1R (1 ранк, одноранковый)
Одна 64-битная шина данных на модуле памяти.
2R (2 ранка, двухранковый)
Две 64-битных шины данных на модуле памяти.
4R (4 ранка, четырехранковый)
Четыре 64-битных шины данных на модуле памяти.
8R (8 ранков, восьмиранковый)
Восемь 64-битных шин данных на модуле памяти.
AMD
Advanced Micro Devices, компания, разрабатывающая процессоры, наборы микросхем, графические процессоры и сопутствующие товары.
AMD EPYC™
Бренд процессоров AMD для настольных и портативных компьютеров.
AMD EXPO™
AMD’s Extended Profiles for Overclocking. Модули памяти с профилями AMD EXPO имеют определенные скорости, тайминги и напряжения, оптимизированные для систем AMD.
AMD Ryzen™
Бренд процессоров AMD для настольных и портативных компьютеров.
ARGB-подсветка
ARGB расшифровывается как «Addressable RGB» - адресуемая RGB подсветка - и представляет собой передовую технология подсветки, позволяющую настраивать и управлять каждым отдельным светодиодом. Вы можете одновременно отображать различные цвета и использовать впечатляющие световые эффекты, например отражения, пульсация или радуга.
AES (Advanced Encryption Standard)
См. FIPS. Блочный шифр для шифрования конфиденциальных электронных данных, используемый правительством США под названием FIPS 197 с 2002 года.
Защита распределения чтения при автоматическом обновлении (Auto-Refresh Read Distribution Protection)
Функция автоматического обновления считывает все данные из областей флеш-памяти, в том числе те, из которых данные считываются редко, и при необходимости выполняет автоматическое исправление ошибок, чтобы предотвратить потерю данных, вызванную ошибками чтения, удержания данных и другими ошибками. Функция автоматического обновления выполняется в фоновом режиме, поэтому вызывает небольшую задержку отклика на команды даже в ходе процесса исправления.
Управление сбойными блоками (Bad Block Management)
Сбойные блоки содержат один или несколько ненадежных битов. Сбойные блоки появляются в процессе производства (ранние сбойные блоки) или в течение всего срока службы карты памяти (последующие сбойные блоки). Появление обоих типов сбойных блоков неизбежно, поэтому управление сбойными блоками необходимо для управления этими ошибками в устройствах флеш-памяти NAND. Управление сбойными блоками идентифицирует и помечает сбойные блоки, а затем использует свободную дополнительную емкость для замены неисправных блоков. Это предотвратит запись данных в сбойные блоки и повысит надежность продукта. Если в сбойном блоке есть данные, механизм перемещает данные в рабочий блок, чтобы предотвратить потерю данных.
Узнайте, как управление сбойными блоками применяется к твердотельным накопителям компании Kingston, eMMC и картам памяти SD/microSD Industrial.
Банк данных
Банк данных в памяти может относиться в области вычислений к нескольким понятиям. Во-первых, он чаще всего относится к независимому массиву линий передачи данных в микросхеме DRAM, где временно хранится информация. Когда контроллер памяти обращается к банку данных, он делает это одновременно в одном и том же месте во всех микросхемах ранка. Второе значение банка данных относится к группе разъемов многоканальной памяти на системной плате.
бит
Сокращение от «binary digit» (двоичная единица). Это основная единица измерения данных в вычислениях, представленная как 0 или 1 (вкл или выкл).
Метод подбора паролей
Простая кибератака, которая пытается взломать пароль или криптографический ключ, перебирая все возможные решения.
Байт
Восемь бит равны одному байту. Это единица измерения для хранения информации, например, одного символа текста. Комбинации битов и байтов составляют основной язык вычислений.
CAMM
CAMM (Compression-Attached Memory Module) буквально означает «модуль памяти, подключенный нажатием», его установка сходна со способом установки процессоров Intel. Это собственный тип модуля памяти, разработанного компанией Dell для использования в их тонкопрофильных ноутбуках.
CAMM2
CAMM2 — это модуль отраслевого стандарта JEDEC, представленный компанией Dell на основе их оригинальной концепции CAMM. В 2022 году Dell представила свой проект CAMM организации JEDEC, что дало возможность членам комитета по стандартизации JEDEC вносить свой вклад и/или создавать новые разработки для любых пользователей в отрасли. Вместо контактов/выводов на нижнем крае модуля, который вставляется в слот, CAMM2 оснащен контактными площадками на нижней стороне модуля, которые прижимаются к пружинным контактам в тонком сокете на материнской плате. Затем модуль памяти CAMM2 фиксируют винтами. JEDEC поддерживает два типа памяти DRAM для CAMM2: DDR5 CAMM2 и LPDDR5 CAMM2. В DDR5 CAMM2 используются чипы DDR5 памяти общей емкостью от 8 до 128 ГБ, организованными в один или два канала памяти, одно- или двухфазные PMIC и тактовые драйверы. В модулях LPDDR5 CAMM2 (LPCAMM2) используются чипы LPDDR5 памяти, потребляющие меньшую мощность, что полезно для мобильных систем и систем малого форм-фактора. CAMM2 модули DDR5 и LPDDR5 CAMM2 не взаимозаменяемы в системе и используют разные схемы разводки контактов при подключении к материнской плате.
Емкость
Общее количество имеющихся ячеек памяти, содержащееся в модуле памяти, выраженное в гигабайтах (ГБ). Для комплектов указанная емкость — это совокупная емкость всех модулей в комплекте.
CAS-латентность/CL
CAS — это аббревиатура от Column Address Strobe, а CAS-латентность (CL) — это время, необходимое в тактовых циклах для поиска открытой строки памяти, к которой необходимо получить доступ. (например, CL32, CL40).
