DRAM discreta integrada para fabricantes de dispositivos
La DRAM discreta integrada de Kingston está diseñada para satisfacer las necesidades de los dispositivos integrados y está disponible con variantes de bajo voltaje para reducir el consumo de energía. La DRAM discreta integrada de Kingston está alimentando una variedad de infraestructuras electrónicas modernas como ciudades inteligentes (HVAC, iluminación, monitoreo de energía y parquímetros de medición), industriales (robótica, IoT, automatización de fábricas, computadoras de placa única), telecomunicaciones (redes 5G, edge computing, modelos de comunicación, dispositivos de malla de enrutadores WiFi) y dispositivos como hogares inteligentes (barras de sonido, termostatos, equipos de fitness, aspiradoras, camas y grifos) y dispositivos portátiles (smartphones, monitores de salud, rastreadores de fitness, AR, VR).
CARACTERÍSTICAS CLAVE
- Arquitectura de doble velocidad de datos (DDR): dos transferencias de datos por ciclo de reloj
- Transferencia de datos de alta velocidad se realiza mediante la arquitectura de canalización de captación anticipada de 8 bits
- Se transmiten/reciben datos intermitentes diferenciales bidireccionales (DOS y /DQS)
- DOS está alineado al borde con los datos para LECTURAS; alineado al centro con datos para ESCRITURAS • Entradas de reloj diferencial (CK y / CK)
- DLL alinea las transiciones DQ y DOS con las transiciones CK
- Comandos introducidos en cada borde positivo CK; datos y máscara de datos referenciados
- Máscaras de datos o Data Mask (DM) para escribir datos
- Publicado /CAS por latencia aditiva programable para mejor comando y datos
- Terminación On-Die (ODD para una mejor calidad de señal)
- ODT síncrono
- CDT dinámico
- ODT asíncrono
- Registro de uso múltiple o Multi-Purpose Register (MPR) para lectura de patrones predefinidos
- Calibración ZQ para DO drive y ODT
- Actualización automática de matriz parcial programable o Programmable Partial Array Self-Refresh (PASR)
- Pin RESET para secuencia de encendido y función de reinicio
- Rango de SRT: normal/extendido
- Control de impedancia del controlador de salida programable
Números de pieza estándar y especificaciones
DDR3/DDR3L FBGA Temperatura comercial
| Número de parte | Capacidad | Descripción | Paquete | VDD, VDDQ | Temperatura de operación |
|---|---|---|---|---|---|
| D1216ECMDXGJD | 2Gb | 96 bolas 128Mx16 DDR3/3L 1866 Mb/s | 7.5x13.5x1.2 | 1.35V{{Footnote.N64253}} | 0°C ~ +95°C |
| D2516ECMDXGJD | 4Gb | 96 bolas 256Mx16 DDR3/3L 1866 Mb/s | 7.5x13.5x1.2 | 1.35V{{Footnote.N64253}} | 0°C ~ +95°C |
| D5128ECMDPGJD | 4Gb | 78 bolas 512Mx8 DDR3/3L 1866 Mb/s | 7.5x10.6x1.2 | 1.35V{{Footnote.N64253}} | 0°C ~ +95°C |
| D2516ECMDXGME | 4Gb | 96 bolas 256Mx16 DDR3/3L 2133 Mb/s | 7.5x13.5x1.2 | 1.35V{{Footnote.N64253}} | 0°C ~ +95°C |
