Tiêu chuẩn bộ nhớ DDR5: Giới thiệu về công nghệ mô-đun DRAM thế hệ tiếp theo

Tốc độ khởi động tốt hơn

DDR5 có tốc độ tối thiểu là 4800 MT/giây{{Footnote.A65242}}, trong khi DDR4 chỉ đạt tối đa 3200 MT/giây. Điều này tương đương với mức tăng 50% về băng thông. Cùng với sự ra mắt của các nền tảng tính toán, DDR5 dự kiến tăng tốc độ tiêu chuẩn tăng lên 8800 MT/giây, có thể là hơn thế nữa.

Điện năng giảm / Hiệu suất tăng

Ở mức 1,1V, DDR5 tiêu thụ ít hơn khoảng 20% điện năng so với các cấu phần DDR4 tương đương hoạt động ở mức 1,2V. Bên cạnh việc bảo tồn thời lượng pin cho máy tính xách tay, DDR5 còn mang lại lợi thế rất lớn cho các máy chủ doanh nghiệp có tần suất hoạt động mạnh.

PMIC

Mô-đun DDR5 được trang bị Mạch tích hợp quản lý nguồn điện (PMIC), giúp điều phối mức điện năng mà các cấu phần khác nhau của mô-đun bộ nhớ cần đến (như DRAM, Thanh ghi, hub SPD, v.v.). Với các mô-đun cấp máy chủ, PMIC sử dụng 12V, còn với các mô-đun cấp PC, PMIC sử dụng mức 5V. Công nghệ này có khả năng hỗ trợ điều phối điện năng tốt hơn so với các thế hệ trước, từ đó giúp giảm nhiễu và mang lại tín hiệu toàn vẹn hơn.

Hub SPD

DDR5 sử dụng một thiết bị mới để tích hợp EEPROM Phát hiện hiện diện nối tiếp (SPD) với các tính năng hub bổ sung, quản lý quyền truy cập vào các trình điều khiển bên ngoài và ngắt kết nối các tải bộ nhớ trên bus trong khỏi bên ngoài.

Tăng băng nhớ và chiều dài truyền loạt

DDR5 có băng nhớ tăng gấp đôi từ 16 lên 32, cho phép người dùng mở nhiều trang cùng một lúc và tăng hiệu suất. Ngoài ra, chiều dài truyền loạt tối thiểu cũng tăng lên đến 16, so với 8 ở thế hệ DDR4. Những cải tiến này giúp tăng cường hiệu suất bus dữ liệu, cung cấp gấp đôi dữ liệu trên bus, từ đó giảm mức đọc/ghi cần thiết để truy cập cùng một dòng dữ liệu bộ đệm.

Làm mới tốt hơn

DDR5 được bổ sung một lệnh mới gọi là SAME-BANK Refresh (Làm mới CÙNG BĂNG NHỚ), để cho phép làm mới chỉ một băng nhớ mỗi nhóm băng nhớ, thay vì làm mới tất cả các băng nhớ. So với DDR4, lệnh này giúp DDR5 cải tiến hiệu năng và hiệu suất cao hơn nữa.

Cân bằng phản hồi quyết định (DFE)

DDR5 sử dụng công nghệ Cân bằng phản hồi quyết định (DFE) để mang đến tính toàn vẹn ổn định và đáng tin cậy cho tín hiệu trên mô-đun, cũng là yêu cầu cần thiết đối với mức băng thông cao.

Kích cỡ

Mặc dù thanh RAM trông khá giống với DDR4, thế hệ mới này có một số thay đổi đáng kể khiến chúng không còn tương thích với các hệ thống cũ. Vị trí rãnh khóa (phần rãnh nằm ở giữa) được di chuyển để tránh người dùng lắp nhầm vào khe cắm không tương thích.

• DIMM có thanh ghi (RDIMM) ECC
• DIMM bậc kết hợp mạch ghép kênh (MCRDIMM)
• DIMM có bộ đệm đa bậc (MRDIMM)
• DIMM không có bộ đệm ECC (ECC UDIMM)
• SODIMM không có bộ đệm ECC (ECC SODIMM)
• DIMM không có bộ đệm (UDIMM) không ECC
• SODIMM không có bộ đệm (SODIMM) không ECC
• Compression Attached Memory Module (CAMM)