CSODIMM
CSODIMM расшифровывается как «Clocked Small Outline Dual In-Line Memory Module» (малогабаритный модуль памяти с собственным тактированием и двусторонним расположением контактов). Начиная с памяти DDR5 со скоростью 6400 МТ/с, отраслевые стандарты JEDEC требуют включения компонента клиентского тактового драйвера (CKD) на модулях SODIMM. Клиентский тактовый драйвер выполняет функцию буфера для тактового сигнала между контроллером памяти (интегрированным в центральный процессор) и чипами памяти, улучшая целостность и стабильность сигнала, тем самым обеспечивая более высокую скорость.
CUDIMM
CUDIMM является аббревиатурой от «Clocked Unbuffered Dual In-Line Memory Module» (небуферизованный модуль памяти с собственным тактированием и двусторонним расположением контактов). Начиная с памяти DDR5 со скоростью 6400 МТ/с, отраслевые стандарты JEDEC требуют включения компонента клиентского тактового драйвера (CKD) на модулях UDIMM. Клиентский тактовый драйвер выполняет функцию буфера для тактового сигнала между контроллером памяти (интегрированным в центральный процессор) и чипами памяти, улучшая целостность и стабильность сигнала, тем самым обеспечивая более высокую скорость.
Канал
В случае твердотельных накопителей канал обозначает количество чипов флеш-памяти, с которыми контроллер может взаимодействовать одновременно. Твердотельные накопители (SSD) начального уровня обычно имеют 2 или 4 канала; твердотельные накопители с более высокой производительностью обычно имеют 8 каналов, вплоть до 16 каналов в твердотельных накопителях для центров обработки данных.
Информацию о каналах в модулях памяти см. в разделе «Канал памяти».
Организация микросхем / ширина DRAM
Компоненты DRAM имеют внутреннюю структуру, которая организуется по рядам и столбцам. Организация микросхем обозначает ширину столбца компонента DRAM. Ширина столбцов DRAM, используемых для модулей памяти, составляет x16 («на 16»), означая 16 столбцов, x8 и x4. Эти ширины соответствуют типам модулей памяти и компьютеров, в которых они могут использоваться. Например, x16 можно использовать только на модулях памяти DIMM или SODIMM, используемых в ПК или ноутбуках, в то время как x4 можно использовать только на модулях DIMM для серверов или рабочих станций. Модуль памяти с организацией микросхемы x4 означает, что все компоненты DRAM на модуле имеют одинаковую ширину столбца.
Крипточип
Аппаратный инструмент, который защищает данные на USB-накопителе, сохраняя управление ключами шифрования на устройстве, где они могут быть защищены. В флеш-накопителях серии IronKey используются крипточипы.
Скорость передачи данных
Для оперативной памяти (ОЗУ) скорость передачи данных — это класс скорости модуля памяти (ранее совпадал с частотой). Для памяти DDR5 скорость передачи данных модуля 4800 МТ/с (мегатрансферов в секунду) указывает на возможность совершения 4800 миллионов транзакций за секунду по одной линии данных.
DDR / Удвоенная скорость передачи данных / DDR SDRAM
«DDR» является сокращенной аббревиатурой от Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory (синхронная динамическая оперативная память с удвоенной скоростью передачи данных). Синхронная DRAM передает данные по тактовому генератору, в то время как DDR SDRAM передает данные как по переднему, так и по заднему фронту такта, то есть дважды за тактовый цикл. Таким образом, скорость передачи данных оказывается вдвое больше частоты. «DDR» также относится к первому поколению модулей памяти DDR SDRAM, которые появились в 1998 году и обеспечивали скорость передачи данных 200, 266, 333 и 400 МТ/с на протяжении всего срока службы при напряжении всего 2,5 В на модуль.
DDR2
DDR2 — это второе поколение модулей DDR SDRAM. Эта память потребляла меньше энергии, всего 1,8 В на модуль, а скорость передачи данных увеличивалась по мере выхода, начиная с 400 МТ/с в 2003 г. до 533, 667, 800 и 1066 МТ/с.
DDR3
DDR3 — это третье поколение памяти DDR SDRAM, впервые появившееся в 2007 году. Память DDR3 использовала меньше энергии, чем DDR2 (1,5 В на модуль), а ее скорость увеличивалась с 800 МТ/с до 1066, 1333, 1600, 1866 и 2133 МТ/с.
DDR3L
DDR3L появилась как подспецификация стандарта DDR3 JEDEC. Обладая теми же скоростями и таймингами, что и DDR3, память DDR3L снижает напряжение до 1,35 В, экономя заряд аккумулятора ноутбуков и уменьшая нагрев в серверах. Память DDR3L обратно совместима с DDR3 и переключается на 1,5 В в более старых системах или при одновременном использовании со стандартными модулями DDR3.
DDR4
DDR4 — это четвертое поколение памяти DDR SDRAM, которое появилось в 2014 году. DDR4 охватывает диапазон скоростей 1600, 1866, 2133, 2400, 2666, 2933 и 3200 МТ/с при напряжении всего 1,2 В на модуль. DDR4 включала значительные улучшения по сравнению с DDR3, начиная с формы модуля DIMM. Изгиб в нижней центральной части модуля DIMM предназначен для улучшения посадки в сокет и повышения прочности модуля по отношению к силе, которая применяется при его установке и потенциально может повредить микросхемы.
DDR5
DDR5 — пятое поколение памяти DDR SDRAM, выпущенное в 2020 году. DDR5 имеет диапазон скоростей 3200, 3600, 4000, 4400, 4800, 5200, 5600, 6000, 6400, 6800 и 7200 МТ/с. Энергопотребление DDR5 значительно снижено — всего до 1,1 В на модуль. Кроме того, в модуль включена микросхема управления питанием (PMIC) для улучшения своевременного распределения питания туда, где это необходимо. Модули DDR5 значительно повысили эффективность по сравнению с предыдущими поколениями за счет удвоения банков и длительности импульсов. Это позволяет обновлять один и тот же банк памяти и разделить модуль на два 32-битных подканала с независимой адресацией. Целостность данных также улучшилась за счет встроенной ECC ( on-die ECC), способной исправлять битовые ошибки в отдельных компонентах DDR5 DRAM.
