พ.ค. 2019
หน้าแรกของบล็อก

SDD แบบองค์กร vs รายย่อย

ศูนย์ข้อมูลระดับองค์กรที่เพิ่มจำนวนมากขึ้นอย่างต่อเนื่องทำให้ประสิทธิภาพในการรองรับข้อมูลต้องดีขึ้นตามไปด้วย ความเร็วในการเรียกค้นข้อมูลที่ต่ำของฮาร์ดดิสก์ (HDD) ปัจจุบันได้กลายเป็นปัญหาคอขวดของเซิร์ฟเวอร์ หลายแห่งจึงเริ่มให้ความสนใจกับไดร์ฟ SSD เพื่อเป็นทางเลือกในการเพิ่มประสิทธิภาพของศูนย์ข้อมูล เสถียรภาพในการทำงาน และลดค่าใช้จ่ายในการทำงานโดยรวม (OpEx)

เพื่อทำความเข้าใจข้อแตกต่างระว่าง SSD แต่ละประเภท เราจะต้องเข้าใจส่วนประกอบหลักสองอย่างของ SSD ก่อน ซึ่งประกอบไปด้วย Flash Storage Controller (หรือที่เรียกว่าชุดควบคุม SSD) และหน่วยความจำแฟลช NAND แบบไม่ลบเลือนซึ่งใช้เพื่อจัดเก็บข้อมูล

ในปัจจุบัน กลุ่มตลาด SSD และแฟลชเมมโมรี่ NAND แบ่งออกเป็นสามกลุ่มหลัก ๆ ได้แก่
  • อุปกรณ์ใช้งานทั่วไป (แท็บเล็ต กล้อง โทรศัพท์มือถือ)
  • ระบบไคลเอนท์ (เน็ตบุ๊ก โน้ตบุ๊ก Ultrabook AIO คอมพิวเตอร์เดสก์ทอปส่วนบุคคล) ระบบติดตั้งฟังก์ชั่นสำเร็จ/ระบบใช้งานทางอุตสาหกรรม (ตู้เกม ระบบทำงานเฉพาะด้าน ป้ายดิจิตอล)
  • ระบบประมวลผลระดับองค์กร (HPC เซิร์ฟเวอร์ศูนย์ข้อมูล)

การเลือก SSD สำหรับจัดเก็บข้อมูลที่เหมาะสมสำหรับศูนย์ข้อมูลระดับองค์กรจึงเป็นกระบวนการที่ต้องศึกษาและพิจารณาอย่างละเอียด เนื่องจากมีผู้จำหน่าย SSD หลายเจ้าและมีผลิตภัณฑ์หลากหลายประเภท อีกทั้ง SSD และหน่วยความจำแฟลช NAND ก็มีประสิทธิภาพไม่เท่าเทียมกัน

SSD ผลิตขึ้นเพื่อให้สามารถใช้แทนฮาร์ดดิสก์ (HDD) แบบแผ่นจานแม่เหล็กหมุนแบบเก่าหรือเสริมการทำงานอย่างไม่ยุ่งยาก มีจำหน่ายรองรับฟอร์มแฟคเตอร์มากมาย ทั้งขนาด 2.5 นิ้ว และสำหรับโปรโตคอล/อินเทอร์เฟซการสื่อสารอย่าง Serial ATA (SATA) หรือ Serial Attached SCSI (SAS) หรือใหม่ล่าสุดคือ PCIe เพื่อรองรับการรับส่งข้อมูลกับหน่วยประมวลผลกลาง (CPU) ของเซิร์ฟเวอร์