| B5116ECMDXGJD | 8Gb | 96 bolas 512Mx16 DDR3/3L 1866 Mb/s | 9x13.5x1.2 | 1.35V{{Footnote.N64253}} | 0°C ~ +95°C |
DDR3/DDR3L FBGA Temperatura industrial
| Número de parte | Capacidad | Descripción | Paquete | VDD, VDDQ | Temperatura de operación |
|---|---|---|---|---|---|
| D1216ECMDXGJDI | 2Gb | 96 bolas 128Mx16 DDR3/3L 1866 Mb/s | 7.5x13.5x1.2 | 1.35V{{Footnote.N64253}} | -40°C ~ +95°C |
| D2568ECMDPGJDI | 2Gb | 78 bolas 256Mx8 DDR3/3L 1866 Mb/s | 7.5x10.6x1.2 | 1.35V{{Footnote.N64253}} | -40°C ~ +95°C |
| D2516ECMDXGJDI | 4Gb | 96 bolas 256Mx16 DDR3/3L 1866 Mb/s | 7.5x13.5x1.2 | 1.35V{{Footnote.N64253}} | -40°C ~ +95°C |
| D5128ECMDPGJDI | 4Gb | 78 bolas 512Mx8 DDR3/3L 1866 Mb/s | 7.5x10.6x1.2 | 1.35V{{Footnote.N64253}} | -40°C ~ +95°C |
| D2516ECMDXGMEI | 4Gb | 96 bolas 256Mx16 DDR3/3L 2133 Mb/s | 7.5x13.5x1.2 | 1.35V{{Footnote.N64253}} | -40°C ~ +95°C |
| B5116ECMDXGJDI | 8Gb | 96 bolas 512Mx16 DDR3/3L 1866 Mb/s | 9x13.5x1.2 | 1.35V{{Footnote.N64253}} | -40°C ~ +95°C |
Temperatura automotriz DDR3/DDR3L FBGA
| Número de parte | Capacidad | Descripción | Paquete | VDD, VDDQ | Temperatura de operación |
|---|---|---|---|---|---|
| D1216ECMDXGMEY | 2Gb | 96 bolas 128Mx16 DDR3/3L 2133Mbps | 13.5x7.5x1.2 | 1.35V{{Footnote.N64253}} | -40° a +105°C |
| D2516ECMDXGMEY | 4Gb | 96 bolas 256Mx16 DDR3/3L 2133Mbps | 13.5x7.5x1.2 | 1.35V{{Footnote.N64253}} | -40° a +105°C |
DDR4 FBGA Temperatura comercial
| Número de parte | Capacidad | Descripción | Paquete | VDD, VDDQ | Temperatura de operación |
|---|---|---|---|---|---|
| D5116AN9CXGRK | 8Gb | 96 bolas FBGA DDR4 C-Temp | 7.5x13x1.2 | 1.2V | 0°C ~ +95°C |
| D5116AN9CXGXN | 8Gb | 96 bolas FBGA DDR4 C-Temp | 7.5x13x1.2 | 1.2V | 0°C ~ +95°C |
| D2516ACXGXGRK | 4Gb | 96 bolas FBGA DDR4 C-Temp | 7.5x13x1.2 | 1.2V | 0°C ~ +95°C |
DDR4 FBGA Temperatura industrial
| Número de parte | Capacidad | Descripción | Paquete | VDD, VDDQ | Temperatura de operación |
|---|---|---|---|---|---|
| D5116AN9CXGXNI | 8Gb | 96 bolas FBGA DDR4 I-Temp x16 | 7.5x13x1.2 | 1.2V | -40°C ~ +95°C |
| D1028AN9CPGXNI | 8Gb | 78 bolas FBGA DDR4 I-Temp x8 | 7.5x13x1.2 | 1.2V | -40°C ~ +95°C |
LPDDR4 FBGA Temperatura comercial
| Número de parte | Capacidad | Descripción | Paquete | VDD, VDDQ | Temperatura de operación |
|---|---|---|---|---|---|
| D0811PM2FDGUK | 8Gb | 200 bolas FBGA LPDDR4 C-Temp | 10x14.5x1.0 | 1.1V | -25°C ~ +85°C |
| B1621PM2FDGUK | 16Gb | 200 bolas FBGA LPDDR4 C-Temp | 10x14.5x1.0 | 1.1V | -25°C ~ +85°C |
LPDDR4 FBGA Temperatura industrial
| Número de parte | Capacidad | Descripción | Paquete | VDD, VDDQ | Temperatura de operación |
|---|---|---|---|---|---|
| D0811PM2FDGUKW | 8Gb | 200 bolas FBGA LPDDR4 I-Temp | 10x14.5x1.0 | 1.1V | -40°C ~ +95°C |
| B1621PM2FDGUKW | 16Gb | 200 bolas FBGA LPDDR4 I-Temp | 10x14.5x1.0 | 1.1V | -40°C ~ +95°C |