Design-In
«Design-in» относится к категории нестандартных ПК/устройств, таких как киоски, POS-системы, цифровые вывески, диагностическое оборудование и т. д. Kingston производит дискретные компоненты, модули и накопители специально для этой категории вычислительной техники.
Ревизия Чипа
Относится к буквенному обозначению компонента DRAM от производителя полупроводников. Эти буквы обычно указывают на определенную плотность и дизайн.
DIMM / Dual In-line Memory Module
DIMM — это аббревиатура от Dual In-Line Memory Module (модуль памяти с двухрядным расположением микросхем). Модули этого типа имеют отдельные электрические контакты на каждой стороне модуля. Это позволяет передавать данные в модуль и из модуля независимо с каждой стороны.
Ознакомьтесь с нашими модулями памяти DRAM.
Плотность DRAM
Индивидуальная емкость микросхемы DRAM называется «плотностью» и измеряется в мегабитах или гигабитах. Чем выше плотность DRAM, тем выше емкость модуля памяти. Как правило, плотность удваивается с каждым следующим поколением памяти, однако в случае DDR5 существует промежуточная плотность 24 Гбит, также называемая «небинарная» Ниже приведены общие плотности, характерные для каждого поколения памяти:
DRAM / Dynamic Random Access Memory
DRAM является аббревиатурой от Dynamic Random Access Memory (динамическая оперативная память) и является наиболее распространенным типом технологии ОЗУ, используемой сегодня в вычислительной технике. Чипы DRAM изготовлены из полупроводников, размещенных в сетке линий передачи данных с конденсаторами и транзисторами, которые могут накапливать электрические заряды для представления единиц и нулей в вычислительном коде.
Двухканальная память
Архитектура сокета памяти, в который установлены два одинаковых модуля памяти, объединяющие свою пропускную способность для повышения производительности системы.
Двухранковый
2 ранка, или двухранковый, сколько 64-битных данных загружается в модуль.
Динамическое обновление данных
Динамическое обновление данных гарантирует, что во время операций только для чтения блоки с большим количеством ошибок удаляются и обновляются для последующего использования. Во время каждой команды чтения контроллер выполняет трехэтапную проверку целевого блока: первый этап — проверка наличия отметки «необходимо обновить»; второй этап — проверка количества битов ошибок, присутствующих в данный момент; третий этап — проверка количества повторных попыток, присутствующих в данный момент.
EC4
Обозначение JEDEC для модуля памяти серверного класса DDR5 шириной 72 бита.
EC8
Обозначение JEDEC для модуля памяти серверного класса DDR5 шириной 80 бита.
ECC / Код исправления ошибок
Код исправления ошибок — это алгоритм,осуществляющий исправление одиночных или массовых битовых ошибок данных. Для оперативной памяти (RAM) ECC предусмотрен в контроллере памяти процессора, обычно предназначенного для серверов или рабочих станций. Для выполнения проверки и исправления ошибок контроллером памяти необходимо использование модулей памяти с поддержкой технологии ECC (ECC Unbuffered), имеющих дополнительные чипы памяти, обеспечивающие дополнительную ширину шины данных. В случае DDR3 и DDR4 ECC поддерживают 72-разрядные (x72) модули, в то время как в случае DDR5 ECC поддерживают как 72-разрядные (x72 или EC4), так и 80-разрядные (x80 или EC8) модули.
ECC UDIMM / ECC CUDIMM / ECC SODIMM / ECC CSODIMM
Небуферизованные модули с ECC оснащены дополнительными чипами памяти для поддержки алгоритма ECC.
EEPROM
EEPROM — это аббревиатура, означающая Electrically Erasable Programmable Read-only Memory (электрически стираемая программируемая постоянная память). Это компонент модуля памяти, в котором хранится важная информация о спецификациях модуля. SPD считается EEPROM.
FAT
Таблица размещения файлов (FAT) — это файловая система, разработанная для жестких дисков. Используется операционной системой (ОС) для управления файлами на жестких дисках и в других компьютерных системах. Обычно используется во флеш-памяти, цифровых камерах и портативных устройствах. Используется для хранения информации о файлах и продления срока службы жесткого диска. Подробнее о файловых системах.
FIPS (Federal Information Processing Standards)
Стандарты и рекомендации для федеральных компьютерных систем США, разработанные Национальным институтом стандартов и технологий (NIST) в соответствии с Федеральным законом об управлении информационной безопасностью (FISMA) и одобренные министром торговли.
FIPS 197
Стандарты и рекомендации для федеральных компьютерных систем США, разработанные Национальным институтом стандартов и технологий (NIST) в соответствии с Федеральным законом об управлении информационной безопасностью (FISMA) и одобренные министром торговли. Advanced Encryption Standard (также известный как Rinjdael), вариант разработанного в Бельгии блочного шифра. Используются 128-, 192- или 256-битные ключи: AES-128 никогда не подвергался взлому методом перебора пароля и достаточно защищен, чтобы его можно было очистить для использования с секретными данными. Это первый и единственный общедоступный шифр, одобренный Агентством национальной безопасности США для совершенно секретной информации (192-битное шифрование или выше).
FIPS 140-2 уровня 3
Общий правительственный стандарт компьютерной безопасности, принятый в 2019 году. Помимо обеспечения безопасности производственного уровня и выполнения требований к аутентификации ролей и устойчивости к физическому взлому, системы, соответствующие этому стандарту, должны иметь разделение между интерфейсами, через которые «критические параметры безопасности» входят в модуль и выходят из него.
Флеш-память
Флеш-память является энергонезависимой (тип памяти, сохраняющей данные при отсутствии источника питания). Флеш-память обычно используется в таких устройствах, как твердотельные накопители (SSD) и USB-накопители. Обычно встречается в персональных компьютерах, а также в корпоративных решениях для хранения данных.