แม้ว่าการใช้งานจะไม่ยุ่งยาก แต่ก็ไม่สามารถรับประกันได้ว่า SSD จะเหมาะกับการใช้ในแอพพลิเคชั่นสำหรับองค์กรในระยะยาว อีกทั้งค่าใช้จ่ายจากการเลือก SSD ที่ผิดพลาดยังอาจทำให้เกิดภาระทางการเงินเพิ่มขึ้นและผลกระทบในเชิงประสิทธิภาพที่เกิดขึ้นเมื่อ SSD สึกหรอก่อนกำหนดจากการเขียนข้อมูลเป็นจำนวนมากทำให้การเขียนข้อมูลช้าลงแม้ยังไม่ถึงอายุการใช้งานที่กำหนด การเก็บข้อมูลจึงล่าช้า ซึ่งทำให้ต้องเปลี่ยนชิ้นส่วนใหม่ก่อนเวลาที่คาดการณ์ไว้

เราจะกล่าวถึงคุณสมบัติที่สำคัญสามประการที่ใช้แยกแยะ SSD ระดับองค์กรและสำหรับไคลเอนท์ เพื่อให้สามารถพิจารณาจัดซื้อไดร์ฟสำหรับเปลี่ยนแทนหรือสำหรับเพิ่มพื้นที่ให้กับศูนย์ข้อมูลระดับองค์กรได้อย่างคุ้มค่าที่สุด

ประสิทธิภาพ

SSD มีประสิทธิภาพในการอ่านและเขียนข้อมูลสูงมากทั้งแบบอ่านต่อเนื่องหรือแบบสุ่มจาก CPU โดยอาศัยสถาปัตยกรรมหลายช่องสัญญาณ และการสืบค้นข้อมูลแบบคู่ขนานจากชุดควบคุม SSD ไปยังชิปแฟลช NAND

ในศูนย์ข้อมูลปกติที่มีการประมวลผลข้อมูลบริษัทแบบสุ่มนับล้านไบต์ รวมทั้งต้องรองรับระบบ CAD และระบบวิเคราะห์ข้อมูลแผ่นดินไหว (เช่น Big Data) หรือในแอพพลิเคชั่นที่ต้องมีการเรียกค้นข้อมูลของลูกค้าทั่วโลกเพื่อตรวจสอบรายการธุรกรรม (เช่น OLTP) สื่อบันทึกข้อมูลจะต้องสามารถสืบค้นได้โดยใช้เวลาน้อยที่สุด และสื่อสารกับไคลเอนท์ที่ต้องการข้อมูลชุดเดียวกันได้มากที่สุดพร้อม ๆ กันโดยไม่ส่งผลต่อประสิทธิภาพในการทำงาน ความประทับใจในการใช้งานจะขึ้นอยู่กับค่าหน่วงเวลาที่ต่ำ ซึ่งจะทำให้รองรับการทำงานได้มากขึ้น

แอพพลิเคชั่นไคลเอนท์เป็นการใช้งานของผู้ใช้รายเดียวซึ่งข้อจำกัดระหว่างความเร็วต่ำสุดและสูงสุด (หรือค่าหน่วงเวลา) ในการรับส่งข้อมูลอาจไม่มีข้อจำกัดมากนัก

ระบบจัดเก็บข้อมูลที่มีความซับซ้อนที่เลือกใช้ SSD (เช่น Network Attached Storage, Direct Attached Storage หรือ Storage Area Network) อาจเกิดปัญหาขึ้นได้จากประสิทธิภาพที่ไม่สม่ำเสมอของไดร์ฟ ทำให้ส่งผลต่อการจัดเก็บข้อมูล เสถียรภาพในการทำงาน และคุณภาพในการให้บริการตามความรู้สึกของผู้ใช้

SSD ระดับองค์กรของ Kingston จะแตกต่างจาก SSD ไคลเอนท์ตรงที่ไม่เพียงแต่มีประสิทธิภาพในระดับสุดยอดในช่วงเริ่มการทำงานเท่านั้น แต่ยังมีพื้นที่จัดสรรพิเศษ (OP) ที่ทำให้เสถียรภาพในการทำงานเป็นไปอย่างต่อเนื่องแม้จะใช้งานไปแล้วเป็นเวลานาน ดูรายละเอียดเพิ่มเติมเกี่ยวกับไดร์ฟเฉพาะรุ่นได้จากเว็บไซต์ของ Kingston ในหมวด Enterprise SSDs{{Footnote.N48213}}

