micro-DIMM

7 = Opóźnienie CAS

7: CAS Latency

S = Czujnikiem termicznym

Puste: Bez czujnika termicznego
S: Z czujnikiem termicznym

L = Profil

Puste: Dowolna wysokość
L: 18,75mm (VLP)
H: 30mm

K2 = Zestaw + liczba elementów

Puste: Pojedynczy moduł
K2: Zestaw dwóch modułów
K3: Zestaw trzech modułów

4G = Pojemność

4G: Pojemność

H = DRAM MFGR

H: DRAM MFGR

B = Wersja matrycy

B: Wersja matrycy

Numer katalogowy: KVR400X72RC3AK2/1G

KVR = Kingston ValueRAM

KVR: Kingston ValueRAM

400 = Szybkość (MT/s{{Footnote.A65242}})

X72 = X72 ECC

X72: X72 ECC

R = Rejestrowana

R: Rejestrowana

C3 = Opóźnienie CAS

C3: Opóźnienie CAS

A = DDR400 3-3-3

A: DDR400 3-3-3

K2 = Zestaw + liczba elementów

K2: Zestaw dwóch modułów

1G = Pojemność

1G: Pojemność

Czas oczekiwania (timing)

Poniższe informacje opisują różne ustawienia, które można zmienić, modyfikując timingi pamięci w BIOS-ie płyty głównej w celu uzyskania optymalnej wydajności. Ustawienia te mogą się różnić w zależności od marki/modelu płyty głównej lub wersji BIOS-u.

Przykład

tRCD

tRP/tRCP

tRA/tRD/tRAS

Opóźnienie CAS (CL): opóźnienie między aktywacją wiersza a odczytaniem z niego danych.

Opóźnienie RAS do CAS lub RAS do kolumny (tRCD): aktywuje wiersz.

Opóźnienie wstępnego zainicjowania wiersza lub opóźnienie wstępnego zainicjowania RAS (tRP/tRCP): dezaktywuje wiersz.

Opóźnienie aktywnego wiersza lub opóźnienie aktywnego RAS albo czas do gotowości (tRA/tRD/tRAS): liczba cykli zegara między aktywacją/dezaktywacją wiersza.

Zastrzeżenie: wszystkie produkty firmy Kingston są testowane pod kątem podanych specyfikacji. Niektóre konfiguracje systemu lub płyty głównej mogą nie obsługiwać podanych przez firmę Kingston parametrów szybkości pamięci i ustawień timingu. Firma Kingston odradza użytkownikom podejmowanie prób uruchamiania komputera z ustawieniem wyższej szybkości niż podana. Przetaktowanie systemu lub zmodyfikowanie timingu może spowodować uszkodzenie podzespołów komputera..

Dekoder numerów katalogowych pamięci Kingston

Kingston FURY™ DDR5

Kingston Server Premier DDR5

Kingston ValueRAM DDR5

Kingston FURY™ DDR4/DDR3 – dekoder numerów katalogowych

Kingston Server Premier DDR4

Kingston ValueRAM DDR4

Moduły pamięci DRAM Kingston Design-In DDR5

Moduły pamięci DRAM Kingston Design-In DDR4

Moduły pamięci DRAM Kingston Design-In DDR3

HyperX® – dekoder numerów katalogowych

DDR3

DDR3 & DDR2

DDR

Czas oczekiwania (timing)

Przykład

Zasoby