Форм-фактор
Обычно это относится к размеру и форме электронного компонента, такого как SSD или DRAM.
Обычные твердотельные накопители доступны в форм-факторах 2,5 дюймов, M.2, U.2 и mSATA, как определено Ассоциацией индустрии сетей хранения данных (SNIA). Подробнее о форм-факторах твердотельных накопителей.
С помощью модулей памяти DRAM отраслевые стандарты JEDEC определяют размеры и типы разъемов для модулей памяти DRAM. Наиболее распространенными форм-факторами для модулей памяти DRAM являются DIMM и SODIMM.
Частота
Обычно называется скоростью, скоростью передачи данных или тактовым циклом ОЗУ.
Очистка памяти
Очистка памяти от ненужных данных очень важна для обеспечения долговечности и сохранения быстродействия флеш-памяти NAND. Устройства на основе флеш-памяти NAND не могут перезаписывать данные, уже находящиеся на накопителе. Они должны выполнить цикл программирования-стирания; для записи в уже использованный блок данных контроллер флеш-памяти NAND сначала должен скопировать все действительные данные (которые еще используются) и записать их в пустые страницы другого блока, очистить все ячейки в текущем блоке (от действительных и недействительных данных), а затем выполнить запись новых данных в уже очищенный блок. Этот процесс называется очисткой памяти. Узнать больше.
Режимы работы контроллера памяти Gear
Процессоры нового поколения Intel (11th Gen и новее) и процессоры AMD (Ryzen) поддерживают режимы работы Gear, представляющие собой настраиваемое в BIOS соотношение частот между контроллером памяти процессора и модулем памяти. Gear 1 означает, что скорости контроллера памяти процессора и модуля памяти равны (в соотношении 1:1) и являются наилучшим режимом для производительности с наилучшей задержкой. Gear 2 уменьшает скорость контроллера памяти процессора вдвое, что позволяет повысить скорость модуля памяти, немного жертвуя параметрами задержки. Gear 4 снижает скорость контроллера памяти процессора вчетверо, обеспечивая наивысшую скорость и пропускную способность модуля, но при этом жертвуя параметрами задержки в целом. Режимы Gear, как правило, по умолчанию установлены на «автоматический режим», позволяющий контроллеру памяти настраивать их на основе скорости памяти, однако они также могут быть выбраны вручную в BIOS.
Гбит/с / гигабит в секунду
Мера пропускной способности в миллиардах бит.
Гигабит / Гб / Гбит
1 миллиард бит или 1000 Мб. Обычно используется для описания плотности размещения компонентов, таких как отдельные микросхемы DRAM.
Гибабайт / ГБ/ Гбайт
1 миллиард байт или 1000 МБ. Обычно используется для обозначения емкости модулей памяти или твердотельных накопителей.
ГТ/с
ГТ/с означает гигатрансферы в секунду.
Теплоотвод
Металлический экран, прикрепленный к модулям и предназначенный для рассеивания тепла.
Память с высокой пропускной способностью (HBM)
Новая технология памяти DRAM, разработанная AMD в 2008 году для удовлетворения растущего спроса на высокопроизводительную память с высокой емкостью для поддержки графических процессоров с учетом более жестких требований к снижению энергопотребления. Память HBM была принята JEDEC в качестве отраслевого стандарта технологии памяти в 2013 году, а полупроводниковые компании SK Hynix, Samsung и Micron стали ее производителями. За последнее десятилетие этот стандарт развивался для увеличения поддержки более высокой емкости памяти в большем количестве слоев, использования более широких шин данных и более высокой пропускной способности: насчитывается уже несколько поколений этого вида памяти — HBM, HBM2, HBM2E, HBM3, HBM3E. Помимо видеокарт, компоненты памяти HBM нашли новое применение, поддерживая потребности в высокой производительности процессоров искусственного интеллекта.
Infrared Sync Technology™ / IR Sync
Это запатентованная технология синхронизации, использующая инфракрасные компоненты в модулях памяти Kingston HyperX и FURY для согласования шаблонов RGB-подсветки.
Intel®
Intel Corporation. Разработчик и производитель вычислительных платформ, выпускающий процессоры (CPU), чипсеты, графические процессоры (GPU) и другие технологии.
Intel® Xeon®
Линейка процессоров Intel® для серверов/высокопроизводительных настольных ПК с поддержкой памяти ECC, большим количеством ядер и высокой пропускной способностью для поддержки большого объема ОЗУ и графических процессоров.
Intel® XMP 2.0
Intel® Extreme Memory Profiles — это спецификация Intel, позволяющая производителям памяти и системных плат создавать профили разгона (DDR3 и DDR4), чтобы облегчить разгон для конечного пользователя.
Intel® XMP 3.0
Последняя версия XMP для DDR5, которая поддерживает до пяти профилей: три для производителя памяти и два настраиваемых пользователем для ручного разгона.
Сертификат Intel® XMP 3.0
Деталь или комплект, которые прошли программу самостоятельной сертификации Intel или были отправлены в нее.
Поддержка Intel® XMP 3.0
Деталь или комплект, соответствующий спецификации Intel® XMP 3.0.
Сертификат Intel® XMP 2.0
Деталь или комплект, которые прошли программу самостоятельной сертификации Intel или были отправлены в нее.
Поддержка Intel® XMP 2.0
Деталь или комплект, соответствующий спецификации Intel® XMP 2.0.
JEDEC
JEDEC — это аббревиатура от Joint Electronic Device Engineering Council, который является органом по отраслевым стандартам для многих полупроводниковых и компьютерных технологий. JEDEC — это консорциум отраслевых компаний, которые вместе устанавливают стандарты, одним из которых является память.
Kingston FURY™ Beast
Линейка продуктов Kingston UDIMM начального уровня с возможностью разгона.