ทำให้มั่นใจได้ว่าระบบจัดเก็บข้อมูลจะมีการทำงานที่สม่ำเสมอตามเกณฑ์ คุณภาพในการให้บริการ ที่องค์กรคาดหวัง (QoS) แม้ในช่วงที่มีการสื่อสารข้อมูลเป็นจำนวนมาก

ความเชื่อถือได้

หน่วยความจำแฟลช NAND มีข้อจำกัดอยู่บางประการ ส่วนที่สำคัญที่สุดสองอย่างได้แก่อายุการใช้งานที่จำกัดเนื่องจากเซลล์แฟลช NAND มีการสึกหรอระหว่างการเขียนข้อมูลซ้ำ ๆ กันและข้อผิดพลาดที่มักเกิดขึ้นได้บ่อย

ระหว่างขั้นตอนการผลิตแฟลช NAND แฟลชดาย NAND แต่ละตัวจากซิลิคอนเวเฟอร์จะผ่านการทดสอบและประเมินอัตราข้อผิดพลาดบิตเบื้องต้น (BER หรือ RBER)

BER ใช้เพื่อระบุอัตราการเกิดข้อผิดพลาดของบิตข้อมูลในแฟลช NAND หากไม่มี Error Correction Code (ECC) ซึ่งชุดควบคุม SSD จะทำหน้าที่แก้ไขผ่าน on-the-fly Advanced ECC (เรียกทั่วไปว่า BCH ECC, Strong ECC หรือระบบแก้ไขข้อผิดพลาด LDPC ตามแต่ผู้พัฒนาชุดควบคุม SSD จะเรียก) เพื่อไม่ให้รบกวนการทำงานของผู้ใช้หรือระบบตามปกติ

ความสามารถของชุดควบคุม SSD ในการแก้ไขข้อผิดพลาดของบิตข้อมูลเหล่านี้สามารถประเมินออกมาเป็น Uncorrectable Bit Error Ratio (UBER) "ซึ่งเป็นเกณฑ์ชี้วัดอัตราข้อผิดพลาดของข้อมูลเทียบกับจำนวนข้อผิดพลาดของข้อมูลต่อการอ่านบิตหลังจากใช้ระบบแก้ไขข้อผิดพลาดที่เกี่ยวข้องแล้ว"{{Footnote.N48213}}

ภายใต้นิยามและมาตรฐานของ Industry Standards Association, JEDEC ปี 2010 ตามเอกสาร JESD218A:Solid State Drive (SSD) Requirements and Endurance Test Method และ JESD219:Solid State Drive (SSD) Endurance Workloads ไดร์ฟสำหรับองค์กรจะมีลักษณะแตกต่างจาก SSD สำหรับไคลเอนท์ในหลาย ๆ ด้าน เช่น รองรับงานเขียนได้มากกว่า สมบุกสมบันกว่า และกู้ข้อมูลจาก BER ได้ดีกว่า SSD ไคลเอนท์ {{Footnote.N52081}}{{Footnote.N52082}}

คลาสแอพพลิเคชั่นการใช้งาน (ดูใน JESD219)การใช้งานต่อเนื่อง (เปิดทำงาน)การใช้งานเพื่อเก็บรักษา (ปิดเครื่อง)เงื่อนไข UBER
ไคลเอนท์ ไคลเอนท์ 40° C 8 ชม./วัน 30° C 1 ปี ≤10 -15
องค์กร องค์กร 55° C 24 ชม./วัน 40° C 3 เดือน ≤10 -16

ตาราง 1 - JESD218A: Solid State Drive (SSD) Requirements and Endurance Test Method
ลิขสิทธิ์ JEDEC เผยแพร่โดยได้รับอนุญาตจาก JEDEC

