Scelta della scheda per Trail Cam

Ecco le principali caratteristiche che deve avere una scheda di memoria per Trial cam, se si punta a massimizzarne prestazioni e affidabilità:

• Compatibilità UHS-I: velocità fino a 100 MB/s con supporto per gli standard U3, V30 e A1 per applicazioni basate su Android.
• Resistenza a temperature estreme: la scheda deve essere stata progettata e testata per resistere a temperature comprese tra -40°C e 85°C.
• Elevata resistenza: misurata in cicli P/E e TBW. Il numero di cicli P/E aiuta a determinare approssimativamente la quantità di dati che è possibile scrivere durante la vita operativa di una scheda. L'indice di resistenza, noto come TBW (numero di terabyte scritti), è espresso dal numero di cicli P/E moltiplicato per la capacità della scheda. Molto importante per la memorizzazione di contenuti ad alta risoluzione.
• Bad Block Management: gestisce gli errori nei dispositivi NAND flash identificando e segnalando i blocchi danneggiati, quindi utilizza la capacità extra libera in sostituzione dei blocchi non validi. Inoltre, aumenta l'affidabilità del prodotto, evitando che i dati vengano scritti nei blocchi danneggiati. I dati eventualmente già scritti nei blocchi danneggiati, vengono spostati nei blocchi validi al fine di prevenire la perdita di dati.
• Motore ECC: il codice di correzione degli errori rileva e corregge la maggior parte degli errori che interessano i dati trasferiti dalla videocamera alla scheda SD. La memoria Flash NAND, al pari degli hard disk, potrà incontrare errori bit durante le normali operazioni di funzionamento, che correggerà all'istante, grazie ai dati ECC.
• Protezione contro le interruzioni di corrente: le interruzioni di corrente sono inevitabili e possono causare la perdita di ore, giorni, mesi o più di lavoro. Per sempre! Protezione contro le interruzioni di corrente previene la perdita dei dati.
• Livellamento dell'usura: la tecnologia avanzata di livellamento dell'usura distribuisce equamente il numero di cicli P/E (Program/Erase) in tutta la memoria flash su tutti i blocchi. Quando un blocco diventa necessario per l'archiviazione dei dati, sarà utilizzato il primo blocco vuoto caratterizzato dal più basso numero di cicli di cancellazione. Pertanto, il livellamento dell'usura consente di prolungare il ciclo di vita utile di una scheda di memoria flash.
• Auto-Refresh Read Distribution Protection: questa funzione effettua la lettura dei dati sulla memoria flash, inclusi quelli in cui i dati non vengono letti con grande frequenza, effettuando la correzione automatica degli errori secondo necessità al fine di evitare perdite di dati causate da errori in lettura, ritenzione dei dati e altri tipi di errori.
• Refresh dinamico dei dati: controllo in tre fasi sul blocco di destinazione, utilizzato al fine di assicurarsi che durante le operazioni di sola lettura i blocchi caratterizzati dal più elevato numero di errori siano rimossi e rigenerati per un utilizzo successivo.