Kingston FURY™ Impact
Линейка продуктов Kingston SODIMM с возможностью разгона.
Kingston FURY™ Renegade
Линейка высокопроизводительных продуктов Kingston UDIMM с возможностью разгона.
Kingston FURY™ Renegade Pro
Линейка высокопроизводительных модулей DDR5 RDIMM для оверклокинга от Kingston.
Комплект
Номер по каталогу, который включает в себя несколько модулей памяти, обычно для поддержки двух-, трех- или четырехканальной архитектуры памяти. Например, K2 = 2 DIMM в комплекте, чтобы составить общую емкость.
Длина (мм) x высота (мм) x ширина (мм)
Размеры модуля в миллиметрах, включая теплоотвод.
Модули DIMM со сниженной нагрузкой / LRDIMM
Аналогично регистровым модулям DIMM (RDIMM), модули LRDIMM имеют буферы данных для снижения нагрузки на контроллер памяти, который в противном случае переключал бы скорости памяти для компенсации. Технология LRDIMM позволяет использовать модули большой емкости без ущерба для производительности.
M.2
Форм-фактор для плат расширения, устанавливаемых внутри компьютера. Позволяет использовать модули разной ширины и длины.
Мегабайты / МБ
1 миллион байт или 1000 КБ. Обычно используется для обозначения емкости данных модулей памяти, твердотельных накопителей и других устройств флеш-памяти.
MCRDIMM
MCRDIMM является аббревиатурой от «Multiplexer Combined Ranks Dual Inline Memory Module» (модуль DIMM с мультиплексором для комбинирования ранков). Это серверный модуль DDR5, поддерживаемый Intel, который обеспечивает высокую производительность и высокую емкость памяти для серверных платформ Intel Xeon. Подобно устройству и конструкции DDR5 MRDIMM стандарта JEDEC, память MCRDIMM способна работать одновременно с двумя ранками, доставляя 128 байт данных в процессор одновременно. Повышенная скорость передачи обеспечивается за счет использования буферов данных с мультиплексором и регистрового тактового драйвера с мультиплексированием, достигая скоростей более 8000 МТ/с.
MRDIMM
MRDIMM является аббревиатурой от «Multiplexed Rank Dual Inline Memory Module» (многоранговый модуль DIMM). Это тип модуля DDR5 отраслевого стандарта JEDEC, предназначенный для использования в серверных средах. Модули MRDIMM обеспечивают повышенную скорость передачи данных, большую пропускную способность и большие емкости по сравнению с обычными регистровыми модулями DIMM DDR5, используя специальные регистры (MRCD) и буферы данных (MDB) для двукратного увеличения возможностей хост-интерфейса, фактически удваивая скорость передачи данных. Существует два основных форм-фактора для памяти MRDIMM: Standard Height и Tall Form Factor (TFF) на 56,9 мм. Начальная скорость для памяти MRDIMM первого поколения составляет 8800 МТ/с, а для второго поколения — 12 800 МТ/с.
Мегабиты / Мб
1 миллион бит или 1000 Кб. Обычно используется для обозначения плотности размещения компонентов, таких как DRAM.
Память
Устройство, обычно полупроводниковое, в котором хранятся данные, необходимые для использования в компьютере или другом оборудовании.
Канал памяти
Канал памяти — это путь передачи данных между модулем памяти и контроллером памяти (обычно находящимся внутри процессора). Большинство компьютерных систем (ПК, ноутбуки, серверы) имеют многоканальную архитектуру памяти, в которой каналы объединяются для увеличения производительности памяти. Двухканальная архитектура памяти означает, что при установке пары одинаковых модулей эффективная пропускная способность контроллера памяти удваивается.
Мегагерц / МГц
Мегагерц — стандартная метрика для миллиона циклов в секунду. Исторически используется для описания частоты/скорости передачи данных модуля памяти.
Мегатрансферы / МТ/с
Мегатрансферы означает миллион передач в секунду (МТ/с) и является правильным термином для описания скорости передачи данных (скорости) всех модулей памяти DDR, которые передают данные с удвоенной частотой.
Карта памяти microSD
Тип очень маленькой карты памяти, обычно используемой в мобильных телефонах и других портативных устройствах. Ознакомьтесь с нашей линейкой карт памяти microSD.
МТ/с
Мегатрансферы в секунду, скорость передачи данных, измеряемая в миллионах трансферов в секунду. Узнать больше.
NAND
Тип флеш-памяти, электронный энергонезависимый носитель данных, который можно электрическим образом стирать и перепрограммировать. NAND означает НЕ И, логический вентиль (средство создания определенного вывода в цифровой электронике).
Многоярусное расположение устройств NAND
Чтобы увеличить емкость памяти, энергонезависимое запоминающее устройство, такое как флеш-память NAND, может иметь несколько стеков кристаллов памяти (то есть, чипов) для формирования пакета кристаллов памяти. Пакет кристаллов памяти может быть реализован в различных формах, таких как DDP (пакет с двумя кристаллами), QDP (пакет с четырьмя кристаллами), ODP (пакет с 8 кристаллами), вплоть до HDP (пакет с 16 кристаллами). Технология многоярусного расположения кристаллов обеспечивает большую емкость в компактных форм-факторах, таких как USB-накопители или твердотельные накопители M.2.
«Небинарная» память
См. «Плотность DRAM».
Без ECC (Non-ECC)
Модуль, который не имеет разрядности данных (обеспечиваемой дополнительной DRAM) для поддержки алгоритма ECC.
Энергонезависимая память
Энергонезависимая память — это тип компьютерной памяти, способный удерживать сохраненные данные даже при отключении питания.
NVM Express™ (NVMe™)
Non-Volatile Memory Express, спецификация открытого интерфейса для доступа к энергонезависимой памяти компьютеров, например, к твердотельным накопителям.