ภายใต้เงื่อนไข UBER ที่เสนอโดย JEDEC ในส่วนของ SSD สำหรับองค์กรและไคลเอนท์ พบว่า SSD ระดับองค์กรจะมีอัตราข้อผิดพลาดบิตข้อมูลที่ไม่สามารถกู้คืนได้เพียง 1 ต่อ 1,000 ล้านล้านบิต (~1.11 พาทาไบต์) เมื่อเทียบกับ SSD ไคลเอนท์ที่มีข้อผิดพลาดบิตข้อมูลที่ 1 ต่อ 100 ล้านล้านบิต (~0.11 เพทาไบต์)

SSD ระดับองค์กรจาก Kingston ยังมีการใช้เทคโนโลยีเพิ่มเติมเพื่อให้สามารถกู้บล็อคข้อมูลที่เสียหายที่จัดเก็บไว้ในดาย NAND อื่น ๆ (คล้ายกับไดร์ฟ RAIDing ทำให้สามารถกู้บล็อคข้อมูลที่ต้องการเพื่อสร้างข้อมูลใหม่โดยอาศัยข้อมูลพาริตี้ที่จัดเก็บไว้ในบล็อคข้อมูลอื่น)

เพื่อเสริมการทำงานของเทคโนโลยีกู้บล็อคข้อมูลซ้ำซ้อนที่มีอยู่ใน SSD ระดับองค์กรของ Kingston ระบบจัดทำจุดตรวจสอบตามช่วงที่กำหนด Cyclic Redundancy Check (CRC) และระบบแก้ไขข้อผิดพลาด ECC จะถูกนำมาใช้ในรูปแบบการป้องกันภายในแบบ End-to-End เพื่อรับประกันความสมบูรณ์ของข้อมูลจากโฮสต์ผ่านแฟลชและกลับไปยังโฮสต์อีกที ระบบป้องกันข้อมูลแบบ End-to-End หมายถึงข้อมูลที่ได้รับจากโฮสต์จะถูกตรวจสอบความสมบูรณ์ระหว่างจัดเก็บไปยังแคชภายในของ SSD และเมื่อถูกเขียนหรืออ่านกลับจากส่วนจัดเก็บข้อมูล NAND

เพื่อให้คล้าย ๆ กับระบบป้องกัน EEC แบบพิเศษสำหรับ SSD ระดับองค์กรจากข้อผิดพลาดบิตข้อมูล SSD อาจมีวงจรทางกายภาพเพื่อตรวจจับการเสียไฟเลี้ยงเพื่อคอยจัดการตัวจัดเก็บประจุที่ SSD ระบบ Power Fail สำหรับฮาร์ดแวร์จะทำหน้าที่ติดตามไฟเลี้ยงขาเข้าไปยัง SSD และเมื่อเกิดไฟดับโดยไม่ได้ตั้งใจก็จะมีการจ่ายไฟสำรองชั่วคราวไปยังวงจร SSD โดยใช้ตัวเก็บประจุแทนทาลัมเพื่อรองรับการเขียนข้อมูลที่มีการสั่งการจากภายในหรือภายนอกก่อนที่ SSD จะถูกตัดไฟเลี้ยง วงจรป้องกัน Power Fail มักจำเป็นสำหรับแอพพลิเคชั่นที่จะยอมให้มีการสูญเสียข้อมูลไม่ได้

ระบบป้องกัน Power Fail ยังอาจถูกใช้กับเฟิร์มแวร์ SSD ผ่านการไล่ล้างข้อมูลที่ใช้งานประจำในพื้นที่แคชของชุดควบคุม SSD (เช่น ในตาราง Ftranslation Layer) ไปยังส่วนจัดเก็บข้อมูล NAND แต่ไม่สามารถรับประกันได้ว่าจะไม่มีข้อมูลสูญหายระหว่างไฟดับ แต่สามารถช่วยลดความเสียหายจากไฟดับที่อาจสร้างความเสียหายตามมาได้ระดับหนึ่ง ระบบป้องกันไฟดับที่เฟิร์มแวร์นี้ยังช่วยให้มั่นใจว่า SSD จะไม่เกิดปัญหาหลังจากไฟดับโดยไม่ได้ตั้งใจขึ้น

