La evolución de la tecnología de memoria

A raíz de los numerosos cambios que ha experimentado la informática en las últimas décadas, la tecnología de la memoria ha evolucionado a un ritmo sin precedentes. Desde la introducción del modo de página rápida (FPM) hasta la innovadora SDRAM de doble velocidad de datos «DDR5» de quinta generación, comprender estos avances es fundamental para cualquiera que quiera estar al día en el ámbito tecnológico.

En nuestro libro electrónico «La evolución de la tecnología de memoria», analizamos en profundidad los cambios, los tipos y el futuro de la tecnología DRAM, y ofrecemos información de un valor incalculable de manos de expertos del sector. A continuación encontrará un resumen de los temas que tratamos:

La evolución de la DRAM

Empecemos por un recorrido, desde la introducción de la DRAM de FPM a mediados de los 80, hasta la SDRAM en la década de los 90, que se sincronizó con el reloj de la CPU para funcionar de forma más eficiente. A partir de ese momento, llega el lanzamiento de la DDR (doble velocidad de datos) en el año 2000, que duplicaba la velocidad de transmisión de datos al transferirlos tanto en el flanco ascendente como en el descendente de la señal del reloj.

En las generaciones posteriores, de la DDR2 a la DDR4, se aumentó la velocidad, se redujo el consumo de energía y se mejoró la integridad de los datos. Por último, la DDR5, el último avance, ofrece velocidades de 4800MT/s a más de 8400MT/s, con funciones mejoradas de corrección de errores y gestión de la energía.

Tipos de módulos DRAM

En lo que respecta a la memoria, conocer las diferencias principales que existen entre los distintos tipos de módulos DRAM y sus aplicaciones específicas es crucial para determinar cuáles son sus necesidades:

• Memoria sin búfer (UDIMM, CUDIMM/SODIMM, CSODIMM/CAMM2): se utiliza habitualmente en equipos de sobremesa y portátiles de clase cliente, y es sencilla, asequible y rápida.
• Memoria registrada (RDIMM): se utiliza en servidores y estaciones de trabajo de alto rendimiento e incluye un registro para estabilizar las señales de datos, fundamental para entornos que requieran grandes cantidades de memoria.
• Memoria de carga reducida (LRDIMM): reduce la carga eléctrica del controlador de memoria, lo que permite instalar una memoria de mayor capacidad y que funcione velocidades más altas. Es idónea para servidores DDR3 y DDR4 de alto rendimiento.
• DIMM de rango multiplexor (MRDIMM): permiten aumentar la velocidad de transmisión de datos, el ancho de banda y la capacidad en comparación con los módulos DDR5 registrados convencionales, ya que utilizan registros especiales (MRCD) y búferes de datos (MDB) para funcionar al doble de la interfaz de host, lo que duplica la velocidad de transferencia.
• Memoria de alto ancho de banda (HBM): se ha desarrollado para las GPU y las aplicaciones de IA, y ofrece un alto rendimiento y capacidad con menos requisitos energéticos.

Latencia y velocidad

Es importante entender cómo están relacionadas la latencia y la velocidad a la hora de medir el rendimiento de la memoria. La latencia y la velocidad son dos atributos clave definidos por el organismo normativo del sector de la memoria (JEDEC) que se utilizan como métricas de rendimiento.

La combinación de velocidad, medida en megatransferencias por segundo (MT/s), y latencia, una serie de tiempos de reloj entre componentes, es la forma más precisa de medir el rendimiento de la memoria. En este libro electrónico se explica el equilibrio entre latencia y velocidad, y cómo elegir el tipo de memoria adecuado para sus necesidades específicas.

Compatibilidad y actualizaciones

En cuanto a la memoria, aquí encontrará algunos consejos prácticos para evitar problemas de compatibilidad y tomar las decisiones correctas en su próxima actualización o compilación:

• Compatibilidad con la placa base: compruebe qué tecnología de memoria y qué tipo de módulo específicos admite la placa base o sistema (por ejemplo, DDR4, DDR5, RDIMM en lugar de UDIMM).
• Velocidad: iguale o supere la velocidad de la DRAM actual para evitar problemas de rendimiento.
• Capacidad: elija módulos para instalarlos en pares o grupos idénticos, que se ajusten a la arquitectura de la placa base, y procure siempre sobredotar capacidad para tener en cuenta las necesidades de memoria futuras.
• Combinación de módulos DRAM: combinar distintos tipos de DRAM (anchura, densidad o marca) en los pares o grupos puede provocar inestabilidad.
• Corrección de errores: si instala módulos ECC sin búfer en una estación de trabajo cliente o convencional, asegúrese de verificar si la placa base y el modelo de procesador admiten la función ECC.

Casos de uso e impacto de la carga de trabajo

Existen muchos casos de uso comunes para los distintos tipos de memoria y cómo influyen en el rendimiento del sistema, pero, por lo general, los dispositivos de consumo se inclinan más por la sencillez y la velocidad de las memorias sin búfer para la informática de uso general. Por su parte, los servidores y las estaciones de trabajo se benefician de la estabilidad y fiabilidad de las memorias registradas, de carga reducida y de rango multiplexor de clase ECC. Las aplicaciones especializadas, como el uso de tarjetas gráficas y tarjetas aceleradoras de IA, se ajustan a tipos de memoria de alto rendimiento como la HBM, concebida para gestionar aplicaciones exigentes.

Claves para superar los desafíos de la fabricación

Descubra cuáles son los desafíos que plantea la fabricación de módulos DRAM y cómo los supera Kingston. Se requiere de una ingeniería avanzada y una integración precisa para obtener la máxima fiabilidad y rendimiento. Mediante pruebas exhaustivas en diversas condiciones se garantiza que solo lleguen al mercado memorias fiables.

Tendencias del mercado y desarrollos futuros

Manténgase a la vanguardia con nuestro análisis de los últimos avances tecnológicos dispuestos a definir el futuro. Estos avances, que abarcan desde soluciones de memoria pioneras hasta innovadores diseños de módulos, prometen revolucionar el rendimiento y la eficiencia en diversos sectores y casos de uso:

• DDR6: se centra en lograr un mayor rendimiento y buses de datos más amplios, y está prevista para 2027.
• CAMM2: se prevé que se convertirá en la solución modular mayoritaria para sistemas móviles y de factor de forma pequeño.
• Memoria CXL: Compute Express Link, o CXL, son expansores de memoria, que utilizan DRAM (DDR4, DDR5, HBM) en distintos factores de forma, para aumentar la capacidad de memoria y ampliar el conjunto de memoria utilizable para servidores.
• Módulos DIMM de reloj sin búfer (CUDIMM): incluyen un controlador de reloj en el módulo UDIMM para mejorar la estabilidad y fiabilidad a altas velocidades de memoria, lo que mejora el rendimiento para DDR5 a 6400MT/s y velocidades más altas.

Conclusión

Conocer la evolución y el futuro de la tecnología de memoria es crucial para mantener la competitividad en el mundo actual orientado a la tecnología. Este libro electrónico sirve de guía para conocer a fondo los avances en DRAM, obtener consejos prácticos sobre compatibilidad y actualizaciones, y vislumbrar las tendencias futuras. Equípese con los conocimientos necesarios para tomar decisiones con fundamento y mantenerse a la vanguardia de la evolución de la tecnología de memoria.

Descargar libro electrónico