Накристальная функция обнаружения и исправления ошибок On-Die ECC / ODECC
Встроенный on-die ECC, сокращенно ODECC, представляет собой ECC, встроенный в микросхему DRAM для исправления битовых ошибок перед их передачей в модуль. Для памяти эта технология была представлена в модулях DDR5.
PCB / печатная плата
PCB — это сокращение от Printed Circuit Board (печатная плата). Печатные платы — это носитель, на котором соединяются полупроводниковые микросхемы. Печатные платы, как правило, многослойные и содержат плоскости проводящих и изолирующих слоев. На каждом слое выгравирован шаблон, в котором проводящие материалы, такие как медь, используются для соединения полупроводниковых компонентов, смонтированных на поверхности внешних слоев.
PCI Express® (PCIe®)
Peripheral Component Interconnect Express, стандарт интерфейса для высокоскоростных компонентов, таких как графические процессоры или твердотельные накопители.
PCN
Аббревиатура — уведомление о внесении изменений в деталь/продукцию. Используется для документирования объявления о появлении новой продукции, изменения продукции, поэтапного отказа от продукта в конце срока службы или прекращения выпуска продукции.
PMIC
PMIC — это аббревиатура от Power Management Integrated Circuit (интегральная схема управления питанием). PMIC обычно используются для управления подачей питания на определенные компоненты устройства. PMIC включены в каждый модуль памяти DDR5.
Plug N Play / PnP
Plug and Play (PnP) может относиться ко многим типам вычислительных устройств, для работы которых не требуется специальное программное обеспечение или драйверы. В Kingston термин «Plug N Play» используется для описания применяемого Kingston новаторского метода разгона без включения профилей. Модули Kingston FURY с функцией PnP имеют тайминги разгона, запрограммированные в профиле JEDEC по умолчанию в SPD, что заставляет компьютер автоматически задействовать более высокую производительность.
Защита от отключения питания
Потери питания неизбежны и могут вызвать хаос в рабочей среде, если не используется надлежащее оборудование. Защита от отключения питания необходима для предотвращения потери данных. Поддерживаемое хост-устройство может отправить на карту памяти команду, которая остановит любую из выполняемых операций, если обнаружит падение мощности. Это позволяет карте памяти сохранить любые данные, которые записываются во время потери питания.
Четырехканальная
Архитектура сокета памяти, в который установлены четыре одинаковых модуля памяти, объединяющие свою пропускную способность для повышения производительности системы.
Четырехранковый
4 ранка, или четырехранковый, сколько 64-битных данных загружается в модуль.
QVL / список квалифицированных поставщиков
QVL — это аббревиатура, которая обычно означает список квалифицированных поставщиков. Производители ПК и материнских плат часто размещают списки QVL на своих сайтах поддержки. Они демонстрируют, какие компоненты (например, память и твердотельные накопители) были протестированы для работы с их системами.
ОЗУ / RAM / оперативная память
RAM — это аббревиатура от Random Access Memory (оперативная память). В вычислительной технике оперативная память обычно означает кратковременную память между хранилищем (твердотельный накопитель/жесткий диск) и процессором для обеспечения быстрого доступа. Сегодня оперативная память преимущественно энергозависима, то есть не хранит информацию без подачи электропитания.
Ранк
Ранк — это блок данных шириной 64 бита. Количество битов определяется количеством банков, а не чипов DRAM (т. е. восемь чипов x8 составляют 64 бита для формирования ранка). Модуль памяти может иметь несколько ранков, однако доступ к данным возможен одновременно только в одном ранке.
RAS
RAS — это аббревиатура, которая может относиться к нескольким понятиям в вычислительной технике. Во-первых, RAS может обозначать строб адреса ряда, который относится к запросу от процессора к ОЗУ на активацию ряда. RAS также может означать ( Reliability, Availability and Serviceability.) «надежность, доступность и удобство обслуживания». Это функции набора микросхем, такие как ECC, резервирование DIMM, параллелизм, зеркалирование и т. д., которые обеспечивают дополнительное резервирование оперативной памяти. Функции RAS чаще всего используются в системах класса рабочих станций и серверов.
Регистровый модуль DIMM / RDIMM (Registered DIMM)
Модуль памяти серверного класса оснащен регистром, также известным как регистровый тактовый драйвер (RCD), выполняющим функцию буфера между чипами DRAM (памяти) на модуле (DIMM) и контроллером памяти (обычно расположенным в центральном процессоре). Регистры позволяют использовать большее количество чипов памяти на модуль для достижения более высокой емкости, и большинство серверных чипсетов требуют использования модулей RDIMM в качестве основной памяти системы. Регистр управляет командными и адресными сигналами DRAM на модуле, используя дополнительный тактовый цикл для синхронизации данных во времени.
Совместимость с процессорами AMD Ryzen™
Программа самоаттестации AMD для разгона памяти на компьютерах на базе процессоров AMD Ryzen.
Регистр (Register)
Регистр — это сокращение от Registered Clock Driver (RCD), который действует как буфер между компонентами DRAM в модуле и контроллером памяти. Регистры позволяют использовать в модуле больше компонентов DRAM для достижения большей емкости. Регистр управляет командными и адресными сигналами DRAM на модуле, используя дополнительный тактовый цикл для синхронизации данных во времени.
RGB
RGB — это аббревиатура, означающая Red, Green, Blue (красный, зеленый и синий цвета), а светодиоды RGB используются для создания шаблонов подсветки. Светодиоды RGB являются неотъемлемой частью модулей памяти и из эстетических соображений расположены под рассеивателем света в теплоотводе. Ознакомьтесь с нашими продуктами с RGB-подсветкой.
SATA
SATA (сокращение от Serial Advanced Technology Attachment) представляет собой интерфейс компьютерной шины, который подключается к устройствам хранения данных, таким как жесткие диски и твердотельные накопители.
Карта памяти SD
Тип карты памяти, обычно используемый в цифровых камерах и других портативных устройствах. Ознакомьтесь с нашей линейкой карт памяти SD.