ในหลายกรณี การใช้พื้นที่จัดเก็บข้อมูลที่กำหนดโดยฮาร์ดแวร์หรือระบบจัดกลุ่มคลัสเตอร์เซิร์ฟเวอร์อาจช่วยลดความจำเป็นของระบบรองรับ Power Faill ระดับฮาร์ดแวร์ลงได้ เนื่องจากข้อมูลจะถูกทำซ้ำไปยังอุปกรณ์จัดเก็บข้อมูลต่างหากหรือแยกเฉพาะในเซิร์ฟเวอร์อื่น ศูนย์ข้อมูลระดับเว็บมักใช้ระบบ Power Faill ผ่านระบบ Software Defined Storage กับเซิร์ฟเวอร์ RAID เพื่อจัดเก็บสำเนาข้อมูลซ้ำซ้อนของข้อมูลชุดเดียวกัน

สมบุกสมบัน

หน่วยความจำแฟลช NAND ทั้งหมดในสื่อบันทึข้อมูลระบบแฟลชจะมีเสถียรภาพในการเก็บบิตข้อมูลลดลงทุกครั้งที่เขียนโปรแกรมหรือลบข้อมูล (P/E) ลงบนเซลล์หน่วยความจำแฟลช NAND จนในที่สุดบล็อคข้อมูลแฟลช NAND ก็จะไม่สามารถจัดเก็บข้อมูลได้อย่างมีเสถียรภาพอีกต่อไป โดยบล็อคข้อมูลที่เสื่อมสภาพหรือเสียหายจะถูกนำออกจากการใช้เป็นส่วนจัดเก็บข้อมูลที่อ้างอิงได้ของผู้ใช้ การอ้างอิงที่อยู่ตรรกะของบล็อคข้อมูลไดร์ฟจะถูกย้ายไปยังที่อยู่ทางกายภาพใหม่บนอาร์เรย์จัดเก็บข้อมูลแฟลช NAND บล็อคจัดเก็บข้อมูลใหม่จะถูกแทนที่ส่วนที่เสียหายโดยใช้ชุดบล็อคข้อมูลสำรองซึ่งเป็นส่วนหนึ่งของส่วนจัดเก็บข้อมูลที่จัดสรรไว้ส่วนเกิน (OP) ใน SSD

ขณะที่เซลล์ถูกเขียนโปรแกรมหรือลบข้อมูลอย่างต่อเนื่อง BER ก็จะเพิ่มขึ้นตามไปด้วย ด้วยเหตุนี้จึงต้องมีเทคนิคในการจัดการที่ซับซ้อนสำหรับชุดควบคุม SSD ระดับองค์กรในการเค้นประสิทธิภาพของเซลล์บันทึกข้อมูลของ SSD ให้มีเสถียรภาพและอายุการใช้งานตามที่กำหนด{{Footnote.N52083}}

ค่าความทนทาน P/E ของหน่วยความจำแฟลช NAND จะแตกต่างกันไปขึ้นอยู่กับกระบวนการผลิตในปัจจุบันและประเภทของแฟลช NAND ที่ใช้

ประเภทหน่วยความจำแฟลช NANDTLCMLCSLC
สถาปัตยกรรม 3 บิตต่อเซลล์ 2 บิตต่อเซลล์ 1 บิตต่อเซลล์
ความจุ ความจุสูงสุด ความจุสูง ความจุต่ำสุด
ความทนทาน (P/E) ทนทานต่ำสุด ทนทานปานกลาง ทนทานสูงสุด
ต้นทุน $ $$ $$$$
อัตราข้อผิดพลาดบิดข้อมูล NAND (BER) โดยประมาณ 10^4 10^7 10^9

ตาราง 2 - ประเภทหน่วยความจำแฟลช NAND {{Footnote.N52084}}{{Footnote.N52085}}

SSD ระดับองค์กรจะแตกต่างไปจาก SSD สำหรับไคลเอนท์ในส่วนของรอบการทำงาน เนื่องจาก SSD ระดับองค์กรจะต้องสามารถทนต่อการอ่านและเขียนเป็นจำนวนมากได้ซึ่งถือเป็นเรื่องปกติในเซิร์ฟเวอร์ศูนย์ข้อมูลที่มีการเรียกค้นข้อมูลตลอด 24 ชั่วโมงทุกวันในขณะที่ SSD ไคลเอนท์อาจทำงานเพียง 8 ชั่วโมงต่อวัน SSD สำหรับองค์กรรองรับรอบการทำงานตลอดทั้งวันแบบไม่มีวันหยุดซึ่งแตกต่างจาก SSD ไคลเอนท์ที่มีรอบการทำงานแบบ 20/80 (20% ใช้งาน 80% เปิดทิ้งไว้หรือสลีประหว่างใช้คอมพิวเตอร์)

การศึกษาเกี่ยวกับความทนทานในการเขียนข้อมูลของแอพพลิเคชั่นหรือ SSD อาจมีองค์ประกอบมากมาย ด้วยเหตุนี้คณะกรรมการ JEDEC จึงได้จัดทำข้อเสนอและเกณฑ์ตรวจวัดความทนทานขึ้นโดยใช้ค่า TeraBytes Written (TBW) เพื่อชี้วัดปริมาณข้อมูลดิบที่สามารถเขียนไปยัง SSD ก่อนที่แฟลช NAND ใน SSD จะไม่สามารถจัดเก็บข้อมูลได้อย่างมีเสถียรภาพและต้องเปลี่ยนไดร์ฟใหม่

การใช้วิธีการทดสอบ JESD218A และ JESD219 สำหรับองค์กรที่เสนอโดย JEDEC ทำให้สะดวกยิ่งขึ้นในการคำนวณค่าความทนทานของ SSD จากผู้ผลิตต่าง ๆ โดยอาศัย TWB และยังทำให้เกิดมาตรการที่ชัดเจนด้านความทนทานที่มากขึ้นซึ่งศูนย์ข้อมูลทุกแห่งสามารถนำมาปรับใช้ได้

ในเอกสาร JESD218 และ JESD219 มีระบุไว้ว่าภาระในการทำงานของแอพพลิเคชั่นแต่ละกลุ่มอาจได้รับผลกระทบได้อย่างมากจากตัวแปรยกกำลังในการเขียนข้อมูล (WAF) ซึ่งสามารถสร้างภาระได้มากกว่าการข้อมูลการเขียนจริงที่ได้รับจากโฮสต์ และทำให้เกิดการสึกหรอของแฟลช NAND โดยไม่สามารถควบคุมได้ BER แฟลช NAND สูงขึ้นเนื่องจากการสึกหรอจากการเขียนข้อมูลที่เพิ่มขึ้นไปตามเวลา ประสิทธิภาพในการทำงานที่ช้าลงเนื่องจากความกระจัดกระจายของเพจข้อมูลที่ไม่ถูกต้องใน SSD

ในขณะที่ TWB ถือเป็นตัวแปรสำคัญที่ได้รับการกล่าวถึงใน SSD ระดับองค์กรและไคลเอนท์ แต่ TBW เป็นตัวแบบคาดการณ์ความทนทานของแฟลช NAND เพียงตัวเดียว โดยควรมีการพิจารณาค่า Mean Time Between Failure (MTBF) ร่วมด้วยเพื่อให้สามารถประเมินความทนทานและเสถียรภาพในการทำงานสอดคล้องกับส่วนประกอบที่ถูกใช้ผลิต สิ่งที่ผู้ใช้คาดหวังจากส่วนประกอบของ SSD ระดับองค์กร ได้แก่ความทนทาน การรองรับงานได้สมบุกสมบันมากกว่า และการจัดการแรงดันไฟฟ้าได้ครอบคลุมหน่วยความจำแฟลช NAND ทั้งหมดตลอดอายุการใช้งานของ SSD SSD ระดับองค์กรทั้งหมดควรมีประสิทธิภาพในการทำงานอย่างน้อยหนึ่งล้านชั่วโมง MTBF หรือมากกว่า 114 ปี! Kingston กำหนดเงื่อนไขทางเทคนิคสำหรับ SSD ไว้สูงเป็นพิเศษ จึงไม่แปลกที่จะเห็นค่า MTBF ของ SSD สูงกว่านี้ ประเด็นสำคัญคือระยะเวลา 1 ล้านชั่วโมงนี้ถือว่ามากเกินพอสำหรับ SSD ระดับเริ่มต้นสำหรับองค์กร