Класс скорости SD
SD Association установила стандарты, которые оценивают минимальную скорость передачи данных в соответствии с потребностями компаний, производящих видеозаписи и требующих определенных скоростей записи данных на карту памяти. Класс скорости SD, класс скорости UHS и класс скорости Video Speed Class стандартизировали это как для карт памяти, так и для устройств, гарантируя минимальную скорость записи и обеспечивая наилучшую производительность.
SDRAM / синхронная память DRAM
SDRAM — это аббревиатура, означающая Synchronous DRAM (синхронная динамическая память). Сегодня является основной технологией оперативной памяти для большинства компьютеров. Эта технология памяти впервые появилась в конце 1990-х годов и значительно повысила производительность за счет синхронизации передачи данных с тактовым генератором системы.
Server Premier
Server Premier — это линейка стандартных модулей памяти с ECC от Kingston, обычно для серверов и рабочих станций. Артикулы начинаются с «KSM». Модули памяти Server Premier можно заказать с блокировкой всех компонентов (Full Lock, полная блокировка) для обеспечения согласованности, или с блокировкой только ревизии кристалла чипов DRAM (DRAM Lock, блокировка DRAM).
SIMM / однорядный модуль памяти
SIMM — это аббревиатура, означающая «Single In-Line Memory Module» (однорядный модуль памяти). Это устаревший форм-фактор модулей памяти. Модули SIMM обычно были ограничены 32-битной шиной данных и не поддерживали независимый доступ к данным с каждой стороны контактов модуля.
Система в корпусе (SIP )
Система в корпусе (SiP) — это конструкция, используемая для объединения нескольких интегральных схем (ИС) и пассивных компонентов в один корпус. Корпуса могут располагаться в несколько ярусов. Обычно используется в твердотельных накопителях, USB-накопителях, SD-картах, мобильного телефонах и т. д.
SODIMM / SO-DIMM
SODIMM — это аббревиатура от «Small Outline DIMM». Аналогичные модулям DIMM, модули SODIMM меньше по размеру и используются в основном в ноутбуках и ПК с малым форм-фактором.
SPD / Serial Presence Detection
SPD — это аббревиатура от «Serial Presence Detect». SPD — это EEPROM, микросхема модуля памяти, которая содержит информацию о его характеристиках.
Скорость
В случае памяти скорость обычно относится к скорости передачи данных модуля. Для всех поколений памяти DDR скорость указывается в мегатрансферах в секунду (МТ/с). Скорость памяти может быть записана несколькими способами: DDR5-4800, или PC5-38400, или 4800 МТ/с DDR5. Скорость модуля также можно использовать для определения эффективной пропускной способности модуля, умножив ее на 8. Например, DDR5-4800 имеет эффективную пропускную способность 38 400 МБ/с, или 38,4 ГБ/с. Это пиковая скорость передачи данных, передаваемых в модуль и из модуля в секунду.
Информацию о скорости карт памяти SD и microSD см. в разделе «Класс скорости SD».
Класс скорости (класс 4, 6, 10)
SD Association стандартизировала рейтинг скорости для различных внешних карт памяти (SD, microSD). Они характеризуются как «класс скорости» и определяют абсолютную минимальную поддерживаемую скорость записи. Карты памяти могут относиться к классу 4 (4 МБ/с), классу 6 (6 МБ/с) или классу 10 (10 МБ/с). Узнать больше.
SSD
Твердотельный накопитель, устройство хранения данных, состоящее из наборов микросхем флеш-памяти NAND, где данные считываются и записываются контроллером флеш-памяти, а не механическим приводом, как в случае с жесткими дисками. Благодаря отсутствию механических частей твердотельные накопители работают более плавно и эффективно, чем жесткие диски. Еще одно преимущество твердотельных накопителей перед жесткими дисками заключается в том, что они не подвержены магнитным помехам. Ознакомьтесь с нашей линейкой твердотельных накопителей.
Мощный механизм коррекции ошибок (ECC)
Флеш-память NAND должна поддерживать целостность данных в ходе их перемещения из ПК в память NAND через контроллер флеш-памяти. Данные, перемещаемые из хост-устройства на карту памяти, часто называют «данными в полете» или «данными в пути» до того, как они будут действительно записаны во флеш-память NAND. Контроллеры флеш-памяти поддерживают технологию исправления ошибок (называемую ECC — код с исправлением ошибок (Error Correction Code)) для обнаружения и исправления большинства ошибок, которые могут отрицательно повлиять на данные в ходе их перемещения. Чипы флэш-памяти включают дополнительную информацию по коррекции ошибок в каждый блок записываемых данных; эта информация позволяет контроллеру флеш-памяти одновременно исправлять множество ошибок при чтении блока данных. Флеш-память NAND, как и жесткие диски, во время штатной работы будет встречаться с битовыми ошибками, которые она будет исправлять «на лету» при помощи своих данных ECC. Если устройство NAND будет содержать чрезмерное количество ошибок в блоке данных, тогда этот блок будет помечен как неисправный (Bad Block), он будет аннулирован, и вместо него в работу будет включен один из запасных блоков. В ходе этого процесса при необходимости данные будут скорректированы с помощью ECC. Использование запасных блоков продлевает срок службы и увеличивает долговечность твердотельных накопителей.
Узнайте больше об обнаружении и исправлении ошибок в твердотельных накопителях Kingston.
Подканал
В случае памяти подканал относится к конструктивной особенности модулей памяти DDR5, которые делят 64-битный адрес на два независимых 32-битных сегмента для повышения эффективности.
UDIMM / небуферизованный DIMM (Unbuffered DIMM)
Модуль 64-битной (x64) памяти (ОЗУ) без регистра или буфера. Небуферизованные модули традиционно используются в настольных ПК/рабочих станциях/ноутбуках.