ระบบตรวจสอบและแจ้งข้อมูล S.M.A.R.T. ใน SSD ระดับองค์กร ช่วยให้สามารถประเมินประสิทธิภาพของส่วนประกอบได้ก่อนจะเกิดปัญหา การคาดการณ์อายุการใช้งานจึงสอดคล้องกับตัวแปรยกกำลังในการเขียนข้อมูล (WAF) และระดับการสึกหรอจากการใช้งานจริง ระบบแจ้งเตือนก่อนเกิดปัญหารองรับการตรวจสอบที่หลากหลาย เช่น กรณีไฟดับ ข้อผิดพลาดบิตข้อมูลจากอินเทอร์เฟซทางกายภาพ หรือการสึกหรอที่ไม่สม่ำเสมอกัน ยูทิลิตี้ Kingston SSD Manager สามารถดาวน์โหลดได้จากเว็บไซต์ของ Kingston โดยสามารถใช้เพื่อดูสถานะของไดร์ฟ

SSD ไคลเอนท์รองรับระบบ S.M.A.R.T. ในระดับพื้นฐานเพื่อตรวจสอบ SSD ระหว่างการใช้งานตามปกติหรือเมื่อเกิดข้อผิดพลาดแล้วเท่านั้น

พื้นที่สำรองที่เพิ่มมากขึ้นของหน่วยความจำแฟลช NAND ยังสามารถจัดสรรไว้เป็นพื้นที่จัดเก็บข้อมูลสำรองส่วนเกิน (OP) ได้เช่นกัน ทั้งนี้ขึ้นอยู่กับกลุ่มแอพพลิเคชั่นและความจุของ SSD พื้นที่ OP จะถูกซ่อนไว้จากใช้งานโดยผู้ใช้และระบบปฏิบัติการ และสามารถนำมาใช้เป็นบัฟเฟอร์เขียนข้อมูลชั่วคราว ทำให้ประสิทธิภาพในการทำงานสม่ำเสมอมากกว่า และยังสามารถใช้แทนเซลล์หน่วยความจำแฟลชที่มีปัญหาในช่วงอายุการใช้งานของ SSD ทำให้ SSD มีเสถียรภาพในการทำงานและความทนทานที่สูงกว่า (มีบล็อคข้อมูลสำรองมากกว่า)

สรุป

มีข้อแตกต่างที่ชัดเจนระหว่าง SSD สำหรับองค์กรและไคลเอนท์ ไม่ว่าจะเป็นหน่วยความจำแฟลช NAND ความทนทานในการเขียนโปรแกรมและลบข้อมูล รวมทั้งเทคนิคที่ซับซ้อนในการบริหารจัดการพื้นที่เพื่อให้สอดคล้องกับภาระในการทำงานของกลุ่มแอพพลิเคชั่นใช้งาน

ความเข้าใจข้อแตกต่างของกลุ่มการใช้งานซึ่งเกี่ยวข้องทั้งในด้านประสิทธิภาพ เสถียรภาพในการทำงาน และความทนทานถือเป็นเครื่องมือที่สำคัญในการลดและจัดการปัจจัยเสี่ยงของความเสียหายที่อาจทำให้เสียเวลาภายใต้สภาพแวดล้อมในการทำงานที่เปราะบางและมีความสำคัญขององค์กร สอบถามรายละเอียดเพิ่มเติมได้จากเจ้าหน้าที่ของ Kingston หรือเข้าไปที่ Ask An Expert หรือระบบแชทด้านเทคนิคที่ Kingston.com

บทความที่เกี่ยวข้อง

หน้าแรกของบล็อก