UHS-I Video Speed Class
Класс скорости для видеозаписи. Минимальная скорость записи рассматриваемого носителя определяется буквой, за которой следует число. Класс скорости V30 имеет минимальную скорость записи 30 МБ/с.
Небуферизированный (Unbuffered)
В модуле нет буферов данных, таких как регистр.
U.2
Стандарт компьютерного интерфейса для подключения твердотельных накопителей, разработанный для корпоративного рынка. Обычно выпускается в форм-факторе 2,5 дюйма и обеспечивает больше места для хранения, чем M.2.
UHS-I
Ultra-High Speed – I (UHS-I) — это класс скорости для карт памяти SDHC и SDXC. UHS-I имеет скорость интерфейса шины до 104 МБ/с.
UHS-II
Ultra-High Speed – II (UHS-II) — это класс скорости для карт памяти SDHC и SDXC. UHS-I имеет скорость интерфейса шины до 312 МБ/с. Отличие от первой версии (UHS-I) заключалось в добавленном втором ряду контактов, в котором используется технология дифференциальной сигнализации пониженного напряжения (LVDS) для обеспечения более высоких скоростей передачи данных.
Класс скорости UHS (U1, U3)
Ultra High Speed (UHS) определяет минимальную устойчивую производительность для видеозаписи. SD Association создала два класса скорости UHS: класс скорости UHS 1 и класс скорости UHS 3. Класс скорости UHS 1 поддерживает скорость записи не менее 10 МБ/с, а класс скорости UHS 3 — не менее 30 МБ/с. Класс скорости UHS обычно обозначается цифрой 1 или 3 внутри символа U. Узнать больше.
USB
Универсальная последовательная шина (USB) — это стандартный интерфейс, который обеспечивает соединение между устройствами и хост-контроллером, таким как персональный компьютер (ПК) или смартфон. Он подключает периферийные устройства, такие как цифровые камеры, мыши, клавиатуры, принтеры, сканеры, мультимедийные устройства, внешние жесткие диски и флеш-накопители.
USB 3.2 Gen 1 (5 Гбит/с)/USB 3.2 Gen 2 (10 Гбит/с)/USB 3.2 Gen 2x2/USB 4
Разница между этими стандартами USB заключается в возможных скоростях передачи данных. USB 3.2 Gen 1 поддерживает скорость до 5 Гбит/с, USB 3.2 Gen 2 — до 10 Гбит/с, USB 3.2 Gen 2x2 — до 20 Гбит/с, а USB4 — до 40 Гбит/с. Дополнительная информация: Узнать больше.
Video Speed Class (V10, V30, V60, V90)
Класс скорости Video Speed Class был создан организацией SD Association для классификации карт, которые могут работать с более высокими разрешениями видео и функциями записи. Этот класс скорости гарантирует минимальную устойчивую производительность для записи видео. Он включает V6, V10, V30, V60 и V90. Класс скорости V90 означает, что минимальная скорость записи на карту памяти должна составлять 90 МБ/с, V30 — 30 МБ/с и так далее. Дополнительная информация: Узнать больше.
ValueRAM
Предлагаемая Kingston линейка стандартных модулей DIMM без ECC и модулей SODIMM, которые традиционно используются в настольных компьютерах и ноутбуках типа «белый ящик».
VLP / очень низкий профиль (Very Low Profile)
VLP относится к классификации JEDEC для высоты модуля памяти и предназначен для использования в системах с тонким профилем. В случае памяти DDR3 и DDR4 модули VLP UDIMM и VLP RDIMM имеют высоту 18,75 мм. Модули DIMM стандартного профиля DDR3 (30,00 мм) и DDR4/DDR5 (31,25 мм) считаются «низкопрофильными».
Выравнивание износа
Устройства флеш-памяти Kingston содержат контроллеры, использующие улучшенную технологию выравнивания износа, которая равномерно распределяет количество циклов программирования-стирания по всему объему флеш-памяти. Таким образом, выравнивание износа продлевает срок службы карты флеш-памяти.
x16
В случае памяти x16 относится к разрядности данных микросхемы DRAM (x16 — это 16-битная разрядность). DRAM x16 используется в модулях UDIMM и SODIMM и предназначена только для настольных компьютеров и ноутбуков с процессорами, поддерживающими этот тип DRAM.
x4
В случае памяти x4 относится к разрядности данных микросхемы DRAM (x4 — это 4-битная разрядность). Микросхемы x4 DRAM в основном используются в модулях RDIMM и LRDIMM. Такие модули могут поддерживать механизм ECC для обнаружения и исправления многобитовых ошибок.
x64
В случае памяти x64 означает 64-битный. Это общая разрядность, необходимая для формирования ранка.
x72
В случае памяти x72 означает 72-битный. Это указывает на модуль с 64-битным адресом плюс 8 бит для поддержки ECC. x72 — это разрядность для модулей RDIMM, ECC UDIMM, ECC SODIMM и LRDIMM для памяти DDR3, DDR4 и некоторых модулей памяти DDR5. Модули памяти DDR5 x72 также называются EC4.
x8
В случае памяти x8 относится к разрядности данных микросхемы DRAM (x8 — это 8-битная разрядность). x8 DRAM используются во всех типах модулей памяти, включая RDIMM.
x80
В случае памяти x80 означает 80-битный. Это относится к модулям типа DDR5 EC8. Модули DDR5 имеют два независимых 32-битных подканала, каждый из которых может иметь дополнительные 8 бит для поддержки ECC (всего 40 бит). В совокупности два подканала составляют 80 бит на ранк.
XMP
Intel Extreme Memory Profile, предварительно запрограммированные тайминги на модулях для разгона. Узнать больше.
XTS-AES
XEX Tweakable Block Ciphertext Stealing Advanced Encryption Standard; функционально — это настраиваемый блочный шифр для блоков данных размером 128 бит и более, использующий блочный шифр AES в качестве подпрограммы. Это высоконадежный режим шифрования, используемый многими организациями, как административными, так и корпоративными.